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[发明专利]一种半导体激光器-CN202310711690.0在审
发明人：曾越;黄少华;李明逵;叶涛;曹少威;黄瀚之;颜同伟;邱若生;杜明伟 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体激光器，包括衬底，外延结构和欧姆接触层，而外延层又包括N型半导体层、有源层和P型半导体层，P型半导体层远离有源层的一端具有向上凸起的脊形部。其中，脊形部靠近欧姆接触层一侧的上表面含有Sn原子。本申请通过将Sn原子引入至脊形部，并利用Sn原子与脊形部内的其他金属原子之间可以共价结合多出空穴，使脊形部内靠近上表面一侧的空穴载流子浓度得到进一步提高，进而在半导体激光器正向导通时，使脊形部内能够拥有更多的空穴载流子参与导电，有利于降低欧姆接触层与脊形部之间的接触电阻，改善半导体激光器的电流传输效率的作用，提高半导体激光器的光电转换效率。
一种半导体激光器

[发明专利]一种半导体激光器-CN202310627562.8在审
发明人：曾越;黄少华;李明逵;叶涛;曹少威;黄瀚之;颜同伟;张中英;蔡吉明 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体激光器，包括衬底、外延结构和第一阻挡层，外延结构包括自下而上层叠设置的第一限制层、第一波导层、有源区、第二波导层和第二限制层。其中，第二限制层和部分第二波导层被设置为沿远离衬底的方向竖直延伸的凸起，以形成脊形部，并在脊形部两侧的第二波导层上形成台阶区。通过将脊形部的底端设置在第二波导层上，以在半导体激光器正向导通时减小载流子向有源区内的注入时的注入面积，提高载流子的注入效率。同时，将第二阻挡层设置在台阶区及脊形部的侧壁上，可以有效阻止部分载流子向脊形部的两侧扩散而导致的漏电，或自脊形部的两侧注入有源区，进一步提高载流子的注入效率，达到提高半导体激光器输出功率的目的。
一种半导体激光器

[发明专利]一种半导体激光元件-CN202310516004.4有效
发明人：曾越;黄少华;李明逵;颜同伟;曹少威;黄瀚之;叶涛 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体激光元件，包括：基板；半导体叠层，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述第二半导体层表面形成有脊部；所述半导体叠层包括与所述脊部侧表面连接第一台面和与靠近所述基板第一侧表面或所述基板第二侧表面的第二台面，所述第一台面暴露出所述第二半导体层部分表面，所述第二台面暴露出所述第一半导体层部分表面；其中，所述半导体叠层还包括暴露出所述第一半导体部分表面的连接面、第一段侧壁及第二段侧壁，所述第一台面与所述连接面之间具有所述第一段侧壁，所述第二台面和所述连接面之间具有所述第二段侧壁，所述第一段侧壁的长度大于或者等于所述第二段侧壁的长度。
一种半导体激光元件