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[发明专利]一种金属剥离优化的方法-CN202310452853.8在审
发明人：李景浩;李慧敏;钟伟华;林武;鲁日彬;李家昌;彭足超 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属剥离优化的方法，属于半导体电子技术领域，在金属剥离处理中降低底切角的角度为70～80°和/或提高掩膜层的厚度为本发明提供的金属剥离优化的方法使得撕金易剥离，撕金效果更优且成本较低。
一种金属剥离优化方法

[实用新型]一种刻蚀盘转移装置-CN202222908060.6有效
发明人：郑恺;张峰;牛冯娜;杨小贞;鲁日彬 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B62B3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种刻蚀盘转移装置，所述隔离板水平且设置在机架上；所述隔离板设有多个，所述隔离板上表面两侧边沿设有立板，相邻的所述隔离板通过立板层叠设置；所述隔离板上表面设有放置槽，所述刻蚀盘设置在放置槽内，所述刻蚀盘上表面设有固定槽；在相邻的所述隔离板之间设有固定柱，所述固定柱下端插设于在下的隔离板上的刻蚀盘的固定槽内，上端固定连接在上的隔离板的下表面。本实用新型的有益效果在于：本实用新型提供的刻蚀盘转移装置中，移动机架可一次性转运多个刻蚀盘，刻蚀盘在所述刻蚀盘转移装置中设置稳定。
一种刻蚀转移装置

[发明专利]一种LED芯粒刻蚀方法-CN202211533079.5在审
发明人： 鲁日彬;林武;钟伟华;李慧敏;李景浩;蔡武;李家昌 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开一种LED芯粒刻蚀方法，按照预设腔体制程温度对芯粒进行刻蚀，得到最终刻蚀后的芯粒，所述预设腔体制程温度小于0℃；使用氮气对所述最终刻蚀后的芯粒进行吹扫，得到芯粒成品，通过降低腔体制程温度以及将刻蚀后的吹扫气体改为氮气，能够降低刻蚀速率，提高刻蚀稳定性，从而提高刻蚀均匀性，使得片源的金属刻蚀深度处于所设定的区间内，不会出现区域过蚀刻，避免底层金属裸露与后续制程过程中的液体接触而造成金属氧化，防止了刻蚀后裸露的金属氧化。
一种 led 刻蚀方法

[发明专利]一种干法刻蚀方法-CN202211272272.8在审
发明人：钟伟华;林武;鲁日彬;李景浩;李慧敏;蔡武;黄友鑫;李家昌 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B08B5/00 文献下载
摘要：本发明公开一种干法刻蚀方法，在腔体内使用氧气产生自由原子；吹扫去除所述自由原子，得到清洁后的腔体；在所述清洁后的腔体内对片源进行干法刻蚀；干法刻蚀完成后，在所述腔体内使用氮气吹扫，利用氧气自由原子以化学方法蚀除有机物的同时，不会刻蚀基片，再通过吹扫清除刻蚀残留物，在刻蚀完成后进行氮气吹扫，有效去除吸附在片源表面的刻蚀残留气体及刻蚀生成物，并去除刻蚀盘及传递腔内刻蚀残留气体及刻蚀生成物，避免吸附在片源上，从而有效去除片源表面的刻蚀麻点。
一种刻蚀方法

[实用新型]一种LED晶圆的标记装置-CN202222265457.8有效
发明人：李慧敏;齐佳鹏;钟伟华;彭足超;李景浩;鲁日彬;蔡武 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED晶圆的标记装置，LED晶圆的标记装置中包括位于晶圆上的后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域；其中，后段标记用于模拟电极和底层的结合力以及用于分选站点机台的识别，中心标记区域用于机台电性测试中的识别，对位标记用于光刻机的对位识别，因此后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域均包含多个膜层，相较于现有技术中的标记点，能够增加标记区域的厚度，使其倒模时不易掉落。
一种 led 标记装置

[实用新型]一种用于LED芯片的光罩组-CN202222211737.0有效
发明人：蔡武;钟伟华;李景浩;李慧敏;鲁日彬 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于LED芯片的光罩组，包括多个光罩本体；每一所述光罩本体上设置有位置相同的量测图形区域；所述量测图形区域设置有量测图形；多个所述光罩本体上的量测图形区域重叠时，每一所述光罩本体上的所述量测图形互不重叠，利用这些光罩能将需要量测的图形转移到LED芯片上，不同的量测图形存在一定间距，避免其他线条干扰，且基于量测图形区域通过光刻能够选择性地不镀一些无关线宽量测的、会导致对比度降低的膜层，以此避免了由于图形堆叠或膜层多对比度差而导致的线宽量测值误差大或无数据的情况，从而便于后续AOI机台对LED芯片进行准确的线宽量测。
一种用于 led 芯片光罩组

[发明专利]一种LED芯片的制作方法及用于LED芯片的光罩组-CN202211005541.4在审
发明人：蔡武;钟伟华;李景浩;李慧敏;鲁日彬 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种LED芯片的制作方法及用于LED芯片的光罩组，在LED芯片晶圆上预留量测图形区域；将需量测的量测图形转移至量测图形区域，得到LED芯片晶圆成品；图形转移所使用的光罩组包括多个光罩本体；每一光罩本体上设置有位置相同的量测图形区域；量测图形区域设置有量测图形；多个所述光罩本体上的量测图形区域重叠时，每一所述光罩本体上的所述量测图形互不重叠，不同的量测图形存在一定间距，避免其他线条干扰，且基于量测图形区域通过光刻能够选择性地不镀一些无关线宽量测的、会导致对比度降低的膜层，以此避免了由于图形堆叠或膜层多对比度差而导致的线宽量测值误差大或无数据的情况，从而便于后续AOI机台对LED芯片进行准确的线宽量测。
一种 led 芯片制作方法用于光罩组

[实用新型]一种光刻版检验用固定装置-CN202221763033.8有效
发明人：钟伟华;林武;李慧敏;李景浩;蔡武;鲁日彬 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体电子技术领域，尤其涉及一种光刻版检验用固定装置，包括镜检托板和固定外框；所述镜检托板设有下沉部，所述下沉部的表面为球面；所述固定外框围绕镜检托板设置，所述固定外框的阴角处具有避让口。本实用新型提供的光刻版检验用固定装置能够避免光刻版受损，保证光刻版品质。
一种光刻检验固定装置

[实用新型]一种LED芯片对位装置-CN202221860627.0有效
发明人：李慧敏;钟伟华;彭足超;李景浩;鲁日彬;蔡武 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED芯片对位装置，在基板和光罩上设置有曝光机定位识别标记和镜检检验标记，可通过基板和光罩上的曝光机定位识别标记进行曝光机对基板各膜层的自动对位；可通过基板和光罩上的镜检检验标记，对套合情况进行目检，由于镜检检验标记为十字形状，因此镜检时可更方便快速地检验出图形偏移异常，有效提高检验效率。
一种 led 芯片对位装置

[发明专利]一种LED芯片的反射层制作方法-CN202211057274.5在审
发明人：李慧敏;钟伟华;林武;李景浩;彭足超;鲁日彬 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片的反射层制作方法，在制作反射层时，先使用光刻胶进行匀胶、曝光和显影，其中，对负性光刻胶进行匀胶烘烤时保留负性光刻胶的溶剂含量，曝光显影的温度为116‑120℃；而现有技术中，通常曝光显影温度为122℃，相较于现有技术，本发明在烘烤时保留光刻胶的溶剂即降低匀胶烘烤温度，能够增加光刻胶的倒角角度，增大后续蒸镀反射层的面积；并且，降低曝光显影温度能够使光刻胶分子间的交联反应减少，交联反应会形成难溶于显影液的结构，此时曝光显影后的负性光刻胶减少、显影区域增加，从而增加后续反射层的蒸镀尺寸。因此，通过降低匀胶后及显影前烘烤温度，能够增大蒸镀后反射层的面积，提高LED发光亮度。
一种 led 芯片反射层制作方法

[发明专利]一种电极金属层制作方法-CN202211063491.5在审
发明人：李慧敏;钟伟华;彭足超;李景浩;鲁日彬;蔡武 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种电极金属层制作方法，在衬底上依次生长缓冲层和外延层，对外延层进行刻蚀后在外延层的P型氮化镓上生长氧化铟锡层；在氧化铟锡层和外延层的N型氮化镓上均使用曝光量90‑150mj、显影温度110‑114℃，对光刻胶进行曝光、显影，并在显影后的位置蒸镀得到电极金属层。在现有技术中通常使用曝光量280mj和显影温度106℃进行光刻胶的曝光显影，且减少曝光量会使得尺寸变大，而本发明中在降低曝光量的同时增加显影温度，此时增加显影温度可使光刻后尺寸变小，选取降低曝光量进行曝光能够节省时间，由此，在降低曝光量的同时增加显影温度能够有效减少电极金属层的面积，减少氧化铟锡层的被阻挡面积，从而提升发光亮度。
一种电极金属制作方法

[发明专利]一种LED芯片ITO腐蚀方法-CN202210942949.8在审
发明人： 鲁日彬;林武;钟伟华;李慧敏;李景浩;蔡武 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种LED芯片ITO腐蚀方法，对光刻后的LED外延片进行蚀刻，得到蚀刻后的LED外延片；对所述蚀刻后的LED外延片进行去胶，得到去胶后的LED外延片；对所述去胶后的LED外延片进行退火，得到成品，相较于现有技术先退火后蚀刻，通过先蚀刻后退火，由于蚀刻时ITO薄膜的致密性不高，能够有效缩短腐蚀时间，且使得ITO边缘被腐蚀地更加平整，无毛刺现象，从而提高ITO腐蚀效率和腐蚀质量。
一种 led 芯片 ito 腐蚀方法

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