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[发明专利]电压采样电路、开关电源及芯片-CN202310827390.9有效
发明人：许同 -专利权人： 上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种电压采样电路、开关电源及芯片。该电压采样电路里包括：电压采集模块，所述电压采集模块的输入端与被测电源电连接，用于采集第一电压信号；电压转换模块，所述电压转换模块的第一输入端与所述电压采集模块的输出端电连接，用于根据反馈电压信号，将所述第一电压信号转换为第二电压信号；控制模块，所述控制模块的输入端与所述电压转换模块的输出端电连接，所述控制模块的输出端与所述电压转换模块的第二输入端电连接，用于根据所述第二电压信号更新输出至所述电压转换模块的所述反馈电压信号。根据本申请实施例，可以提升开关电源的动态响应速度。
电压采样电路开关电源芯片

[发明专利]一种扫描测试电路、方法及芯片-CN202310655330.3有效
发明人：王海金 -专利权人： 上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01R31/3185 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种扫描测试电路、方法及芯片。该扫描测试电路包括待测试电路，监测模块及控制模块，通过复用待测试电路在进行扫描测试时所必需的第一信号输入端，将第一信号输入端与监测模块的测试信号输入端连接，使得测试信号输入待测试电路时可同时输入监测模块而不需要增加额外的输入管脚，降低了扫描测试的成本与设计的复杂度。
一种扫描测试电路方法芯片

[发明专利]一种用于协助硅后测试的芯片测试方法-CN202311008237.X在审
发明人：毛焰烽;历广绪;陈哲;张俊 -专利权人： 上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路测试领域，公开了一种用于协助硅后测试的芯片测试方法，可以大幅降低硅后测试难度。该方法包括：获取项目的模式描述文本。基于模式描述文本，通过脚本生成器调用功能仿真模板生成功能仿真用例。使用功能仿真用例进行寄存器转换级电路功能仿真，若功能仿真不通过则更正模式描述文本，再次生成寄存器转换级电路仿真用例，进行功能仿真，直至功能仿真通过。使用通过功能仿真的模式描述文本通过脚本生成器调用硅后测试模板生成与功能仿真用例同源的硅后测试用例。以及，使用硅后测试用例进行硅后测试。
一种用于协助测试芯片方法

[发明专利]一种芯片多版本的验证方法-CN202310982153.X在审
发明人：毛焰烽;陈哲;陆小艳;张俊 -专利权人： 上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，公开了一种芯片多版本的验证方法，可以用极少测试用例完成芯片多版本验证。该方法包括生成包含所有芯片版本信息和用户寄存器信息的父类。基于父类生成包含芯片版本约束关系、用户模式约束关系以及应用场景约束的子类，用户模式约束关系为芯片功能点与用户寄存器配置之间的约束关系。基于子类，根据验证的功能点，约束当前功能点必须配置信息，随机配置非必需芯片功能点，根据子类内的约束关系，自动随机选择对应的芯片版本、用户场景、寄存器配置信息，共同构成当前验证测试用例的所有激励信息，激励信息按照既定方式发送到待测模块的同时，自动触发对应的覆盖率并记录，此用例随机多次，直至覆盖率达到预设目标结束验证。
一种芯片版本验证方法

[发明专利]一种差分放大器共模抑制比和增益修调电路-CN202010420668.7有效
发明人：张俊;张泽飞 -专利权人： 上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本申请涉及一种差分放大器共模抑制比和增益修调电路，该电路包括：差分放大器的反相输入端与输出端之间连接第一输出电阻和第二输出电阻，差分放大器的同相输入端与参考电压之间连接第三输出电阻和第四输出电阻；所述第一输出电阻和所述第二输出电阻之间的节点与所述第三输出电阻和所述第四输出电阻之间的节点之间连接T型修调电阻；其中，所述T型修调电阻包括：依次连接的正向高位修调电阻串、正向低位修调电阻串、负向低位修调电阻串和负向高位修调电阻串。
一种差分放大器抑制增益电路

[发明专利]集成电路封装框架-CN202310649927.7在审
发明人：王玲;夏晨;张泽飞 -专利权人： 上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路，公开了一种集成电路封装框架，在同样规格的封装中可以提供更好的散热性能。该封装框架包括：片状的基岛，芯片，散热片和两个连接筋；基岛的第一面与芯片贴合，散热片配置在基岛的第二面，芯片和散热片的覆盖范围均在基岛的覆盖范围之内；基岛总体上呈矩形轮廓，该矩形轮廓两条相对边的中部各自形成向基岛中心凹陷的内凹结构，两个连接筋分别在两个内凹结构内与基岛连接；基岛的第一面的一个角设置有局部电镀区域，局部电镀区域与芯片之间以预定的安全距离隔开，局部电镀区域的覆盖范围有部分与散热片的覆盖范围重合，局部电镀区域的打线位置位于重合部分。
集成电路封装框架

[实用新型]用于电压转换模块的控制电路及电压转换电路-CN202321787115.0有效
发明人：许同 -专利权人： 上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种用于电压转换模块的控制电路及电压转换电路。其中，该用于电压转换模块的控制电路可以包括：第一控制模块，第二控制模块和与门；第一控制模块的第一输出端与电压转换模块的第一控制端电连接，第一控制模块的第二输出端与与门的第一输入端电连接；第二控制模块的第一输出端与与门的第二输入端电连接，与门的输出端与电压转换模块的第二控制端电连接。本申请实施例的技术方案，在电压转换模块从异步整流模式切换为同步整流模式时，可以减小输出电流的变化。
用于电压转换模块控制电路电路

[发明专利]控制信号的生成装置-CN202310681523.6在审
发明人：潘忠峰;罗明;张维承;李宏斌 -专利权人： 上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本申请提供一种控制信号的生成装置，该生成装置包括：第一单元、第二单元和第三单元。该生成装置可以生成占空比从0逐渐变大至100％的控制信号，或者生成输出脉冲宽度逐渐变大的控制信号。从而，使得高边开关根据该控制信号向大容值的电容提供逐渐变大的电流，使得高边开关的带负载能力逐渐增强。
控制信号生成装置

[发明专利]一种温度传感器及其制作方法、半导体器件和芯片-CN202310552063.7在审
发明人：王建;张维承;张俊;张泽飞 -专利权人： 上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种温度传感器及其制作方法、半导体器件和芯片。该温度传感器包括：衬底、外延层、第一接触区、层间介质层和金属层；衬底和外延层掺杂有第一类型的离子；外延层形成于衬底的表面；第一接触区形成于外延层的表面，并从外延层的表面延伸至外延层的内部；第一接触区掺杂有第二类型的离子；第一类型的离子与第二类型的离子的极性相反；在外延层的表面一侧依次叠放设置层间介质层和金属层。如此，在金属层与衬底之间设置了第一接触区，第一接触区与衬底的掺杂类型不同，相当于在金属层与衬底之间连接了一个PN结，根据PN结的偏置电压与温度的对应关系，可以确定出电路元件当前的工作温度，从而实现对电路元件的工作温度的精确检测。
一种温度传感器及其制作方法半导体器件芯片

[发明专利]一种用于增强运算放大器压摆率的电路-CN202010243280.4有效
发明人：张俊;郭朝亮 -专利权人： 上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H03F1/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于增强运算放大器压摆率的电路，所述电路包括信号控制电路和电流产生电路，所述电流产生电路生成第一、第二和第三辅助电流，所述第一辅助电流设置在运算放大器的电源端与同相输出端之间，所述第二辅助电流设置在所述运算放大器的同相输出端与地端之间，所述第三辅助电流设置在所述运算放大器的所述电源端与反相输出端之间；通过所述信号控制电路控制所述第一、第二和第三辅助电流的导通和关断。
一种用于增强运算放大器压摆率电路

[发明专利]用于测量感应温度的二极管的电压的电路-CN202310078666.8在审
发明人：张维承 -专利权人： 上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路技术领域，公开了一种用于测量感应温度的二极管的电压的电路。所述二极管的阴极耦合到电压源，阳极通过偏置电流源耦合到电荷泵电源，所述电路包括：运算放大器，其第一输入端通过一单位电阻耦合到所述二极管的阳极，第二输入端耦合到所述二极管的阴极；第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的栅极耦合到所述运算放大器的输出端，所述第一PMOS晶体管的源极耦合到所述运算放大器的第一输入端和与其耦合的所述单位电阻之间；第一NMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的漏极耦合到所述第一NMOS晶体管的漏极和栅极，所述第一NMOS晶体管的漏极耦合到地端；补偿单元。本申请将二极管上的电压差从高压侧转换到低压侧，精度更高，功耗更低。
用于测量感应温度二极管电压电路

[发明专利]方向盘离手检测装置、方向盘和车辆-CN202210440625.4在审
发明人：许同;李强;朱天豪;彭岳华;王懿;邹开贺;王蕾;陶佳申;董吴斌;李瑄 -专利权人： 上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B62D1/04 文献下载
摘要：本申请涉及汽车技术领域，公开了一种方向盘离手检测装置、方向盘和车辆，解决现有方向盘离手检测无法确定是单手离手还是双手离手以及哪只手离手的问题。该方向盘离手检测装置设置于方向盘骨架内部的第一和第二导电体、设置于方向盘骨架外部的第三和第四导电体和控制单元；该第一导电体和该第三导电体的相对部分形成第一电容，该第二导电体和该第四导电体的相对部分形成第二电容，控制单元根据该第一和第二电容的电容量变化判断用户哪只手处于离手状态或两只手同时处于离手状态。
方向盘检测装置车辆

[发明专利]一种方向盘离手检测系统-CN202211193548.3在审
发明人：朱天豪;魏敦楷;李强;许同;历广绪 -专利权人： 上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B62D15/02 文献下载
摘要：本申请涉及汽车方向盘领域，公开了一种方向盘离手检测系统，可以根据电压的值或值的变化确定是否方向盘离手。该系统包括：交流电流源，被配置为输出第一频率的电流大小恒定的交流电流；第一电极层和第二电极层；检测电路，被配置为检测第一频率的电压，检测电路的两个输入端分别耦合到交流电流源的两个输出端；交流电流源的两个输出端分别耦合到第一电极层和第二电极层；第一电极层和第二电极层中至少一个被配置在方向盘上；当人手握住方向盘时，交流电流源、第一电极层、人体和第二电极层形成交流回路；当人手离开方向盘时，交流回路断开。
一种方向盘检测系统

[发明专利]振荡器结构及包括振荡器结构的模数转换系统-CN202211664152.2在审
发明人：张俊;吴永一;徐炜罡 -专利权人： 上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H03B5/24 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路领域，公开一种振荡器结构及包括振荡器结构的模数转换系统，该结构包括：比较器，其第一输入端连接第一电容的一端和第一电源端并通过开关连接地端；参考电压生成电路，其包括第一电阻，第一电阻的一端连接第二电源端并提供参考电压；电压反馈环路，其包括运算放大器、第二电阻和第二电容，运算放大器的第一输入端接收参考电压，运算放大器的输出端连接比较器的第二输入端，第二电阻的一端连接运算放大器的第二输入端，第二电阻的另一端连接比较器的第一输入端，第二电容的一端连接运算放大器的第二输入端，第二电容的另一端连接比较器的第二输入端。本申请可以消除比较器延时和失调，以较小功耗实现高精度。
振荡器结构包括转换系统

[发明专利]模数转换器-CN202211664154.1在审
发明人：徐炜罡;张俊;吴永一 -专利权人： 上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路领域，公开一种模数转换器，包括：积分器与积分器耦合的子模数转换结构，其包括：比较器阵列以及电阻网络，比较器阵列包括2n‑1个比较器，每一个比较器的第一输入端均连接输入电压，每一个比较器的输出端连接译码器。电阻网络包括串联的2n‑1‑1个2R电阻，2n‑1‑1个2R电阻中每一个2R电阻依次连接在2n‑1个比较器中相邻比较器的第二输入端之间，第一个2R电阻的一端分别通过第一控制开关以及一个R电阻和第二控制开关连接第一参考电压，最后一个2R电阻的一端分别通过一个2R电阻和第一控制开关以及一个R电阻和第二控制开关连接第二参考电压。本申请可以显著的减小子ADC的功耗和面积，使得sigma‑delta ADC整体功耗和面积可以进一步减小。
转换器

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