|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 87个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体器件-CN202310872727.8在审
-
张力;吴文杰;张凌芳;黄秋凯;赵晨
-
矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
-
2023-07-14
-
2023-10-10
-
H01L29/778
- 本申请提供一种半导体器件，包括第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极、第二栅极、第一漏极以及第一源极。第二晶体管包括第二漏极、第三栅极以及第二源极。第二漏极电连接第一源极，并作为半导体器件的源极。第三栅极电连接第二栅极，并作为半导体器件的栅极。第二源极电连接第一栅极。第一漏极作为半导体器件的漏极。透过第一晶体管的第一栅极和第二栅极配置及第一晶体管的第一栅极和第二晶体管的第二源极连接，消除第一晶体管的栅极浮空，进而稳定第一晶体管的阈值电压，同时有效防止第一晶体管的误开启且不会带来整体电阻和栅电流的增加。可透过调节第二晶体管的阈值电压，调节整体半导体器件的阈值电压。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体结构-CN202310887251.5在审
-
张力;吴文杰;赵晨;黄秋凯
-
矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
-
2023-07-18
-
2023-09-19
-
H01L29/778
- 本发明公开了一种半导体结构，包括：半导体器件和功率器件，所述半导体器件包括两个栅极、一个源极和一个漏极；所述功率器件包括一个栅极、一个源极和一个漏极；所述半导体器件的第一栅极与所述半导体器件的源极连接，作为所述半导体结构的栅极；所述半导体器件的第二栅极与所述功率器件的源极连接，作为所述半导体结构的源极；所述半导体器件的漏极与所述功率器件的栅极连接；所述功率器件的漏极作为所述半导体结构的漏极。在半导体结构的栅极施加电压，该电压需要先开通半导体器件的第一栅极G1下方的沟道的阈值电压，然后该电压才能用于开通功率器件栅极下方沟道阈值电压，因此，半导体结构的实际栅极阈值电压就被提高了。
- 半导体结构
- [发明专利]支撑装置及收纳装置-CN202310685483.2在审
-
刘春峰;刘国华;黄秋凯
-
荣耀电子材料（重庆）有限公司
-
2023-06-09
-
2023-07-28
-
H01L21/673
- 本申请提供了一种支撑装置及收纳装置，涉及半导体运输包装技术领域，包括：第一支撑部，第一支撑部用于为片体提供支撑；第一固定机构和第二固定机构，第一固定机构和第二固定机构连接于第一支撑部的彼此相对的两侧；第一固定机构的与第一支撑部的连接位置中包括和第二固定机构的与第一支撑部的连接位置不同的位置。根据本申请提供的支撑装置，在第一支撑部支撑片体时，第一固定机构能够以不同于第二固定机构的方式来分散由第一支撑部传递而来的力。支撑装置反而因为不对称的设置而使得第一支撑部上的受力更为分散，这进而使得第一支撑部的形变量减小。根据本申请提供的支撑装置，能够确保稳定地支撑全部晶片，避免晶片出现晃动而导致晶片受损。
- 支撑装置收纳
- [发明专利]封装结构-CN202211489200.9在审
-
杨向东;胡志亮;乔扬;叶佳明;黄秋凯
-
西安矽力杰半导体技术有限公司
-
2022-11-25
-
2023-04-04
-
H01L23/31
- 本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种封装结构，包括至少一个第一类型晶片和至少一个第二类型晶片，每一第一类型晶片和每一第二类型晶片之间需要进行隔离；至少一个金属连接结构，第一类型晶片被放置于一相应的金属连接结构的上表面，第二类型晶片被放置于另一相应的金属连接结构的上表面；引线框架，第一类型晶片和第二类型晶片的部分电极与引线框架连接；至少一个电容单元，用于实现第一类型的晶片和第二类型的晶片之间的隔离，塑封体，用以包封所述第一类型晶片、第二类型晶片、金属连接结构、电容单元和引线框架，并裸露部分引线框架作为所述封装结构的引脚。将隔离电容不放置在晶片上，降低了隔离芯片的生产成本，提高了可靠性。
- 封装结构
|
