专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体晶片及切割半导体晶片的方法-CN202010673029.1在审
  • 元东勋;李在银;高永权;许埈荣 - 三星电子株式会社
  • 2020-07-14 - 2021-02-23 - H01L21/78
  • 提供了半导体晶片及切割半导体晶片的方法。该切割半导体晶片的方法包括:提供半导体衬底、切割区域和金属屏蔽层,半导体衬底具有在半导体衬底的有源表面上的多个集成电路区域,切割区域提供在所述多个集成电路区域中的相邻的集成电路区域之间,并且金属屏蔽层跨过所述相邻的集成电路区域的至少一部分和切割区域提供在有源表面上;通过沿着切割区域将激光照射到半导体衬底内部来形成改性层;通过抛光半导体衬底的与有源表面相反的无源表面,使裂纹在垂直于金属屏蔽层的长轴方向的方向上从改性层传播;以及通过基于从改性层传播的裂纹分别分离所述相邻的集成电路区域来形成半导体芯片。
  • 半导体晶片切割方法

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