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[实用新型]一种光伏旁路电路模块及包含该模块的接线盒-CN201320163464.5有效
发明人： 冯春阳;戴胜强;高圣超 -专利权人： 冯春阳;浙江美晶科技有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及光伏发电装置，特别涉及一种光伏旁路电路模块及包含该模块的接线盒。本实用新型是通过以下技术方案得以实现的：一种光伏旁路电路模块，包括至少具有两个旁路二极管的二极管芯片组及用于封装所述二极管芯片组的封装体，所述封装体位于相邻两个所述旁路二极管之间的部分向内凹进形成缺口。本实用新型能有效降低相邻旁路二极管之间的热干扰，有效缓解旁路二极管的温升问题，且成本较低，可靠性高。
一种旁路电路模块包含接线

[实用新型]一种光伏发电组件接线盒-CN201320166692.8有效
发明人： 冯春阳;戴胜强;高圣超 -专利权人： 冯春阳;浙江美晶科技有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型涉及光伏发电装置，特别涉及一种光伏发电组件接线盒。本实用新型是通过以下技术方案得以实现的：一种光伏发电组件接线盒，包括盒体、至少具有一个旁路二极管的二极管芯片组及用于封装所述二极管芯片组的封装体，该种接线盒还包括用于对所述旁路二极管进行散热且与所述旁路二极管电气绝缘且延伸至所述盒体外的散热片。本实用新型将旁路二极管的热量引出至接线盒外，从而加强旁路二极管的散热性能，有效解决背景技术所述的旁路二极管温升问题。
一种发电组件接线

[发明专利]一种光伏发电组件接线盒-CN201310115516.6有效
发明人： 冯春阳;戴胜强;高圣超 -专利权人： 冯春阳;浙江美晶科技有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明涉及光伏发电装置，特别涉及一种光伏发电组件接线盒。本发明是通过以下技术方案得以实现的：一种光伏发电组件接线盒，包括盒体、至少具有一个旁路二极管的二极管芯片组及用于封装所述二极管芯片组的封装体，该种接线盒还包括用于对所述旁路二极管进行散热且与所述旁路二极管电气绝缘且延伸至所述盒体外的散热片。本发明将旁路二极管的热量引出至接线盒外，从而加强旁路二极管的散热性能，有效解决背景技术所述的旁路二极管温升问题。
一种发电组件接线

[发明专利]互联网中的模糊离散全局滑模拥塞控制方法-CN201310053900.8无效
发明人：闫明;冯春阳;高哲;刘延东;韩业忠 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H04L12/801 文献下载
摘要：本发明涉及一种互联网中的模糊离散全局滑模拥塞控制方法。属于互联网拥塞控制领域。该方法为解决互联网中的拥塞现象，将T-S模糊控制和离散全局滑模控制相结合，共同进行互联网的拥塞控制。首先通过选择模糊规则和隶属函数，对非线性的网络拥塞控制系统建立T-S模糊模型，并通过引入带有时变时滞的不确定项来代表网络参数的变化，然后利用LMI设计渐近稳定的离散全局滑模面，消除了系统的趋近过程，并且所设计的控制器能够有效降低系统的抖振现象。本发明在较宽的网络参数变化范围内，仍然具有良好的鲁棒性。
互联网中的模糊离散全局拥塞控制方法

[发明专利]一种多功能定时器-CN201210361762.5有效
发明人：杨靓;巨新刚;冯春阳 -专利权人：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： G04G3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种多功能定时器，包括脉冲计数器、输入脉宽计数器、输出脉宽计数器、全局控制寄存器、脉冲数计数寄存器、定时周期寄存器、脉宽计数寄存器、输出脉宽寄存器、脉冲检测宽度、比较器一、比较器二和脉冲收发器；脉冲计数器和输出脉宽计数器为减一计数器，输入脉宽计数器为加一计数器；脉冲收发器有脉冲和时钟两种输出方式；脉冲检测宽度由全局控制寄存器提供。本发明在增加较小资源代价下，除了可实现内部时钟定时/分频、外部时钟定时/分频、通用I/O外，还可实现脉宽检测、脉冲整形功能。同时，通过增加广播寄存器，还可实现定时器广播功能。这种定时器结构，能够有效解决了现有定时器功能较为单一、结构局限性问题。
一种多功能定时器

[发明专利]一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法-CN201010286461.1有效
发明人：曾璇;周海;严昌浩;陶俊;冯春阳 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-09-19 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明属集成电路半导体制造技术领域，涉及一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法。本方法将求解最小化耦合电容影响的哑元金属填充问题转化成特殊的覆盖线性规划问题，然后用完全多项式时间近似法求解所述问题。本发明能保证最终结果的最优性，在满足给定金属密度约束的前提下，最终获得的哑元金属带来的耦合电容增加量不超过最小增加量的倍。本方法解决了以往方法中存在的速度和精度不能兼顾的难题，可以应用于解决大规模版图哑元填充问题。
一种针对耦合电容影响化学机械抛光工艺金属填充方法

[发明专利]一种用于功率器件的沟槽栅制造方法-CN201110175118.4有效
发明人：饶祖刚;丛培金;沈浩平;冯春阳;陆界江;赵雁;高景倩 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于功率器件的沟槽栅制造方法。本方法是将沟槽刻蚀掩蔽膜中的氮化硅薄膜或者氧化硅阻挡层保留到后续的栅氧化生长前沟槽底部局部氧化工艺完成之后，以实现沟槽栅的沟槽底部氧化硅薄膜比沟槽侧壁氧化硅薄膜厚的结构特点，该氮化硅薄膜或者氧化硅阻挡层既可起到保护功率器件场终端处的氧化硅薄膜在沟槽刻蚀后栅氧化生长前的制造过程中不被刻蚀的作用，又可防止沟槽开口处和沟槽外硅片表面在氧化过程中形成过厚的氧化硅薄膜，以至于在后续工艺中影响沟槽底部氧化硅薄膜厚度，影响多晶硅在沟槽内的无隙填充，并影响多晶硅回刻后工艺的复杂度等。本方法工艺简单、稳定，易于实现；制造出的器件具有面积小，电特性性能好等优点。
一种用于功率器件沟槽制造方法

[发明专利]一种用于超薄半导体器件的制造方法-CN201110175117.X有效
发明人：饶祖刚;丛培金;沈浩平;冯春阳;陆界江;赵雁;高景倩;苏雷 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于超薄半导体器件的制造方法，本发明所公开的超薄半导体器件的制造方法采用粘接材料和衬片，将粘接材料连续均匀地涂抹在衬片平边和平边两侧上表面的周边区域，将待加工的超薄产品片的一面粘贴在衬片的上表面上，并保持平边对齐，之后可用常规的离子注入、干法刻蚀等工艺对超薄产品片的另一面进行所需的加工，加工处理完成后，将超薄产品片从衬片上表面分离，最后将超薄产品片和衬片上的粘接材料去除干净，这种加工方法具有简单，稳定，成本低，易于实现的特点，衬片可以反复再生使用，特别适合用于超薄功率半导体器件制造过程中的超薄片背面工艺加工。
一种用于超薄半导体器件制造方法

[发明专利]一种具有场截止构造的非穿通型沟槽IGBT制造方法-CN201110112783.9有效
发明人：饶祖刚;丛培金;沈浩平;冯春阳;陆界江;赵雁 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2011-05-03 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有场截止构造的非穿通型沟槽IGBT制造方法。本发明在硅基片上表面元胞区内的沟槽中，以氮化硅绝缘介质膜作为沟槽侧壁保护，在沟槽底部形成由两次热氧化生长的厚氧化硅绝缘介质膜，在沟槽侧壁形成由一次热氧化生长的薄氧化硅绝缘介质膜；在元胞区外通过两次离子注入和热处理形成复合场限环，通过多晶硅、金属淀积与刻蚀形成复合场板，并由复合场限环和复合场板形成一个或多个耐压环；在硅基片下表面，通过两次离子注入及浅结热处理形成场截止层和集电区。本发明所确立的制造方法成本低，易于实施；制造出的IGBT面积小，开关速度快，具有功耗低、抗电磁干扰和抗辐射能力增强等性能特点，从而可以满足市场对IGBT产品高品质的需求。
一种具有截止构造非穿通型沟槽 igbt 制造方法

[发明专利]用于功率器件的沟槽结构及其制造方法-CN201010531584.7无效
发明人：饶祖刚;丛培金;沈浩平;冯春阳;陆界江;赵雁;高景倩 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于功率器件的沟槽结构及其制造方法。本发明所公开的沟槽结构具有侧壁竖直或略微顺坡(θ＝80～90°)、氧化硅薄膜薄，底部圆滑、氧化硅薄膜厚，掺杂多晶无隙填充，界面缺陷消除，沟槽处硅片表面无台阶或者台阶小的特点。该沟槽结构的制造方法是通过干法刻蚀形成沟槽，用氧化工艺去除沟槽表面的缺陷，用氮化硅薄膜形成沟槽侧壁，通过选择氧化、湿法腐蚀和再次氧化，在沟槽内形成底部厚、侧壁薄的氧化硅薄膜，之后再无隙填充导电好的多晶硅薄膜，以刻蚀或者化学机械抛光工艺将沟槽外多余的多晶硅薄膜去除，形成沟槽型功率器件所需沟槽结构。该制造方法工艺简单、稳定，易于实现；制造出的器件具有面积小，电特性性能好等优点。
用于功率器件沟槽结构及其制造方法

[发明专利]一种化学机械抛光工艺哑元填充方法-CN200910055196.3有效
发明人：曾璇;周海;严昌浩;陶俊;冯春阳 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-07-22 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明属集成电路半导体制造技术领域，涉及一种化学机械抛光工艺的哑元填充方法。本发明将求解最小化哑元金属数目的哑元填充问题转化成一类特殊的覆盖线性规划CLP问题，然后根据CLP问题的特点，应用组合优化领域中一种完全多项式时间近似算法FPTAS来求解最小哑元填充问题。该方法既可以保证最终结果的ε最优性，又可以实现最终结果精度和计算速度的折中，解决了现有方法中存在的速度和精度不能兼顾的难题；该方法还可以在线性时间复杂度下，获得近似最少的哑元填充数目，可用于解决大规模版图哑元填充问题。
一种化学机械抛光工艺填充方法

[发明专利]一种化学机械抛光工艺哑元填充的启发式方法-CN200910055285.8有效
发明人：周海;曾璇;严昌浩;陶俊;冯春阳 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明属集成电路半导体制造技术领域，提出一种化学机械抛光工艺的哑元填充的启发式方法，将最小化哑元金属数目的哑元填充问题表示成一个标准的线性规划问题，然后提出动态增加网格内哑元金属密度的启发式算法求解最小哑元填充问题。该方法在每次优化过程中根据网格密度代价函数和近似精度，动态确定向待填充网格内填充哑元金属密度的数量，同时通过近似常数ε调整每次迭代时网格内哑元金属密度的增加量，能实现最终结果精度和计算速度的折衷。本方法可行性高，处理速度极高效，其计算速度和结果精度均优于流行的Monte-Carlo方法，可用于解决大规模版图哑元填充问题。
一种化学机械抛光工艺填充启发式方法

[发明专利]一种建立铜互连化学机械抛光工艺模型的方法-CN200910050941.5有效
发明人：曾璇;严昌浩;陶俊;冯春阳 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明属半导体铜互连化学机械抛光工艺领域，具体涉及一种粗糙打磨垫化学机械抛光工艺模型的建立方法。该方法采用概率密度函数来表征打磨垫表面的高度特性，用自相关函数来表征打磨垫表面的横向特性，并采用谱展开方法和非线性变换方法生成符合给定概率密度特性的打磨垫粗糙表面。本发明方法不需要对打磨垫表面做任何的几何简化和近似，可以严格地表征打磨垫表面任意随机分布的几何特性，本方法利用接触力学方程精确求解打磨垫粗糙表面和芯片表面的接触问题，从而实现对整个化学机械抛光工艺的建模，可用于检测化学机械抛光工艺的结果。
一种建立互连化学机械抛光工艺模型方法

[发明专利]一种具有场截止构造的非穿通型深沟槽IGBT及其制造方法-CN201010164106.7无效
发明人：饶祖刚;丛培金;沈浩平;冯春阳;陆界江;赵雁 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2010-05-06 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有场截止构造的非穿通型深沟槽IGBT及其制造方法。该IGBT等效为一个NMOS场效应管驱动一个PNP双极晶体管，或者一个PMOS场效应管驱动一个NPN双极晶体管。该发明中的NMOS管或者PMOS管通过深沟槽工艺实现了垂直栅和垂直沟道，并采用高耐压沟槽栅工艺技术；NMOS管或者PMOS管、PNP管或者NPN管直接做在抛光硅片上，形成非穿通型的IGBT结构；PNP管或者NPN管的基区靠近集电区的部位通过离子注入或者扩散形成一个与基区具有相同掺杂类型，比基区有更高掺杂浓度的场截止层。该发明所确立的制造方法成本低，易于实施；制造出的IGBT面积小，开关损耗小，短路耐量高，具有抗电磁干扰和抗辐射的能力加强等性能特点。从而满足市场对IGBT产品高品质的需求。
一种具有截止构造非穿通型深沟 igbt 及其制造方法

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