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[发明专利]一种具有高反射电极的LED芯片及其制备方法-CN201410596755.2有效
发明人：易翰翔;郝锐;吴魁;黄惠葵 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高反射电极的LED芯片，包括生长在衬底上的n型半导体层、多量子阱有源区和p型半导体层，n型半导体层制作有n型电极，p型半导体层上制作p型电极，其特征在于所述的p型电极包括依次制作在p型半导体层上的透明导电层、粘附性电流阻挡层、金属反光层、金属粘附层、金属接触层和绝缘保护层，同时介绍了该LED芯片的制作方法。本发明利用高反射率金属反光层减少金属电极对光的吸收，又把大量的光反射到其他发光表面，提高光的萃取效率，同时利用粘附性电流阻挡层解决电流拥堵问题，提高电流注入的均匀性，避免局部过热，而粘附性电流阻挡层能提高与反射金属的粘附性，最终综合提高了LED的发光效率和使用寿命。
一种具有反射电极 led 芯片及其制备方法

[发明专利]氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法-CN201610122812.2在审
发明人：庄家铭;徐宸科;黄惠葵;范慧丽 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓基半导体生长衬底，其包括：基板；晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜(Diamond-LikeCarbon，简称DLC)构成；晶格转换层，形成于晶格缓冲层，其为多晶结构，晶格系数介于GaN与DCL之间。利用DCL与氮化物的组合，克服了石英玻璃或金属基板等普通基板用于生长氮化镓基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配等问题，从而降低了现有氮化镓基半导体生长衬底的成本，同时提高了其后续生长的氮化镓基半导体材料的质量。
氮化半导体生长衬底及其制作方法

[实用新型]一种具有高反射电极的LED芯片-CN201420638989.4有效
发明人：易翰翔;郝锐;吴魁;黄惠葵 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有高反射电极的LED芯片，包括生长在衬底上的n型半导体层、多量子阱有源区和p型半导体层，n型半导体层制作有n型电极，p型半导体层上制作p型电极，其特征在于：所述的p型电极包括依次制作在p型半导体层上的透明导电层、粘附性电流阻挡层、金属反光层、金属粘附层、金属接触层和绝缘保护层，同时介绍了该LED芯片的制作方法。本实用新型利用高反射率金属反光层减少金属电极对光的吸收，又把大量的光反射到其他发光表面，提高光的萃取效率，同时利用粘附性电流阻挡层解决电流拥堵问题，提高电流注入的均匀性，避免局部过热，而粘附性电流阻挡层能提高与反射金属的粘附性，最终综合提高了LED的发光效率和使用寿命。
一种具有反射电极 led 芯片

[实用新型]一种易于识别的用于LED制作的光罩版-CN201220377465.5有效
发明人：古杰辉;庄家铭;黄惠葵;王安平;范慧丽 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-08-01 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种易于识别的LED芯片的光罩版，即在光罩版的空白区添加放大版的芯粒图形和放大版的对准标志点，可实现在进行光罩作业时，通过放大版的芯粒图形获得一个简单直观的光罩版形象，从而可以有效地降低用错光罩版的异常可能，提高芯片制程的良率。
一种易于识别用于 led 制作光罩版

[实用新型]一种用于监控LED外延和芯片前段制程的光罩版模组-CN201220377478.2有效
发明人：古杰辉;庄家铭;黄惠葵;王安平;范慧丽 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-08-01 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于监控LED外延和芯片前段制程的光罩版模组，即在光罩版的预设位置添加需要测量参数的单元图案，分别用于监控P型外延层、N型外延层、电流扩展层等结构层性能，通过规划设计抽测间距，使抽测时必然会抽测到这些预设位置，这样即可实现监控外延质量、电流扩展层等结构层的质量，在发生异常时，可以简单地初步判定异常的主要原因，在制程正常时也可以监控各种参数并及时优化相关工序。
一种用于监控 led 外延芯片前段光罩版模组

[实用新型]具有反射电极的发光二极管-CN201220172264.1有效
发明人：庄家铭;王振祖;黄惠葵;范慧丽;王安平 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有反射电极的发光二极管，其包括：包括发光外延层，其包括第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的发光层，其特征在于：还包括电极结构，其由一金电极和一镍反射层构成，所述镍反射层将所述整个金电极包裹起来。本实用新型使用化学镀镍的方式将整个金属电极包裹起来，这样发射到金属电极上的光被吸收的部分将减少，而反射出的光将增加，从而增加出光。经过实验验证，可以提高约5%的光强。
具有反射电极发光二极管

[实用新型]复合式氮化镓基半导体生长衬底-CN201220096939.9有效
发明人：庄家铭;王振祖;黄惠葵;范慧丽 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合式氮化镓基半导体生长衬底，其包括：基板；晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜(Diamond-LikeCarbon，简称DLC)构成；晶格转换层，形成于晶格缓冲层，其为多晶结构，晶格系数介于GaN与DCL之间。利用DCL与氮化物的组合，克服了石英玻璃或金属基板等普通基板用于生长氮化镓基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配等问题，从而降低了现有氮化镓基半导体生长衬底的成本，同时提高了其后续生长的氮化镓基半导体材料的质量。
复合氮化半导体生长衬底

[发明专利]复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法-CN201210067966.8有效
发明人：庄家铭;王振祖;黄惠葵;范慧丽 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合式氮化镓基半导体生长衬底，其包括：基板；晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜(Diamond-LikeCarbon，简称DLC)构成；晶格转换层，形成于晶格缓冲层，其为多晶结构，晶格系数介于GaN与DCL之间。利用DCL与氮化物的组合，克服了石英玻璃或金属基板等普通基板用于生长氮化镓基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配等问题，从而降低了现有氮化镓基半导体生长衬底的成本，同时提高了其后续生长的氮化镓基半导体材料的质量。
复合氮化半导体生长衬底及其制作方法