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[实用新型]一种水光仪-CN202320261774.4有效
发明人：黄龙发;高虹 -专利权人：养生堂（安吉）化妆品有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： A61M35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水光仪，包括主机和喷雾手柄，所述主机包括主体外壳、设置在主体外壳上的触摸显示屏和主控板，所述喷雾手柄包括手柄壳、设置在手柄壳上的喷头和手柄线，其特征是，所述主体外壳内设有第一通道，所述喷雾手柄上设有第二通道，所述第二通道包括依次连接且连通的手柄线插、用于加热流经的气体的高压气加热罐和用于控制第二通道出口的气体流量的喷针控制组件，所述手柄线插与手柄线座适配且连通，所述高压气加热罐和喷针控制组件设置在手柄壳内。本实用新型提供了一种水光仪，将加热后的气体稳定地喷到皮肤表面，对皮肤进行保养，可以增加皮肤对料体的吸收效果。
一种水光

[实用新型]一种水光仪喷嘴的开度调节结构-CN202320263380.2有效
发明人：黄龙发;高虹 -专利权人：养生堂（安吉）化妆品有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水光仪喷嘴的开度调节结构，包括喷针控制组件和喷头，所述喷针控制组件包括控制壳、控制驱动器、传动机构和喷针本体，所述喷针本体与控制壳滑动连接，所述控制驱动器的输出端与传动机构的输入端传动连接，所述传动机构的输出端与喷针本体传动连接，所述控制驱动器通过传动机构驱动喷针本体滑动并调节喷针本体的一端伸入所述喷头的深度，以调节喷嘴的开度。本实用新型提供了一种水光仪喷嘴的开度调节结构，可以根据需要调节水光仪喷嘴的开度。
一种水光喷嘴调节结构

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310783433.8在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域，该发光二极管外延片包括包括衬底，所述发光二极管外延片还包括：依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层以及复合P型接触层；所述复合P型接触层包括依次层叠的BGaMgN层、BMgN层、BInMg层以及InMgN层，所述BGaMgN层设于所述P型半导体层之上，本发明能够解决现有技术中P型接触层重掺杂Mg，活化Mg的浓度低导致接触电阻高，并且易吸收发光二极管的发出的光，导致发光二极管出光效率降低的技术问题。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种多量子阱层及其制备方法、发光二极管-CN202310782679.3在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多量子阱层及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域，该多量子阱层包括预设周期交替层叠的复合势阱层和势垒层；所述复合势阱层包括依次层叠的第一复合子层、InGaN势阱层、以及第二复合子层，所述势垒层为AlGaN层；所述第一复合子层包括依次层叠的ScN层、SiGaN层以及InSiN层，所述第二复合子层包括依次层叠的所述InSiN层、所述SiGaN层以及所述ScN层，所述第一复合子层和所述第二复合子层中各个层相对于所述InGaN势阱层对称设置，本发明能够解决现有技术中InGaN量子阱中较高的In组分与GaN量子垒之间存在晶格失配，会产生量子限制斯塔克效应，导致发光效率下降的技术问题。
一种多量子阱层及其制备方法发光二极管

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310565076.8有效
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述缓冲层包括依次层叠于所述衬底上的Mo网格层、MoS2层、AlON层和AlInGaN层；所述Mo网格层设有多个暴露所述衬底的网格。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[实用新型]一种截污处理器-CN202320785816.4有效
发明人：赵嘉雯;曹昕;高虹;李春侠;范继显;渠浩;王华聪;孔令国;韩月娇;苏丽洁;张防清 -专利权人：山东迈源建设集团有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： E03F5/14 文献下载
摘要：本实用新型属于污水处理，公开了一种截污处理器，本实用新型示例的技术方案，包括箱体和框架，所述的箱体内设有框架，框架的中部设有滤水板，滤水板固定安装在框架内壁的中部，滤水板的顶侧和底侧分别固定安装竖杆，框架的两侧分别开设导向槽，导向槽均为中部浅、上下两侧深的凹槽，导向槽的上下两侧均与框架的顶侧和底侧连通，导向槽的中部分别开设卡槽，箱体内壁的两侧分别对应卡槽开设安装槽，安装槽内分别固定安装弹簧伸缩杆，弹簧伸缩杆的活动端分别开设倾斜朝下的斜面，通过本装置，不但便于取放，而且能够方便快速的将过滤的异物排出并存储，节省了人力，提高了清理效率。
一种处理器

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片-CN202310745118.6在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片，该发光二极管外延片包括：依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层以及第二半导体层，其中所述有源层包括周期性交替堆叠的复合量子阱层和量子垒层，所述复合量子阱层包括N型InGaN量子阱准备层、沉积在所述N型InGaN量子阱准备层上的In量子点层、沉积在所述In量子点层上的InGa纳米团簇层，以及沉积在所述InGa纳米团簇层上的InGaN量子阱子层。该发明减少了In团聚，提高量子阱层晶体质量，提高量子阱辐射复合效率，提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led 芯片

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310438487.0在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、复合非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述复合非掺杂GaN层包括依次层叠于所述缓冲层上的第一本征GaN层、反射层、第二本征GaN层，所述反射层包括AlN反射层、Al反射层和SiO2反射层。本发明提供的发光二极管外延片能够降低位错密度，减少量子阱非辐射复合，提高发光二极管的光提取效率，提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]一种高光效发光二极管及制备方法-CN202310677570.3在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种高光效发光二极管及制备方法，高光效发光二极管包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，有源层包括按预设周期交替沉积在n型GaN层上的势阱层和复合势垒层，复合势垒层包括AlGaN势垒层和氧杂质调控势垒层，氧杂质调控势垒层中氧杂质的浓度不高于5E+16 atoms/cm3。本发明在复合势垒层中插入硼掺氮化物结构的氧杂质调控势垒层，减少电子溢流至P层GaN层与空穴发生非辐射复合，提高有源层的载流子的发光效率。
一种高光效发光二极管制备方法

[发明专利]一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310564897.X有效
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、LED，该外延片包括衬底以及依次沉积在所述衬底上的第一半导体层、有源层以及第二半导体层；所述有源层包括M个周期性交替排布的势阱层以及复合势垒层，所述复合势垒层包括沿着外延方向依次层叠的第一势垒子层、第二势垒子层与第三势垒子层，所述第一势垒子层包括沿着外延方向依次层叠的GaN层与Ga2O3层，所述第二势垒子层为N型AlGaON层，所述第三势垒子层为BInGaN层，本发明提高复合势垒层的势垒高度，减少电子溢流，降低有源层极化效应，提高有源层的发光效率。
一种高光效发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310713671.1在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，包括衬底和依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；所述有源层上设有V型坑，所述V型坑内沉积有缺陷屏蔽层，所述缺陷屏蔽层包括依次沉积的三维ScBN层、三维ScAlGaN层及二维超晶格层；其中，所述二维超晶格层包括周期性交替沉积的二维AlInN层和二维Mg掺杂GaN层，所述二维超晶格层的上端面与所述V型坑的上端面平齐。本发明提供的发光二极管外延片能够减少有源层V型坑内缺陷捕获载流子，提高量子阱层载流子辐射复合效率，提升发光二极管的发光效率。
一种高光效发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]大口径不锈钢管内孔表面检查与缺陷处理方法-CN202210997752.4在审
发明人：高虹;陈泽民 -专利权人：江苏武进不锈股份有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B24B5/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种大口径不锈钢管内孔表面检查与缺陷处理方法，通过工业内窥镜，沿大口径不锈钢管的内壁进行全纵向表面检查，对缺陷处进行标记，后续可以通过修磨装置对缺陷出进行修磨，反复上述步骤从而保证大口径不锈钢管内孔表面无缺陷。通过上述方式，本发明大口径不锈钢管内孔表面检查与缺陷处理方法，能够对大口径不锈钢管内孔表面进行全纵向表面检查，有效确定缺陷类别、状态、范围和离管端相对距离，并进行有效修复，保证整支大口径不锈钢管内孔表面无缺陷，提高不锈钢管的成材率。
口径不锈钢管表面检查缺陷处理方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310466180.1有效
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述多量子阱层包括多个交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子垒层中插入一层或多层轴向光提取层，所述轴向光提取层的折射率n＜2.5。本发明提供的发光二极管外延片，其能够降低发光二极管内部全反射，提高轴向光提取效率，提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片-CN202310506762.8有效
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片，涉及发光二极管技术领域，该外延片包括衬底，依次层叠于衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴注入层、电子阻挡层与P型GaN层；其中，空穴注入层包括依次层叠与多量子阱层之上的P型AlN层、Mg量子点层、MgInGa纳米团簇层与P型AlxInyGa1‑x‑yN层，x≤0.3，y≤0.2。本发明通过提高活化Mg浓度，提高空穴浓度，提高电子与空穴辐射复合效率，以最终提升发光二极管的发光效率，解决了现有技术中发光二极管外延片中因晶体质量差，使得空穴浓度低，导致发光效率低的技术问题。
一种高光效发光二极管外延及其制备方法 led 芯片

[发明专利]一种多量子阱发光层、发光二极管外延片及其制备方法-CN202310378775.1有效
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;程金连;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种多量子阱发光层、发光二极管外延片及其制备方法，其中，多量子阱发光层包括第一Ga极性垒层、Ga极性阱层、第二Ga极性垒层、以及N极性垒层；第一Ga极性垒层、Ga极性阱层、第二Ga极性垒层、以及N极性垒层由下至上依次周期交替层叠形成混合极性的AlxInyGaN多层结构；其中，x的取值范围为0‑0.6，y的取值范围为0‑0.4。本申请通过利用Ga极性氮化物与N极性氮化物的极化电场方向相反，减弱多量子阱发光层中因极化电场而导致的能带弯曲现象，从而提高多量子阱发光层中的辐射复合效率，进而提高发光二极管的发光效率。
一种多量发光发光二极管外延及其制备方法