“马利奇”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种沟槽型SiC MOSFET源接触孔的刻蚀方法-CN202310656360.6在审
发明人：李鎔碩;马利奇;金秉燮;李旻姝;洪吉文 -专利权人：浙江萃锦半导体有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型SiC MOSFET源接触孔的刻蚀方法，属于半导体制造技术领域，该方法对现有技术进行了改进，更换了两步刻蚀过后的清洗液体，使用Clean‑A清洗液消除了刻蚀绝缘层过后的引来的缺陷，解决了BPSG形貌不好的问题；此外在氧化层刻蚀结束后又增加了一步氮氧化硅SION的沉积，增加的SION的沉积，可以避免由于光刻对准误差引来刻蚀过程中Over ETCH导致栅源短路的问题。
一种沟槽 sic mosfet 接触刻蚀方法

[发明专利]一种SiC MOSFET器件低碳团簇栅氧的制造方法-CN202310792638.2在审
发明人：郑英豪;李旻姝;余恒文;马利奇 -专利权人：浙江萃锦半导体有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种SiCMOSFET器件低碳团簇栅氧的制造方法，包括以下步骤：SiC衬底上沉积SiC外延层；SiC外延层进行离子注入并进行高温退火；SiC外延层生长Si外延层；Si外延层上利用低温热氧化法生长栅氧SiO2层；栅氧SiO2层上进行栅氧多晶硅沉积；沉积的栅氧多晶硅进行栅氧图形光刻；栅氧多晶硅刻蚀和栅氧刻蚀；本发明既能够抑制在SiCMOSFET器件中栅氧SiO2与SiC外延层界面碳团簇劣质结构的形成又能改善开启电压(Vth)稳定性和提高器件的可靠性。
一种 sic mosfet 器件低碳团簇栅氧制造方法

[发明专利]一种提高雪崩耐量的沟槽型MOSFET器件的制造方法-CN202310716520.1在审
发明人： 马利奇;铃木键之;李旻姝;洪吉文;牛连瑞 -专利权人：浙江萃锦半导体有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高雪崩耐量的沟槽型MOSFET器件的制造方法，包括在N型衬底上沉积N‑外延层并与衬底构成漏极区；在N‑外延层内形成具有预定扩散深度的P型基区；在P型基区区域内形成与该P型基区相反导电类型的N+型源区和N‑型源区；在N+型源区域内形成到达N‑外延层并穿过P型基区的沟槽；在沟槽的底部和侧壁生长栅氧化层；在生长了栅氧化层的沟槽内沉积多晶硅以形成栅电极；在栅电极的表面覆盖层间绝缘层；将P型基区和N+型区域通过源接触区域连接到层间绝缘层上；本发明通过将与源电极相接触的源区域设计为高浓度的N+区域和低浓度的N‑区域，以抑制器件结构中存在的寄生的npn双极晶体管的导通，从而提高器件的雪崩耐量。
一种提高雪崩沟槽 mosfet 器件制造方法

[发明专利]一种TBO SG双沟槽型SIC MOSFET元胞结构、器件及制造方法-CN202310792623.6在审
发明人：李鎔碩;马利奇;金秉燮;李旻姝;牛连瑞;洪吉文 -专利权人：浙江萃锦半导体有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开一种TBOSG双沟槽型SICMOSFET元胞结构、器件及制造方法，包括SiC衬底以及设置在所述SiC衬底上的SiC外延层，所述SiC外延层上具有栅极沟槽，所述栅极沟槽底部设置有厚底氧化物层，所述厚底氧化物层上设置有第一多晶硅层，所述第一多晶硅层上设置有栅氧化膜，所述栅氧化膜上设置有第二多晶硅层。将多晶硅层极分为Body‑poly和Gate‑poly两部分，提高器件的开关速度和可靠性。厚底氧化物层(TBO)代替栅沟槽内屏蔽结构，可以减少一次外延层的沉积。
一种 tbo sg 沟槽 sic mosfet 结构器件制造方法

[发明专利]一种新型栅极总线结构的形成方法-CN202310414971.X在审
发明人： 马利奇;铃木键之;余恒文;李旻姝;洪吉文;郑英豪 -专利权人：浙江萃锦半导体有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种新型栅极总线结构的形成方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：在衬底上形成N型外延层；在N型衬底的背面形成漏电极；在N型外延层内，形成了多个FET元胞14a和FET元胞14b，FET元胞14a各自形成为条形元胞，FET元胞14b在FET单元14a的两端处各自形成为方形的元胞；在通道基区内形成高浓度基区和高浓度N型漏区。本发明通过在栅极总线下方去除P区，形成了短条形元胞，既可以解决了电场集中问题，也提高器件的反向耐压性能，同时通过减少P区的形成，避免器件中寄生二极管的存在，提高了器件的可靠性，也减少一道注入工艺，降低生产成本；除此以外，还可以增加器件的导通面积。
一种新型栅极总线结构形成方法

[发明专利]一种沟槽型MOSFET器件源区的形成方法-CN202310414969.2在审
发明人：余恒文;铃木键之;李旻姝;郑英豪;马利奇;洪吉文 -专利权人：浙江萃锦半导体有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种沟槽型MOSFET器件源区的形成方法，属于半导体领域，包括以下步骤：准备P型硅基座，并在P型硅基座上生长一层外延层；在外延层上形成N型区域；在N层区域上形成伸出外延层的沟槽；通过热氧化法在沟槽的内壁和底部形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜内沉积掺杂多晶硅作为栅电极；在栅电极上边涨膜边掺入B杂质，形成掺杂的绝缘层。本发明通过将栅极的厚度控制在N型区厚度以内，在栅极涨一层掺杂浓度较大的绝缘膜层，借助高温热处理工艺使得绝缘膜层中的杂质扩散至沟槽两边形成源区，可有效抑制源区载流子空穴向栅绝缘膜扩散，提高栅极绝缘膜的耐压性，消除助长栅极绝缘膜耐压老化。
一种沟槽 mosfet 器件形成方法

[发明专利]一种沟槽型MOSFET器件的形成方法-CN202310425767.8在审
发明人：余恒文;铃木健之;李旻姝;郑英豪;马利奇;洪吉文;牛连瑞 -专利权人：浙江萃锦半导体有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型MOSFET器件的形成方法，属于半导体器件技术领域，该方法的步骤如下：在P+型硅基底上生长一层P‑外延层；在P‑外延层上形成N型区域，在N型区域形成伸入外延层的沟槽；在沟槽内壁和底部形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜内沉积掺杂的多晶硅作为栅电极；使得多晶硅凹陷入沟槽内，其厚度低于N型区域的表面；在栅电极边掺杂边沉积层间绝缘膜；在层间绝缘膜中形成接触孔，连通N型区域和源区；对晶片进行高温热处理，使得层间绝缘膜中的杂质扩散至N型区域形成与沟槽相接触的源区；在整个晶片上涨金属膜形成源电极；在P+型硅基底的背面涨金属形成漏区。抑制杂质从源区扩散至栅绝缘膜，改善栅绝缘膜的耐压降低；消除栅极绝缘膜的耐压劣化。
一种沟槽 mosfet 器件形成方法

[发明专利]一种提升沟槽型SIC MOSFET器件开关速度的方法-CN202310513371.9在审
发明人：李鎔碩;马利奇;金秉燮;李旻姝;訾夏雪 -专利权人：浙江萃锦半导体有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升沟槽型SICMOSFET器件开关速度的方法，属于半导体器件技术领域，能够通过在SIC外延层表面形成沟槽并在沟槽底部和侧壁生长栅极氧化膜，在形成的栅极氧化膜上沉积多晶硅薄膜且对沟槽底部多晶硅膜进行刻蚀并在多晶硅薄膜上沉积Nitride，再通过刻蚀沟槽Nitride并在刻蚀掉Nitride的多晶硅上生长氧化层，然后通过去除剩余的Nitride并在此基础上涨一层多晶硅以形成减小Cgd的新的器件结构方法的方式，实现避免Cgd过大、减慢器件开关速率以及降低器件损耗的技术效果。
一种提升沟槽 sic mosfet 器件开关速度方法

[发明专利]一种低导通电阻的MOSFET功率器件、制造方法及芯片-CN202310209987.7在审
发明人： 马利奇;俞铁刚 -专利权人：杭州朋声科技有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种低导通电阻的MOSFET功率器件、制造方法及芯片，包括：衬底、源极，栅极，漏极、具有第一导电类型的漂移区、具有第二导电类型的体区、具有第一导电类型的源区、金属区；其中所述漂移区形成在衬底上方；体区形成在漂移区上方；源区形成在体区上方；第一金属层形成在源区上方，并图形化形成源极和栅极第二金属层形成在衬底下方，并图形化形成漏极；所述金属区形成于所述衬底中。本发明的有益效果体现在：在衬底中增加金属区域，利用金属的低电阻率，从而大幅度降低同厚度同掺杂浓度的衬底的电阻，使得MOSFET功率器件的导通电阻及导通损耗降低。
一种通电 mosfet 功率器件制造方法芯片

[发明专利]一种接触自对准沟槽栅功率器件、制造方法及芯片-CN202310214136.1在审
发明人： 马利奇 -专利权人：杭州朋声科技有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种接触自对准沟槽栅功率器件的结构、制造方法及芯片，包括，源极，栅极，漏极，衬底；具有第一掺杂类型的漂移区；具有第二掺杂类型的体区；具有第一掺杂类型的源区；沟槽；介质层；其中漏极、衬底、漂移区、体区、源区、源极由下至上堆叠设置；所述沟槽自体区刻蚀延伸至漂移区；栅极形成在沟槽内；所述介质层形成于沟槽内且位于所述栅极上；所述源区形成于所述体区内，且位于体区靠近沟槽的一侧。本发明实现了源极金属与源区之间无需接触孔便可电气连接，解决了由于晶圆翘曲而导致在打接触孔时对不准的问题，降低了元胞尺寸，提高了沟道密度，降低了导通电阻。
一种接触对准沟槽功率器件制造方法芯片

1
共 10 条