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[发明专利]一种共源共栅级联型GaN器件、限流装置及其制备方法-CN202310834356.4在审
发明人：吴毅锋;杨超;高吴昊 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种共源共栅级联型GaN器件、限流装置及其制备方法。本发明制备集成于共源共栅级联型GaN器件的限流装置时，利用光刻技术在晶圆上形成离子注入区域和非离子注入区域，利用光刻胶作为掩膜材料，通过离子注入工艺去除所述离子注入区域处的2DEG，利用光刻技术在所述晶圆上形成欧姆接触区域，在所述欧姆接触区域上制作欧姆接触电极，最后利用热退火技术对所述欧姆接触电极进行处理。本发明的制备工艺与常用有源区隔离工艺兼容，且能够增加器件在不同工作温度下限流装置的相对稳定性及电阻的功率能力，从整体上优化了EMI控制效果。
一种共源共栅级联 gan 器件限流装置及其制备方法

[发明专利]干法去除光刻胶的方法-CN202310615530.6在审
发明人：杨超;高吴昊;闫鹏 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种干法去除光刻胶的方法包括如下步骤：a、将刻蚀后的待处理晶圆置于真空装置中，将温度升至150～250℃，通入氧源和氢源，使晶圆表面的光刻胶软化；b、启动射频或微波源，继续通入氧源，使光刻胶灰化；c、重复步骤a和步骤b，直至晶圆表面的光刻胶被完全去除。本发明经过预处理后的光刻胶表面无CxHyX化合物和卤素离子。此时，引入灰化过程，氧等离子体与表面“软化”光刻胶发生化学反应，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，并通过真空系统排出。因此，采用预处理‑灰化的循环处理，最终实现光刻胶的完整去除。同时，该方法无需增加灰化的时间和功率，就可以实现光刻胶的完整去除。
去除光刻方法

[发明专利]一种低阻抗高过流的氮化镓器件、驱动装置和电子设备-CN202310500129.8在审
发明人：杨超;高吴昊;吴毅锋 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种低阻抗高过流的氮化镓器件、驱动装置和电子设备，该氮化镓器件包括衬底、形成在衬底之上的外延层、设置在外延层上的漏极、源极和栅极以及设置在漏极、源极和栅极上方的第一金属层；栅极还与栅极屏蔽场板连接，栅极屏蔽场板设置在第一金属层与栅极之间，栅极屏蔽场板与栅极形成共栅结构；源极和漏极与第一金属层的金属线之间采用平行布局并通过通孔连接。该氮化镓器件通过栅极屏蔽场板与栅极形成共栅结构提高了该氮化镓器件的响应速度；采用金属线平行布局连接方式的该氮化镓器件的金属连接结构，降低了该氮化镓器件的电阻；共栅结构和金属线平行布局连接方式使得该氮化镓器件能够满足高功率密度电源产品的需求。
一种阻抗高过氮化器件驱动装置电子设备

[发明专利]氮化物基半导体双向切换器件和其制造方法-CN202180004407.X有效
发明人：赵起越;周春华;李茂林;高吴昊;杨超;杨观深;程绍鹏 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供一种具有衬底电位管理能力的氮化物基双向切换器件。所述器件具有控制节点、第一电力/负载节点、第二电力/负载节点和主衬底，且包括：氮化物基双侧晶体管；和衬底电位管理电路，其配置成用于管理所述主衬底的电位。通过实施所述衬底电位管理电路，可将衬底电位稳定到所述双侧晶体管的第一源极/漏极和第二源极/漏极的电位中的较低一个，而不管所述双向切换器件在哪个方向上操作。因此，所述双侧晶体管可在两个方向上以稳定衬底电位操作以用于传导电流。
氮化物半导体双向切换器件制造方法

[发明专利]氮化物基双向切换器件和其制造方法-CN202211290381.2在审
发明人：赵起越;周春华;李茂林;高吴昊;杨超;杨观深;程绍鹏 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供一种具有衬底电位管理能力的氮化物基双向切换器件及其制造方法。所述器件具有控制节点、第一电力/负载节点、第二电力/负载节点和主衬底，且包括：氮化物基双侧晶体管；和衬底电位管理电路，其配置成用于管理所述主衬底的电位。通过实施所述衬底电位管理电路，可将衬底电位稳定到所述双侧晶体管的第一源极/漏极和第二源极/漏极的电位中的较低一个，而不管所述双向切换器件在哪个方向上操作。因此，所述双侧晶体管可在两个方向上以稳定衬底电位操作以用于传导电流。
氮化物双向切换器件制造方法

[发明专利]氮化物基双向切换器件和其制造方法-CN202211284000.X在审
发明人：赵起越;周春华;李茂林;高吴昊;杨超;杨观深;程绍鹏 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供一种具有衬底电位管理能力的氮化物基双向切换器件及其制造方法。所述器件具有控制节点、第一电力/负载节点、第二电力/负载节点和主衬底，且包括：氮化物基双侧晶体管；和衬底电位管理电路，其配置成用于管理所述主衬底的电位。通过实施所述衬底电位管理电路，可将衬底电位稳定到所述双侧晶体管的第一源极/漏极和第二源极/漏极的电位中的较低一个，而不管所述双向切换器件在哪个方向上操作。因此，所述双侧晶体管可在两个方向上以稳定衬底电位操作以用于传导电流。
氮化物双向切换器件制造方法

[发明专利]氮化物基双向切换器件及其制造方法-CN202211290293.2在审
发明人：赵起越;周春华;李茂林;高吴昊;杨超;杨观深;程绍鹏 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供一种具有衬底电位管理能力的氮化物基双向切换器件。所述器件具有控制节点、第一电力/负载节点、第二电力/负载节点和主衬底，且包括：氮化物基双侧晶体管；和衬底电位管理电路，其配置成用于管理所述主衬底的电位。通过实施所述衬底电位管理电路，可将衬底电位稳定到所述双侧晶体管的第一源极/漏极和第二源极/漏极的电位中的较低一个，而不管所述双向切换器件在哪个方向上操作。因此，所述双侧晶体管可在两个方向上以稳定衬底电位操作以用于传导电流。
氮化物双向切换器件及其制造方法

[发明专利]用于与电池保护控制器一起工作的氮化物基双向开关装置及其制造方法-CN202211517278.7在审
发明人：赵起越;高吴昊;魏宝利 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：提供一种用于与电池保护控制器一起工作的氮化物基双向开关装置，所述电池保护控制器具有功率输入端子、放电过流保护(DO)端子、充电过流保护(CO)端子、电压监测(VM)端子和接地端子。所述氮化物基双向开关装置包括氮化物基双向开关元件和适配模组，所述适配模组配置成从所述电池保护控制器接收DO信号和CO信号并产生用于控制所述双向开关元件的主控制信号。通过实施所述调适电路，所述氮化物基双向开关元件可与常规的电池保护控制器配合进行电池充电和放电管理。因此，氮化物基电池管理系统可实现有更高的操作频率以及更紧凑的尺寸。
用于电池保护控制器一起工作氮化物双向开关装置及其制造方法

[发明专利]用于与电池保护控制器一起工作的氮化物基双向开关装置及其制造方法-CN202211517277.2在审
发明人：赵起越;高吴昊;魏宝利 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：提供一种用于与电池保护控制器一起工作的氮化物基双向开关装置，所述电池保护控制器具有功率输入端子、放电过流保护(DO)端子、充电过流保护(CO)端子、电压监测(VM)端子和接地端子。所述氮化物基双向开关装置包括氮化物基双向开关元件和适配模组，所述适配模组配置成从所述电池保护控制器接收DO信号和CO信号并产生用于控制所述双向开关元件的主控制信号。通过实施所述调适电路，所述氮化物基双向开关元件可与常规的电池保护控制器配合进行电池充电和放电管理。因此，氮化物基电池管理系统可实现有更高的操作频率以及更紧凑的尺寸。
用于电池保护控制器一起工作氮化物双向开关装置及其制造方法

[发明专利]氮化物基双向切换器件和其制造方法-CN202211290384.6在审
发明人：赵起越;周春华;李茂林;高吴昊;杨超;杨观深;程绍鹏 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供一种具有衬底电位管理能力的氮化物基双向切换器件及其制造方法。所述器件具有控制节点、第一电力/负载节点、第二电力/负载节点和主衬底，且包括：氮化物基双侧晶体管；和衬底电位管理电路，其配置成用于管理所述主衬底的电位。通过实施所述衬底电位管理电路，可将衬底电位稳定到所述双侧晶体管的第一源极/漏极和第二源极/漏极的电位中的较低一个，而不管所述双向切换器件在哪个方向上操作。因此，所述双侧晶体管可在两个方向上以稳定衬底电位操作以用于传导电流。
氮化物双向切换器件制造方法

[发明专利]氮化物基半导体双向切换器件和其制造方法-CN202210425771.X在审
发明人：赵起越;周春华;李茂林;高吴昊;杨超;杨观深;程绍鹏 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供一种具有衬底电位管理能力的氮化物基双向切换器件。所述器件具有控制节点、第一电力/负载节点、第二电力/负载节点和主衬底，且包括：氮化物基双侧晶体管；和衬底电位管理电路，其配置成用于管理所述主衬底的电位。通过实施所述衬底电位管理电路，可将衬底电位稳定到所述双侧晶体管的第一源极/漏极和第二源极/漏极的电位中的较低一个，而不管所述双向切换器件在哪个方向上操作。因此，所述双侧晶体管可在两个方向上以稳定衬底电位操作以用于传导电流。
氮化物半导体双向切换器件制造方法

[发明专利]半导体器件结构-CN202210583863.0在审
发明人：沈竞宇;赵起越;周春华;杨超;高吴昊;石瑜;魏宝利 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：半导体器件结构包括衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一电极、第一通孔、穿孔。衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。第一氮化物半导体层设置在所述衬底的所述第一表面上。第二氮化物半导体层设置在所述第一氮化物半导体层上且其带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。第一电极设置在所述第二氮化物半导体层上，并接触所述第二氮化物半导体层。第一通孔从所述第一电极延伸，并依序穿过所述第二氮化物半导体层、所述第一氮化物半导体层至所述衬底的所述第二表面。穿孔从所述第一电极延伸，并设置在所述第一通孔的相对侧，使得所述第一电极位在所述第一通孔与所述穿孔之间。
半导体器件结构

[发明专利]半导体器件-CN202180001018.1有效
发明人：赵起越;高吴昊;林锋明 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种半导体器件包括栅极电极，第一和第二钝化层，第一和第二场板。栅极电极设置在氮基半导体层上方。第一钝化层覆盖栅极电极。第一场板设置在第一钝化层上。第一钝化层具有被第一场板覆盖的第一部分和未被第一场板覆盖的第二部分。第二钝化层覆盖第一场板。第二场板设置在第二钝化层上方。第二钝化层有被第二场板覆盖的第一部分和未被第二场板覆盖的第二部分。第一钝化层的第一和第二部分之间的厚度差小于第二钝化层的第一和第二部分之间的厚度差。
半导体器件

[发明专利]用于电池管理的氮化物基双向开关装置及其制造方法-CN202280001192.0在审
发明人：赵起越;高吴昊;魏宝利 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：提供一种用于与电池保护控制器一起工作的氮化物基双向开关装置，所述电池保护控制器具有功率输入端子、放电过流保护(DO)端子、充电过流保护(CO)端子、电压监测(VM)端子和接地端子。所述氮化物基双向开关装置包括氮化物基双向开关元件和适配模组，所述适配模组配置成从所述电池保护控制器接收DO信号和CO信号并产生用于控制所述双向开关元件的主控制信号。通过实施所述调适电路，所述氮化物基双向开关元件可与常规的电池保护控制器配合进行电池充电和放电管理。因此，氮化物基电池管理系统可实现有更高的操作频率以及更紧凑的尺寸。
用于电池管理氮化物双向开关装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件结构及其制造方法-CN202180000644.9有效
发明人：沈竞宇;赵起越;周春华;杨超;高吴昊;石瑜;魏宝利 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本揭露提供了半导体器件结构及其制造方法。半导体器件结构包括衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅极电极、第一电极、第一通孔和第二通孔。衬底具有第一表面和第二表面。第一氮化物半导体层设置在衬底的第一表面上。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙超过第一氮化物半导体层的带隙。栅极电极和第一电极设置在第二氮化物半导体层上。第一通孔从第二表面延伸并电连接到第一电极。第二通孔从第二表面延伸。第一通孔的深度不同于第二通孔的深度。
半导体器件结构及其制造方法

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