“黄毓杰”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果20个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]生物场效晶体管装置、微流体系统及其使用方法-CN201910023425.7有效
发明人：张华伦;黄睿政;陈东村;黄毓杰;萧怡馨 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G01N33/53 文献下载
摘要：本公开提供一种用于生物感测的生物场效晶体管装置、微流体系统以及使用生物场效晶体管装置的方法。微流体系统包括：半导体衬底，具有第一表面以及相对平行第二表面；第一生物场效晶体管(bioFET)传感器；以及第二bioFET传感器。界面层设置于第一开口以及第二开口中的至少每一个中。系统包括具有差分放大器的读出电路，差分放大器设计成测量与第一bioFET传感器以及第二bioFET传感器相关联的信号之间的差值。系统还包括微流体网络，微流体网络设计成将流体传递到设置于第一开口以及第二开口中的每一个中的界面层。
生物晶体管装置流体系统及其使用方法

[发明专利]包括生物敏感场效应晶体管的感测电路及操作方法-CN202011456892.8有效
发明人： 黄毓杰;黄睿政;谢正祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种感测电路，包括：生物敏感场效应晶体管(BioFET)，该晶体管包括：衬底，具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述衬底具有源极区和漏极区，第一控制栅极，设置在所述衬底的所述第一侧上，以及第二控制栅极，设置在所述衬底的所述第二侧上，所述第二控制栅极包括在所述衬底的所述第二侧上设置的感测膜；以及存储单元，耦合至所述第一控制栅极并且配置为存储所述第一控制栅极的第一阈值电压和所述第二控制栅极的第二阈值电压之间的差值。本发明的实施例还提供了一种用于操作晶体管的方法。
包括生物敏感场效应晶体管电路操作方法

[发明专利]生物传感器系统和用生物传感器系统分析测试样品的方法-CN202110736687.5在审
发明人： 黄毓杰;黄睿政;萧怡馨 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：生物传感器系统包括生物传感器阵列以及位于生物传感器附近的多个电极。控制器配置为选择性地激励多个电极以生成DEP力，以相对于生物传感器的阵列选择性地定位测试样品。本发明的实施例还涉及使用生物传感器系统分析测试样品的方法。
生物传感器系统系统分析测试样品方法

[发明专利]一种小分子抑制剂在制备抗肿瘤药物方面的应用-CN202011291709.3有效
发明人：钟根深;王怡春;吴敏娜;林斌;黄毓杰;齐劲松 -专利权人：新乡医学院
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： A61K31/4439 文献下载
摘要：本申请属于生物医药领域，具体涉及一种分化抑制因子2，即ID2抑制剂及其在制备脑胶质瘤药物方面应用的专利申请事宜。本研究通过计算机药效团虚拟筛选技术及CCK‑8细胞毒性实验得到了一种有效的ID2抑制剂。经表面等离子共振技术检测抑制剂与ID2具有高度亲和力。体内外实验表明，本抑制剂能降低胶质瘤中ID2的表达并显著抑制胶质瘤细胞的增殖，具有潜在的临床应用前景。
一种分子抑制剂制备肿瘤药物方面应用

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN202110502080.0在审
发明人：陈东村;萧怡馨;黄睿政;黄毓杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)包括位于半导体层中的源极区和漏极区。沟道区位于源极区与漏极区之间。传感阱位于半导体层的背面上和沟道区的上方。互连结构位于半导体层的与半导体层的背面相对的正面上。生物传感膜内衬于传感阱并与传感阱的由半导体层限定的底面接触。选择性结合剂的涂层位于生物传感膜上方并配置为与心肌细胞结合。本发明的实施例还涉及制造集成电路的方法。
集成电路及其制造方法

[发明专利]集成电路和制造集成电路（IC）结构的方法-CN202110671796.3在审
发明人： 黄毓杰;陈重辉;黄睿政;陈东村 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：电路包括热电结构和能量器件。热电结构包括：导线以及p型区域和n型区域，位于衬底的前侧上，导线配置为将p型区域电耦接至n型区域；第一通孔，配置为将p型区域热耦接至衬底背侧上的第一电源结构；以及第二通孔，配置为将n型区域热耦接至衬底背侧上的第二电源结构。能量器件电耦接至第一电源结构和第二电源结构的每个。本申请的实施例还涉及集成电路和制造集成电路(IC)结构的方法。
集成电路制造 ic 结构方法

[发明专利]生物传感器装置、半导体生物传感器器件及其操作方法-CN202110129498.1在审
发明人： 黄毓杰;黄睿政;张华伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种生物传感器装置、半导体生物传感器器件及其操作方法。生物传感器装置包括生物传感器器件和被配置为附接到生物传感器器件的盖。该生物传感器装置包括布置在用户皮肤上方的表面部分和注入用户皮肤中的可植入部分。可植入部分包括弯曲检测器和传感电路。感测电路包括生物标记传感器阵列、控制生物标记传感器阵列、温度传感器和/或生物污垢检测器中的一个或多个。
生物传感器装置半导体器件及其操作方法

[发明专利]生物传感器系统封装件及其制造方法-CN202110129692.X在审
发明人：张华伦;黄睿政;戴文川;黄毓杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：生物传感器系统封装件包括：在具有正面和背面的半导体层中的晶体管结构，该晶体管结构包括沟道区；在半导体层的正面上的多层互连(MLI)结构，晶体管结构电连接到MLI结构；在MLI结构上的载体衬底；第一贯穿衬底通孔(TSV)结构，延伸穿过载体衬底并且被配置为提供MLI结构与单独管芯之间的电连接；在半导体层的背面上的埋氧(BOX)层，其中，埋氧层在沟道区的背面上具有开口，并且界面层在沟道区上方覆盖背面；以及附接到埋氧层的微流体沟道帽结构。本申请的实施例还涉及制造生物传感器系统封装件的方法。
生物传感器系统封装及其制造方法

[发明专利]生物传感器系统封装件及其制造方法-CN202110129817.9在审
发明人：张华伦;黄睿政;戴文川;黄毓杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：生物传感器系统封装件，包括：晶体管结构，位于具有前侧和背侧的半导体层中，晶体管结构包括沟道区域；埋氧(BOX)层，位于半导体层的背侧上，其中，埋氧层具有位于沟道区域的背侧上的开口，并且界面层覆盖沟道区域上方的背侧；多层互连(MLI)结构，位于半导体层的前侧上，晶体管结构电连接至MLI结构；以及覆盖结构，附接至埋氧层，覆盖结构包括微针。本申请的实施例还涉及制造生物传感器系统封装件的方法。
生物传感器系统封装及其制造方法

[发明专利]BioFET系统及其操作方法-CN202110466210.X在审
发明人： 黄毓杰;黄睿政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种生物场效应晶体管(bioFET)系统及其操作方法，该bioFET系统包括：配置为接收第一电压信号并输出电流信号的bioFET。对数电流时间转换器连接至bioFET，并且配置为接收电流信号并将电流信号转换为时域信号。时域信号相对于电流信号呈对数地变化，使得时域信号相对于第一电压信号呈线性地变化。
biofet 系统及其操作方法

[发明专利]生物传感器-CN202110334068.3在审
发明人：萧怡馨;黄睿政;黄毓杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明实施例涉及生物传感器。根据本发明的一些实施例，一种生物传感器包含：半导体层，其具有第一表面及与所述第一表面对置的第二表面；FET装置，其在所述半导体层中；隔离层，其在所述半导体层的所述第一表面上方；电介质层，其在所述隔离层及所述半导体层的所述第一表面上方；及一对第一电极及一对第二电极，其在所述电介质层上方且彼此分离。所述隔离层具有基本上与所述FET装置对准的矩形开口。所述矩形开口具有一对第一侧及一对第二侧。所述一对第一侧的延伸方向垂直于所述一对第二侧的延伸方向。所述一对第一电极安置于所述一对第一侧上方，且所述一对第二电极安置于所述一对第二侧上方。
生物传感器

[发明专利]双栅极生物敏感场效应晶体管及阈值校准方法-CN201611047224.3有效
发明人： 黄毓杰;黄睿政;谢正祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种生物敏感场效应晶体管包括衬底、第一控制栅极和第二控制栅极。衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧、源极区和漏极区。在衬底的第一侧上设置第一控制栅极。在衬底的第二侧上设置第二控制栅极。第二控制栅极包括在衬底的第二侧上设置的感测膜。源极区和第二控制栅极之间偏置的电压小于第二控制栅极的阈值电压。本发明的实施例还提供了一种用于传感阵列的阈值失配校准的方法。
栅极生物敏感场效应晶体管阈值校准方法

[发明专利]用于流体分析的盒和分析仪-CN201710561316.1有效
发明人：黄睿政;温清华;陈东村;谢正祥;黄毓杰;林璟晖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明描述了流体盒和操作方法。流体盒包括具有设计为与分析仪电连接的多个接触焊盘的衬底、具有传感器阵列的半导体芯片和参考电极。流体盒包括具有入口并连接至第二流体沟道的第一流体沟道，对准第二流体沟道从而使得传感器阵列和参考电极设置在第二流体沟道内。在第一入口处设置第一插塞。第一插塞包括配置为被毛细管穿过而不会使流体通过第一插塞泄漏的柔性材料。本发明还提供了用于分析流体的分析仪。
用于流体分析

[发明专利]BioFET器件及其制造方法和传感器阵列-CN201711281901.2有效
发明人：黄睿政;张仪贤;温清华;郑创仁;黄士芬;陈东村;黄毓杰;林璟晖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：bioFET器件包括具有第一表面和与第一表面相对、平行的第二表面的半导体衬底以及半导体衬底上的多个bioFET传感器。每个bioFET传感器均包括形成在半导体衬底的第一表面上的栅极以及形成在栅极下面的半导体衬底内和半导体衬底中的源极/漏极(S/D)区域之间的沟道区域。沟道区域包括半导体衬底的第二表面的部分。隔离层设置在半导体衬底的第二表面上。隔离层具有位于多个bioFET传感器的多于一个bioFET传感器的沟道区域上方的开口。界面层设置在开口中的多于一个bioFET传感器的沟道区域上。本发明的实施例涉及BioFET器件的制造方法和传感器阵列。
biofet 器件及其制造方法传感器阵列

[发明专利]用于BIOFET传感器的数字时域读出电路及其操作方法-CN201711291342.3有效
发明人： 黄毓杰;黄睿政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明的实施例描述了各个bioFET传感器读出电路及其操作方法。读出电路包括级联连接的多个逻辑门、延迟提取器和计数模块。多个逻辑门的每个逻辑门包括至少一个bioFET传感器。延迟提取器被设计为基于来自多个逻辑门的输出信号与参考信号之间的时间差产生脉冲宽度信号。计数模块被设计为接收脉冲宽度信号并且输出与脉冲宽度信号的宽度相对应的数字计数。
用于 biofet 传感器数字时域读出电路及其操作方法

1
2
下一页»
尾页
共 20 条