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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]改善分拣损伤的发光二极管芯片及其制备方法-CN202210482162.8在审
发明人：兰叶;王江波;朱广敏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善分拣损伤的发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管芯片包括：基板、发光结构、第一电极、第二电极和钝化层；发光结构层叠于基板上，第一电极和第二电极位于发光结构远离基板的表面，钝化层位于发光结构远离基板的表面，钝化层包括相连的顶针部分和周围部分，周围部分围绕顶针部分，且周围部分覆盖第一电极和第二电极，顶针部分位于第一电极和第二电极之间；顶针部分包括氮化硅层，氮化硅层远离基板的表面的粗糙度高于周围部分远离基板的表面的粗糙度。本公开实施例能改善分选芯片时芯片的外延结构易被顶裂的问题。
改善分拣损伤发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]改善光效的发光二极管芯片及其制备方法-CN202210698898.9在审
发明人：兰叶;王江波;张威 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善光效的发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管芯片包括：基板、发光结构、第一电极和第二电极；所述发光结构包括依次层叠于所述基板上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个为p型层，所述第二半导体层的表面具有露出所述第一半导体层的凹槽，所述第一电极位于所述凹槽内，所述第二电极位于所述第二半导体层远离所述基板的一侧；所述p型层的局部区域注入有硅离子，且所述局部区域环绕所述凹槽。本公开实施例能避免半导体层上刻蚀凹槽后产生的缺陷导致漏电的问题，改善芯片的光效。
改善发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]改善散热的发光二极管芯片及其制备方法-CN202210769283.0在审
发明人：兰叶;王江波;张威 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善散热的发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管芯片包括：基板、发光结构、第一电极和第二电极；所述发光结构包括依次层叠于所述基板上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第二半导体层的表面具有露出所述第一半导体层的凹槽，所述第一电极位于所述凹槽内，所述第二电极包括间隔排布的多个子电极，多个所述子电极位于所述第二半导体层远离所述基板的一侧。本公开实施例能提升芯片的散热能力，改善芯片电气过应力下降的问题。
改善散热发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]降低台阶断裂可能的发光二极管芯片及其制备方法-CN202210621771.7在审
发明人：兰叶;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开提供了降低台阶断裂可能的发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作技术领域。发光二极管芯片中，在n型层的表面指向p型层的方向上，使台阶的侧壁与外延片的侧壁之间的最大距离逐渐减小。台阶的侧壁的纵截面为曲线，且曲线包括靠近p型层的第一弧形线段与远离p型层的第二弧形线段，第一弧形线段的一端与第二弧形线段的一端相连且相切，第一弧形线段所对应的圆心位于外延片内，第二弧形线段所对应的圆心位于外延片外。避免应力集中，台阶在靠近p型层与n型层的连接位置处较为平缓且连接面积较大，连接强度大且对于垂直方向的作用力承受度较高，可以降低断裂可能。
降低台阶断裂可能发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]用于减小划道宽度的发光二极管芯片的制备方法-CN202210717977.X有效
发明人：兰叶;王江波;张威 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于减小划道宽度的发光二极管芯片的制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一外延片，所述外延片包括衬底和位于所述衬底上的外延层；在所述外延片远离所述衬底的表面形成掩膜结构，所述掩膜结构包括依次层叠在所述外延片上的第一氧化硅层、金属层、第二氧化硅层；刻蚀所述外延层上未形成所述掩膜结构的区域；去除所述掩膜结构。本公开实施例能改善芯片划道宽度较大的问题，便于芯片进一步微型化。
用于减小宽度发光二极管芯片制备方法

[发明专利]微型发光二极管芯片及其制备方法-CN202210194375.0在审
发明人：兰叶;王江波;朱广敏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法。该微型发光二极管芯片包括：外延结构和导光层；所述外延结构包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述导光层位于所述第二半导体层远离所述第一半导体层的表面，所述外延结构远离所述导光层的表面为出光面；所述导光层包括交替层叠的多层氧化钛层和多层氧化硅层，所述氧化硅层内嵌有多个间隔分布的柱状结构，所述柱状结构沿垂直于所述出光面的方向延伸，所述柱状结构的折射率与所述氧化硅层的折射率不同。本公开能改善芯片之间出现的光串扰的问题，减少侧面出光比例，提升发光效果。
微型发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]提高键合质量的红光二极管芯片制备方法-CN202210305054.3在审
发明人：兰叶;王江波;朱广敏;吴志浩 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了提高键合质量的红光二极管芯片制备方法，属于红光二极管制作领域。在第一氮化硅子层上旋涂液态绝缘玻璃溶液，再在110度～120度的条件下固化液态绝缘玻璃溶液至半固态。液态绝缘玻璃溶液在低温下进行固化，可以保证液态绝缘玻璃溶液在固化过程中释放应力，减小外延材料内部应力对键合层的拉扯与损坏，提高键合质量与发光效率。在第二温度的条件下固化液态绝缘玻璃溶液至固态以得到绝缘玻璃子层，第二温度较150度高100度～150度。最后在绝缘玻璃子层上沉积第二氮化硅子层，可以提高钝化层的密封性，并可以避免使用过程中键合界面的分离。
提高质量红光二极管芯片制备方法

[发明专利]高亮度发光二极管芯片及其制造方法-CN202110604200.8有效
发明人：兰叶;王江波;吴志浩;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种高亮度发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。高亮度发光二极管芯片：所述衬底的第二表面具有开口槽，所述开口槽从所述第二表面延伸至所述衬底的内部，且所述开口槽围绕所述第二表面的外周壁布置；所述高亮度发光二极管芯片还包括设置在所述开口槽内的填充层，所述填充层为掺有金刚石颗粒的氧化硅层。采用该芯片可以使得LED芯片划裂后的各个LED单元的横截面呈现矩形，提高各个LED单元的出光对称性。
亮度发光二极管芯片及其制造方法

[发明专利]微型发光二极管显示阵列及其制作方法-CN202010687807.2有效
发明人：兰叶;李鹏;杨建明;常远;吴志浩 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本公开提供了一种微型发光二极管显示阵列及其制作方法，属于半导体技术领域。所述微型发光二极管显示阵列包括电路板、多个芯片、固定层和保护层，所述多个芯片间隔设置在所述电路板的第一表面上，每个所述芯片包括依次层叠在所述第一表面上的P型电极、空穴提供层、有源层、电子提供层和N型电极，所述固定层和所述保护层依次铺设在从各个所述芯片的电子提供层设置所述N型电极的表面铺设至所述第一表面的连续区域上，所述固定层的柔性沿从所述保护层到所述固定层的方向逐渐增大。本公开有效防止芯片受到环境中的酸性物质或者碱性物质的腐蚀，提高Micro LED显示阵列的可靠性。
微型发光二极管显示阵列及其制作方法

[发明专利]三基色发光二极管芯片及其制备方法-CN202210248488.4在审
发明人：兰叶;王江波;朱广敏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种三基色发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该三基色发光二极管芯片包括依次层叠的基板、外延结构和绝缘结构，所述外延结构包括依次层叠于所述基板上的第一外延层、第二外延层和第三外延层，所述绝缘结构位于所述第三外延层远离所述基板的表面；所述绝缘结构的表面具有多个出光孔，所述多个出光孔包括露出所述第一外延层的第一出光孔、露出所述第二外延层的第二出光孔，露出所述第三外延层的第三出光孔。本公开能提升三基色发光二极管芯片在混色时的均匀性，改善混光效果。
基色发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]外延片、外延片的制备方法和发光二极管芯片-CN202210187796.0在审
发明人：李鹏;兰叶 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本公开提供了一种外延片、外延片的制备方法和发光二极管芯片，属于光电子制造技术领域。该外延片包括蓝宝石衬底和外延层，所述外延层位于所述蓝宝石衬底的表面；所述蓝宝石衬底靠近所述外延层的表面具有多个凸起结构，多个所述凸起结构间隔排布，所述凸起结构的折射率位于所述蓝宝石衬底的折射率和所述外延层的折射率之间。本公开能改善因光子在蓝宝石衬底和外延层的交界处形成全反射，而导致光子无法逃逸的问题，提升发光二极管的发光效率。
外延制备方法发光二极管芯片

[发明专利]微型发光二极管芯片及其制备方法-CN202210193890.7在审
发明人：兰叶;王江波;朱广敏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该微型发光二极管芯片包括：基板、发光结构、第一焊点块、第二焊点块和散射层；发光结构位于基板的表面，散射层位于发光结构远离基板的表面，第一焊点块和第二焊点块均位于散射层的远离基板的表面，第一焊点块和第二焊点块分别与发光结构的两个电极连接；散射层包括绝缘层和多个反射凸起，绝缘层位于发光结构远离基板的表面，多个反射凸起间隔排布在绝缘层远离基板的表面。本公开实施例能提升芯片的侧向光的比例，降低垂直方向的光线比例，以提升芯片的侧面发光强度。
微型发光二极管芯片及其制备方法

[实用新型]三基色发光二极管芯片-CN202122840992.7有效
发明人：兰叶;王江波;朱广敏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种三基色发光二极管芯片，包括：透明基板、外延结构、第一透明导电层、第二透明导电层、第三透明导电层、第一电极、第二电极、第三电极、第四电极；外延结构包括第一外延层、第二外延层和第三外延层，第一外延层、第一透明导电层、第二透明导电层、第二外延层、第三透明导电层和第三外延层依次层叠于透明基板外，第一电极、第二电极、第三电极和第四电极均位于第三外延层远离透明基板的一侧，且第一电极与第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层相连，第二电极与第一外延层相连，第三电极与第二外延层相连，第四电极与第三外延层相连。本公开能缩减三基色发光二极管芯片的尺寸。
基色发光二极管芯片

[发明专利]AlGaInP基红光发光二极管芯片及其制备方法-CN202210087945.6在审
发明人：兰叶;王江波;朱广敏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种AlGaInP基红光发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该AlGaInP基红光发光二极管芯片包括：基板、发光结构、分布式布拉格反射镜层、钝化层、第一焊点块和第二焊点块；发光结构、分布式布拉格反射镜层和钝化层依次层叠在基板上，钝化层上具有露出分布式布拉格反射镜层的第一通孔和第二通孔，第一通孔的孔壁和第二通孔的孔壁具有凹凸结构；第一焊点块位于第一通孔内，且与第一通孔的孔壁贴合，第二焊点块位于第二通孔内，且与第二通孔的孔壁贴合。本公开实施例能改善焊点块与过孔之间产生相对松动的问题，让发光结构良好地固定在芯片内，提升芯片的可靠性。
algainp 红光发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]增强侧面光强的发光二极管芯片及其制造方法-CN202110540609.8有效
发明人：兰叶;王江波;吴志浩 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本公开提供了一种增强侧面光强的发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片的衬底的第二表面上布置有多个尖刺结构，第二表面为与第一表面相对的一面，所述尖刺结构为直角三棱柱，所述直角三棱柱包括第一棱柱面和第二棱柱面，所述第一棱柱面垂直于所述第二表面，所述第二棱柱面连接所述第一棱柱面和所述第二表面，且所述第二棱柱面与所述第二表面之间的夹角为θ，0°＜θ＜90°，每个所述直角三棱柱的所述第二棱柱面均朝向所述衬底的中心线。采用该发光二极管芯片可以增强侧面光强。
增强侧面发光二极管芯片及其制造方法

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