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[发明专利]MEMS产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺-CN202311064172.0在审
发明人：朱景春;李海涛;王玮;高玉波;周思豪;陈国雪;姚祥 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种MEMS产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺包括步骤：步骤一，提供待刻蚀的复合膜层，复合膜层包括从硅衬底、氮化硅膜层、钛薄膜以及铝膜层；步骤二，图形化设置光刻胶铝膜层上，以使光刻胶覆盖部分的顶层的铝膜层且使光刻胶露出与光刻胶覆盖部分的顶层的铝膜层相邻两侧的部分的顶层的铝膜层；步骤三，将复合膜层置于湿法刻蚀的第一腔室中，在第一腔室中从露出的顶层的铝膜层的部位刻蚀；步骤四，采用湿法去胶；步骤五，将步骤四完成的复合膜层图形化设置光刻胶，形成沟槽；步骤六，将步骤五完成的复合膜层置于第二腔室中，沿着沟槽进行钛薄膜刻蚀；步骤七，光刻胶去除设备中去胶；步骤八，在钛薄膜以及铝膜层上长膜形成氮化硅覆盖层。
mems 产品金属连接刻蚀工艺

[实用新型]一种非接触式新型公路路面状态监测装置-CN202321287213.8有效
发明人： 高玉波;周水文;张蓉;龚绍杰;徐康;李敬阳;叶琳;高鹏飞 -专利权人：四川九通智路科技有限公司;四川省公路规划勘察设计研究院有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01V8/12 文献下载
摘要：本申请属于公路气象测量领域，具体涉及一种用于公路路面状态监测的非接触式新型公路路面状态监测装置，包括壳体，所述壳体内设置有主控处理机构，所述主控处理机构分别与发射单元电路机构、接收单元电路机构和角度控制电路机构相连，所述发射单元电路机构与激光发射探头相连，所述接收单元电路机构与接收探头相连，所述角度控制电路机构与角度控制齿轮相连。本申请不与路面直接接触，采用红外激光原理，且安装简单，运行也不会受车辆的影响。相比于现有的红外在检测波段，以及判断条件，本申请的光信号增强和滤光镜片等综合判断，提高准确性，减少错误以及误报等情况。并且增加路面温度以及环境温度辅助检测功能。
一种接触新型公路路面状态监测装置

[发明专利]氮化硅衬底材料的刻蚀形貌和均匀性的控制工艺-CN202310790368.1在审
发明人：朱景春;李海涛;王玮;李兆营;高玉波 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种氮化硅衬底材料的刻蚀形貌和均匀性的控制工艺包括步骤：步骤一，提供待刻蚀的复合膜层，复合膜层包括从下往上依次设置的硅衬底、氮化硅膜层、氧化钒薄膜以及氮化硅膜层；步骤二，图形化设置光刻胶在顶层的氮化硅膜层上；步骤三，将完成光刻胶设置的复合膜层置于双频等离子反应的腔室中；步骤四，通入腔室的刻蚀气体为CF4、CHF3和Ar，腔室的压力为8‑14mT，源功率为500‑1200W，偏置功率为20‑80W，CF4的流量为30‑80sccm，CHF3的流量为20‑60sccm，Ar的流量为5‑20sccm，刻蚀时间的设定为刻蚀结束时沿封闭环形的刻蚀槽的底表面为氧化钒且氧化钒被刻蚀得越少越好、周面为与氧化钒薄膜的顶面的夹角为65°以下的斜面；步骤五，将光刻胶去除；氮化硅在步骤四中的条件下刻蚀的均匀性低于6％。
氮化衬底材料刻蚀形貌均匀控制工艺

[发明专利]钛层-介质层刻蚀副产物处理方法-CN202310228556.5在审
发明人：朱景春;李海涛;汪志平;高玉波;李兆营;李传峰 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种钛层‑介质层刻蚀副产物处理方法，包括步骤：步骤一，提供待刻蚀的钛层‑介质层复合膜层，包括衬底、介质层以及钛层；步骤二，图形化设置光刻胶，以露出部分的钛层，露出的钛层的线宽为100nm‑350nm；步骤三，将完成光刻胶设置的钛层‑介质层复合膜层置于双频等离子反应的腔室中；步骤四，双频等离子反应的腔室中进行主刻蚀，刻蚀气体为BCl3、Cl2和Ar，腔室的压力为8mT‑14mT，源功率为500W‑1200W，偏置功率为60W‑200W，BCl3的流量为20sccm‑200sccm，Cl2的流量为20sccm‑200sccm，Ar的流量为20sccm‑80sccm，刻蚀时间为20s‑45s；步骤五，双频等离子反应的腔室中进行反应副产物的清除，清除气体为O2，腔室的压力为8mT‑14mT，源功率为500W‑1200W，偏置功率为60W‑200W，O2的流量为60sccm‑120sccm，清除时间为10s‑30s；步骤六，在光刻胶去除设备中将光刻胶去除。
介质刻蚀副产物处理方法

[发明专利]一种基于路面状态识别的车辆防碰撞方法-CN202310618454.4在审
发明人：兰富安;邹海云;黄军;文燕;徐康;李敬阳;高玉波;李文;朱友杰;叶琳 -专利权人：四川九通智路科技有限公司;四川乐西高速公路有限责任公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G08G1/048 文献下载
摘要：本发明涉及车辆行驶安全技术领域，公开了一种基于路面状态识别的车辆防碰撞方法，本方法通过识别的路面类型和湿滑状态，利用模糊算法和安全距离模型，相对于不同的路面类型和湿滑状态计算出车辆间的安全距离，并及时向行驶中的车辆发出预警，实现主动防撞，保障了行车安全。
一种基于路面状态识别车辆碰撞方法

[实用新型]一种高速公路钢结构工件浸涂生产线-CN202223347098.7有效
发明人： 高玉波;郭卫民;张秉旭;王金暖;高谭;王俊德;殷洪建;王瑞雪;张凌海 -专利权人：辽宁顺通装配建造有限责任公司;沈阳明科控制腐蚀技术有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B05C19/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及钢结构浸涂技术领域，特别涉及一种高速公路钢结构工件浸涂生产线，包括钢结构架、传送机构、上料台架、预热室、喷涂室、固化室和下料台架，预热室内设置预热炉，固化室内设置固化炉；喷涂室底部开方槽设置可升降的流化槽，内盛装粉末涂料，底部安装吹风管，流化槽两侧设置回收装置。本实用新型利用工件预热温度与浸涂时间来控制涂层厚度，在浸涂之前加设预热的工艺。一方面先预热后喷涂，可使工件表面的油渍、水分在预热过程中挥发掉，避免造成涂层的缺陷。另一方面还可以使涂装膜厚化，也可以节约涂料，提高涂料的上分率。
一种高速公路钢结构工件生产线

[发明专利]水泥混凝土预制构件加工设备及加工方法-CN202110904152.4有效
发明人： 高玉波;褚冰纯;王勃;邵本波;刘亮 -专利权人：辽宁第一交通工程监理有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B28B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种水泥混凝土预制构件加工设备及加工方法，与外部输送机配合工作，包括箱体、移动装置、清洗机构、升降输送机构、控制装置、输送装置、搅拌装置、模具、模具存储箱、传送装置、脱模装置和振动装置，控制装置用于控制各装置的运行，移动装置用于实现整个设备的移动，输送装置用于输送各原料，搅拌装置用于制备混凝土原料，模具存储箱用于存储和输送模具，传送装置用于实现浇筑后模具传送，振动装置用于对浇筑后的模具进行振动，脱模装置用于将浇筑成型的混凝土预制构件从模具中脱离，外部输送机用于将预制构件输送至外部场地进行保养，清洗机构用于实现脱模后模具的清洗，升降输送机构用于将清洗机构清洗后的模具输送至模具存储箱中。
水泥混凝土预制构件加工设备方法

[发明专利]金属层-介质层复合膜层的刻蚀方法-CN202310129115.X在审
发明人：朱景春;李海涛;汪志平;高玉波;李兆营 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种金属层‑介质层复合膜层的刻蚀方法包括步骤：步骤一，提供待刻蚀的金属层‑介质层复合膜层，包括依次设置的衬底、介质层以及金属层；步骤二，图形化设置光刻胶在金属层上；步骤三，将完成光刻胶设置的金属层‑介质层复合膜层置于双频等离子反应的腔室中；步骤四，主刻蚀，设定主刻蚀的腔室的压力、源功率、偏置功率以及刻蚀时间，通入腔室的刻蚀气体为BCl3、Cl2和Ar且流量均不为零，在主刻蚀结束时金属层在介质层上有残留；步骤五，软着陆刻蚀，设定软着陆刻蚀的腔室的压力、源功率、偏置功率以及刻蚀时间，通入腔室的刻蚀气体为BCl3和Cl2，软着陆刻蚀将残留的金属层全部刻蚀干净且对下方的氮化硅层刻蚀量尽可能地少；步骤六，将光刻胶去除。
金属介质复合刻蚀方法

[发明专利]氧化钒薄膜的刻蚀方法以及半导体器件的镀膜方法-CN202210897146.5在审
发明人：朱景春;李海涛;高玉波;李传峰 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供一种氧化钒薄膜的刻蚀方法以及半导体器件的镀膜方法。氧化钒薄膜的刻蚀方法包括：提供包括衬底及氮化硅的基底模块，氮化硅设在衬底上；设掩膜；图形化设光刻胶；采用电感耦合等离子刻蚀利用C/F基气体和Ar气体刻蚀露出的掩膜，以形成浅槽，浅槽底面为氧化钒薄膜的顶面，浅槽侧面为斜面；采用电感耦合等离子刻蚀利用Cl基气体和Ar气体去除暴露的氧化钒薄膜、使浅槽的侧面被刻蚀而更倒地倾斜、直到刻蚀进入氮化硅，以形成刻蚀槽，刻蚀槽底壁由氮化硅构成，刻蚀槽侧壁由氧化钒和氮化硅构成，刻蚀槽的侧壁与经过再刻蚀的侧面连续共面，底壁与侧壁的夹角为65°以下；去除光刻胶，以形成器件模块。半导体器件的镀膜方法包括沿器件模块的刻蚀槽镀膜。
氧化薄膜刻蚀方法以及半导体器件镀膜

[实用新型]一种晶圆盒开合工具-CN202123131958.9有效
发明人： 高玉波;赵龙;黄添萍;赵雪城;李海涛;姚浩强 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体制造领域，公开了一种晶圆盒开合工具，所述晶圆盒设有两个锁孔，将所述晶圆盒置于载台上进行解锁，所述载台为不锈钢材质，所述载台上设有两个冲孔，所述开合工具主体为圆柱型或长方体结构的磁力底座，所述磁力底座的上表面垂直设置两根用于插入晶圆盒锁孔的柱形钥匙，所述柱形钥匙与所述晶圆盒锁孔相适配；所述磁力底座下表面垂直设置两根用于插入冲孔的固定柱，所述固定柱与冲孔相适配；本实用新型所述晶圆盒开合工具相对于市场上已存在的电动或手动晶圆开合工具在生产成本、工具体积、工具重量等方面具有突出的优点。
一种晶圆盒开合工具

[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底蚀刻工艺中光刻胶的使用方法-CN202210464451.5在审
发明人：朱景春;李兆营;李海涛;高玉波 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底蚀刻工艺中光刻胶的使用方法。该方法包括：对于制造特定芯片的图形化蓝宝石衬底蚀刻阶段，采用特定的光刻机以及多种光刻胶分别对相同的蓝宝石衬底进行蚀刻实验；对于每一种光刻胶，当其对蓝宝石衬底的蚀刻效果符合该芯片的PSS蚀刻工艺要求时，将所述特定光刻机对应的菜单参数记录到工艺数据库；当该芯片的PSS蚀刻阶段当前使用的光刻胶短缺时，采用所述工艺数据库中记录的其它光刻胶及对应的所述菜单参数完成所述PSS蚀刻。本发明针对PSS蚀刻过程中常出现的光刻胶短缺现象，基于不同光刻胶之间的性能差异提出了不同光刻胶之间相互代替使用的方案以便有效解决PSS蚀刻阶段出现光刻胶短缺导致该芯片生产停滞的问题。
一种图形蓝宝石衬底蚀刻工艺光刻使用方法

[发明专利]高性能混凝土小型预制构件及其加工设备和加工工艺-CN202110873313.8有效
发明人： 高玉波;褚冰纯;王勃;邵本波;刘亮 -专利权人：辽宁第一交通工程监理有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： B28B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高性能混凝土小型预制构件及其加工设备和加工工艺，加工设备包括全自动封闭型钢厂房，钢厂房包括位于钢厂房中心的控制管理区以及由控制管理区管控的输送系统、生产加工区、喷淋养护区、脱模区、成品检测区和成品存放区，生产加工区、喷淋养护区、脱模区、成品检测区和成品存放区分布在控制管理区的四周，对控制管理区构成包围形式，且均与控制管理区之间设置可视化窗口，控制管理区通过该可视化窗口辅助摄像设备来观察每个区的运行状况。本发明为全自动生产线，该生产线自动下料、振捣、脱模、养护与运输极为便利，自动化程度高，设备操作简单，施工质量安全可靠。
性能混凝土小型预制构件及其加工设备工艺

[实用新型]一种三维薄膜吸气剂结构-CN202121882601.1有效
发明人：赵龙;杨晓杰;李海涛;姚浩强;高玉波;赵雪城 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三维薄膜吸气剂结构，包括器件层，所述器件层的表面包括呈波形排列的斜坡部，沿所述斜坡部的表面上沉积有吸气剂薄膜层。通过在连续起伏的斜坡部沉积薄膜吸气剂，相对传统的垂直结构表面薄膜沉积工艺，斜坡面更容易沉积均匀和粘附性强的薄膜吸气剂，比平面薄膜沉积工艺增大了薄膜吸气剂的有效面积，延长芯片的使用寿命。
一种三维薄膜吸气结构

[发明专利]一种晶圆级封装结构及其制备方法与吸气剂层的激活方法-CN202111493790.8在审
发明人：赵龙;杨晓杰;李海涛;姚浩强;高玉波;赵雪城 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级封装结构，包括第一晶圆和通过键合层与第一晶圆连接固定的第二晶圆，形成了容纳MEMS的空腔，其中第一晶圆的底面具有凸起，以使得第一晶圆的底面形成有深腔结构，该凸起与深腔结构通过倾斜侧沿过渡连接，而在凸起、倾斜侧沿以及深腔结构内设置有金属激活层，所述金属激活层在深腔结构内是间断设置的，同时在该金属激活层上设置有吸气剂层、以及间隔设置的第一绝缘层和第二绝缘层。所述键合层位于第一绝缘层上，使得吸气剂层位于空腔内，而第一绝缘层和第二绝缘层之间可以安装有激活电极，通过金属激活层的传导对吸气剂层进行电激活，避免了传统的热激活方式对晶圆器件的不利影响。
一种晶圆级封装结构及其制备方法吸气激活

[实用新型]一种薄膜吸气剂结构-CN202122106059.7有效
发明人：赵龙;杨晓杰;李海涛;姚浩强;高玉波;赵雪城 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜吸气剂结构，包括衬底和薄膜吸气剂，衬底上具有凹槽腔体，凹槽腔体内壁为密集多孔结构，薄膜吸气剂钉设于密集多孔结构的孔隙中。通过这种结构，不仅能够大大增加该结构的吸气剂的有效面积和吸气剂的量，增强吸气剂的吸气效能，延长使用寿命；而且吸气剂钉设于密集多孔结构的孔隙中，密集型孔洞结构和沉积薄膜吸气剂相结合形成的衔接结构发挥出了铆钉一样的效用，大大增加了薄膜吸气剂和侧壁、底部衬底结构的粘附性，可有效避免薄膜脱落造成的器件污染和损毁。
一种薄膜吸气结构

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