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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构-CN202210147369.X在审
发明人：颜逸飞;冯立伟;陈凯评 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构。绝缘图案至少覆盖间隔节点接触结构的第一开口的侧壁，并且绝缘图案的上表面还往所述第一开口中凹陷以形成凹陷部，使得通过一层膜层即可替代现有的两个膜层构成的绝缘图案，从而省略了现有技术中研磨去除部分厚度的绝缘材料层以及重新形成掩模材料层的步骤，简化了存储器的制备工艺，提高了制备的效率，并且由于形成电容结构时通常会采用到多次研磨工艺使得衬底的表面平坦化，所以即使绝缘图案的表面不平整也不会对存储器的性能产生影响。
半导体结构

[发明专利]存储器及其形成方法-CN202010322638.2有效
发明人：颜逸飞;冯立伟;陈凯评 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器及其形成方法，绝缘图案至少覆盖间隔节点接触结构的第一开口的侧壁并向上延伸至高于所述节点接触结构，绝缘图案的上表面还往所述第一开口中凹陷以形成凹陷部，使得通过一层膜层即可替代现有的两个膜层构成的绝缘图案，从而省略了现有技术中研磨去除部分厚度的绝缘材料层以及重新形成掩模材料层的步骤，简化了存储器的制备工艺，提高了制备的效率，并且由于形成电容结构时通常会采用到多次研磨工艺使得衬底的表面平坦化，所以即使绝缘图案的表面不平整也不会对存储器的性能产生影响。
存储器及其形成方法

[发明专利]动态随机存取存储器-CN201711184388.5有效
发明人：吴婉绮;陈凯评;刘鸿儒 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种动态随机存取存储器，其主要包含一第一位线沿着一第一方向延伸、一第一埋入式字符线沿着一第二方向延伸以及一主动区域重叠部分第一位线以及部分第一埋入式字符线，其中主动区域包含V型。此外，动态随机存取存储器又包含至少一存储节点接触重叠主动区域的一端，其中存储节点接触包含一椭圆形。
动态随机存取存储器

[发明专利]具有接触插塞的半导体结构及其制作方法-CN201710224689.X有效
发明人：冯立伟;王嫈乔;何建廷;陈凯评 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种具有接触插塞的半导体结构及其制作方法，该具有接触插塞的半导体结构包含一基底，基底上定义有一存储器区以及一周边电路区，存储器区内包含有至少一存储单元，存储单元包含有一晶体管和一电容结构，一平坦化第一堆叠介电层覆盖周边电路区，平坦化第一堆叠介电层包含二第一介电层和一第二介电层，第一介电层和第二介电层以第一介电层、第二介电层和第一介电层的顺序由下至上依序排列，其中在最下方的第一介电层延伸至存储器区并且覆盖电容结构，一接触插塞位于周边电路区并且贯穿平坦化第一堆叠介电层。
具有接触半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体装置-CN201710063718.9有效
发明人：冯立伟;王嫈乔;蔡综颖;陈凯评;何建廷 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-02-03 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，包含基底、多个主动区、多个位线与多个虚置位线。基底包含有存储器区与周边区。多个主动区是定义在基底上，而多个位线则是彼此平行且分隔地设置在基底上，并位于存储器区内且横跨主动区。多个虚置位线设置在位线的一侧，虚置位线彼此连接且各虚置位线之间具有不同的间距。
半导体装置

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201710058125.3有效
发明人： 陈凯评;冯立伟;游奎轩;叶秋显 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。首先提供一基底，并于基底中形成至少一沟槽。形成一导电材料填充沟槽后，移除部分导电材料至暴露出基底的上表面和沟槽的顶角和上侧壁。接着进行一掺杂制作工艺，以沿着基底的上表面、沟槽的顶角和上侧壁形成一倒L型的掺杂区。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体存储装置以及其制作方法-CN201710264658.7有效
发明人：吴姿锦;刘玮鑫;陈意维;张家隆;李瑞珉;陈柏均;冯立伟;王嫈乔;吕文杰;何建廷;蔡综颖;陈凯评 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体存储装置以及其制作方法。该半导体存储装置包括一半导体基底、一第一支撑层、一第一电极、一电容介电层以及一第二电极。第一支撑层设置于半导体基底上，第一电极设置于半导体基底上且贯穿第一支撑层。电容介电层设置于第一电极上，而第二电极设置于半导体基底上，且至少部分的电容介电层设置于第一电极与第二电极之间。第一支撑层包括一掺杂碳的氮化物层，且第一支撑层的一下部的碳浓度高于第一支撑层的一上部的碳浓度。
半导体存储装置及其制作方法

[实用新型]存储器-CN202020619094.1有效
发明人：颜逸飞;冯立伟;陈凯评 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种存储器，绝缘图案至少覆盖间隔节点接触结构的第一开口的侧壁并向上延伸至高于所述节点接触结构，绝缘图案的上表面还往所述第一开口中凹陷以形成凹陷部，使得通过一层膜层即可替代现有的两个膜层构成的绝缘图案，从而省略了现有技术中研磨去除部分厚度的绝缘材料层以及重新形成掩模材料层的步骤，简化了存储器的制备工艺，提高了制备的效率，并且由于形成电容结构时通常会采用到多次研磨工艺使得衬底的表面平坦化，所以即使绝缘图案的表面不平整也不会对存储器的性能产生影响。
存储器

[发明专利]形成半导体元件图案的方法-CN201710066194.9有效
发明人： 陈凯评;游奎轩;叶秋显;冯立伟 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-02-06 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成半导体元件图案的方法，其步骤包含在一介电层的第一开口中填满第一自组装材料、相分离该第一自组装材料以形成第一部位以及围绕在该第一部位周围的第二部位、移除该第一部位并进行第一蚀刻步骤，以在一掩模层中形成第一掩模图案、在该掩模层上形成一第二介电层并重复上述步骤，以在该掩模层中形成第二掩模图案，其中该第二掩模图案与该第一掩模图案排列成一共同掩模图案。
掩模图案掩模层半导体元件图案自组装材料蚀刻介电层相分离电层填满移除开口重复

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