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[发明专利]虾线清理装置-CN201711137007.8有效
发明人：田野;佟海亮;佟海磊;方少辉;马凌 -专利权人：山西浩晖科技有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： A22C29/02 文献下载
摘要：本发明提供了虾线清理装置，具体包括底座，底座上设有两个清理单元，清理单元包括设置在底座上的转轮，转轮的外周面为内凹环槽面而在其外周形成周向封闭的环槽，环槽内具有用于放置待清理虾的承载位，清理单元还包括切除机构，切除机构包括旋转切刀以及切刀马达，旋转切刀包括圆形刀片以及设置在圆形刀片至少一侧的清扫刷，旋转切刀与转轮位于同一转动平面内，转轮通过凸轮机构与切除机构传动连接且通过摆动动作而靠近和远离转轮。本发明的虾线清理装置在使用时，将待清理虾放置在承载位，然后转轮转动，旋转切刀在转轮的带动下靠近转轮，并将承载位内的待清理虾的虾背切开、将虾线扫出，方便清理虾壳内的虾线。
清理装置

[发明专利]虾线去除装置-CN201711137459.6有效
发明人：田野;佟海亮;佟海磊;方少辉;马凌 -专利权人：山西浩晖科技有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： A22C29/02 文献下载
摘要：本发明涉及去除虾线的装置，提供了一种虾线去除装置。虾线去除装置，包括用于输送虾的输送带和用于对虾进行剖切的圆盘切刀，所述输送带为步进输送带，其上设有沿输送带延伸方向间隔布置的虾放置位，虾线去除装置还包括设置在圆盘切刀的朝向输送带的输送方向一侧的清扫滚刷，圆盘切刀和清扫滚刷均上下活动设置且均具有在虾放置位步进到位时运动到下方以对虾进行剖切或扫除虾线的作业位，还具有运动到上方以避让输送带上的虾放置位的避让位。上述方案解决了现有技术中的虾线去除装置不能完全实现虾线的去除的问题。
去除装置

[发明专利]基于压缩环境的故障扫描链屏蔽方法-CN202310152503.X在审
发明人：钱静洁;马凌 -专利权人：无锡玖熠半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R31/3185 文献下载
摘要：本申请公开基于压缩环境的故障扫描链屏蔽方法，涉及EDA检测领域，确定芯片扫描链总数及最大故障扫描链数目，生成待测向量集和屏蔽信号；依次选取测试向量，根据屏蔽信号及故障排列组合对扫描链进行故障屏蔽诊断，确定目标扫描链；更新屏蔽信号，在检测故障覆盖率满足系统设定阈值时，生成目标测试向量集和目标屏蔽信号集；屏蔽信号解码器根据目标测试向量和目标屏蔽信号对目标扫描链进行屏蔽测试，根据扫描链压缩器的压缩响应输出对扫描链故障进行诊断分析。遵照故障检测权重越高的扫描链越需要被先观察，屏蔽权重值越低的组合中出现次数越高的扫描链越需要屏蔽原则确定测试向量和屏蔽信号，可以大幅提高诊断效率和诊断精度。
基于压缩环境故障扫描屏蔽方法

[发明专利]歌词生成方法、装置、设备、介质及程序产品-CN202310277045.2在审
发明人：江琳;李想;常永炷;张荣升;翁雨晨;郭魏魏;张杭琪;马凌 -专利权人：杭州网易云音乐科技有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F16/683 文献下载
摘要：本申请提供了一种歌词生成方法、装置、设备、介质及程序产品，包括：获取对多个作词模式中目标作词模式的选择操作；响应于对目标作词模式的选择操作，获取与目标作词模式对应的初始文本；获取歌词格式数据；显示目标歌词，目标歌词基于初始文本、歌词格式数据确定。以提高歌词生成方式的多样性。
歌词生成方法装置设备介质程序产品

[发明专利]一种空调器及其防油堵控制方法-CN202210651770.7有效
发明人：张士兵;马凌;刘芝芸;刘睿;郭成才 -专利权人：海信空调有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： F25B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种空调器及其防油堵控制方法，该空调器包括：冷媒循环回路，由压缩机、四通阀、室外换热器、节流装置和室内换热器组成；可开闭的旁通管路，其第一端连接在所述四通阀与所述室内换热器之间的连接管路上，其第二端连接在所述室内换热器与所述节流装置之间的连接管路上；所述控制器，用于：响应于制热指令，控制所述冷媒循环回路按照制热冷媒流向输送冷媒；周期性地控制所述旁通管路开启预设时长，直至所述旁通管路的开启次数达到预设次数为止。采用本发明实施例，能够有效疏通冷媒循环回路中的节流装置处的油堵，从而提高空调系统的可靠性。
一种空调器及其防油堵控制方法

[发明专利]一种数据处理方法及处理器-CN201811046055.0有效
发明人：马凌;姚四海;张磊 -专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G06F12/0808 文献下载
摘要：本申请提供一种数据处理方法及处理器；所述数据处理方法应用于多核处理设备中，所述多核处理设备包括第一处理器、第二处理器；所述数据处理方法包括：第一处理器在私有缓存中对第一数据进行写操作；完成写操作后，如果所述第一数据在被所述第一处理器写操作前的最后一次更改是由其它处理器进行的，则将所述第一处理器的私有缓存中的所述第一数据写到最后一级缓存LLC中，无效化所述第一处理器的私有缓存中的所述第一数据；第二处理器在私有缓存中对第一数据进行写操作；完成写操作后，将所述第二处理器的私有缓存中的所述第一数据写到所述LLC中，无效化所述第二处理器的私有缓存中的所述第一数据。
一种数据处理方法处理器

[发明专利]基于鲸类叫声脉冲时间长度的通信方法及装置-CN201810573676.8有效
发明人：蒋佳佳;段发阶;王宪全;李春月;傅骁;卜令冉;孙中波;黄婷婷;马凌 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H04B11/00 文献下载
摘要：本发明属于水下通信技术领域，为提高水声通信的隐蔽性，本发明采用的技术方案是，基于鲸类叫声脉冲时间长度的通信方法及装置，通信编码器从鲸类叫声脉冲库中选取相应时间长度的叫声脉冲，对通信息进行编码，然后，将带有编码信息的鲸类叫声脉冲传输给声源；声源鲸类叫声脉冲发向水中；通信解码器根据每个叫声脉冲的持续时间长度的大小，对通信信息进行解码，然后将解码出的通信信息通过通信信号输出器输出。本发明主要应用于水下隐蔽通信场合。
基于叫声脉冲时间长度通信方法装置

[发明专利]一种混合型气相外延生长系统-CN202111405554.6在审
发明人：马凌;丁建 -专利权人：马凌
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种混合型气相外延生长系统，其包括混合型生长模块和用于装载晶圆的托盘，所述混合型生长模块包含至少一个HVPE生长子系统和至少一个MOCVD生长子系统，所述HVPE生长子系统和MOCVD生长子系统分别设有独立的生长腔室；所述托盘能够快速在所述混合型生长模块的各个生长腔室中切换位置。本发明的混合型气相外延生长系统，实现HVPE系统和MOCVD系统的优势互补，用于解决单独HVPE系统无法满足制备多层功能薄膜的需求，和单独的MOCVD系统生长速率慢、薄膜材料成本高的技术问题；还能充分发挥HVPE系统生长速率快、外延晶体质量高、材料成本低的优点，和MOCVD系统的技术可控性更好等优势。
一种混合型气相外延生长系统

[发明专利]用于基于沟槽的半导体器件的场板锚定结构-CN202211482600.7在审
发明人：马凌 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及用于基于沟槽的半导体器件的场板锚定结构。半导体器件包括：半导体衬底；第一栅极沟槽和第二栅极沟槽，两者从半导体衬底的第一主表面延伸到所述半导体衬底中；由第一栅极沟槽和第二栅极沟槽界定的半导体台面；以及，场板沟槽，从第一主表面延伸穿过半导体台面。场板沟槽包括通过气隙而与场板沟槽的每个侧壁和底部分离的场板。场板通过占据在场板的中心部分中的空间的电绝缘材料而在场板沟槽的底部处锚定到半导体衬底，电绝缘材料跨越气隙以在场板的沟槽底部处接触半导体衬底。也描述了制造半导体器件的方法。
用于基于沟槽半导体器件锚定结构

[发明专利]基于图像辅助原子发射光谱的油液元素检测方法及装置-CN201911125448.5有效
发明人：傅骁;段发阶;蒋佳佳;张聪;鲍瑞伽;马凌;刘文正;郑好;刘昌文 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01N21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种基于图像辅助原子发射光谱的油液元素检测方法及装置，方法包括以下步骤：(1)利用摄像机和转盘电极原子发射光谱仪，同步采集油液样品的电弧等离子体图像和原子发射光谱，利用元素谱线估算等离子体状态参数，建立等离子体图像与状态参数的内在联系；(2)基于电弧等离子体图像和原子发射光谱数据，运用偏最小二乘算法(PLS)，建立图像‑光谱训练模型和测试模型，先通过训练模型求解得到补偿比例系数，再利用测试模型求解得到补偿后的谱线强度；(3)利用补偿后的谱线强度，结合定量分析算法，实现油液元素含量检测。该方法能够在不显著增加成本的情况下，明显提高油液元素现场检测精度，改善元素检测的重复性。
基于图像辅助原子发射光谱元素检测方法装置

[发明专利]基于代价损失因子的扫描链及组合逻辑故障诊断方法-CN202310100980.1在审
发明人：钱静洁;马凌 -专利权人：无锡玖熠半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01R31/3183 文献下载
摘要：本申请公开基于代价损失因子的扫描链及组合逻辑故障诊断方法，涉及EDA检测领域，通过检测待测芯片找出所有故障扫描链并判断故障类型；使用ATPG测试模式集来确定故障扫描链中可疑扫描单元的可疑范围；依次在可疑范围内的每个候选扫描单元注入与故障扫描链相同类型的故障，通过比较候选扫描单元的模拟响应及故障电路响应计算故障扫描链的代价损失因子，确定故障扫描链的目标故障点位；修改目标故障点位，将当前周期累计的总代价损失因子与前一周期内累计比较；若总代价损失因子不小于前一周期时，确定所有故障点并结束芯片故障诊断；该方案可以节省外围硬件开销，还能精准定位每个故障扫描链上的故障点，提高诊断效率和检测精度。
基于代价损失因子扫描组合逻辑故障诊断方法

[发明专利]多芯片组件和制造多芯片组件的方法-CN202211389039.8在审
发明人：马凌;R·哈泽;T·亨森 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：多芯片组件包括：第一功率晶体管管芯，所述第一功率晶体管管芯具有面向第一方向的源极端子和面向与第一方向相反的第二方向的漏极端子；以及第二功率晶体管管芯，所述第二功率晶体管管芯具有面向第一方向的漏极端子和面向第二方向的源极端子。电介质材料占据第一功率晶体管管芯和第二功率晶体管管芯之间的间隙，并且将第一功率晶体管管芯和第二功率晶体管管芯彼此固定。金属化部将第一功率晶体管管芯的源极端子连接到在多芯片组件的同一侧处的第二功率晶体管管芯的漏极端子。由电介质材料占据的间隙小于70μm。还描述了相应的制造多芯片组件的方法。
芯片组件制造方法

[发明专利]快速完成BIM三维可视化平台模型制作的方法-CN202211700228.2在审
发明人：王典;毕林;朱木子;张雨;胥志洪;胡江稳;郑涛;马凌 -专利权人：中建电子信息技术有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06T19/20 文献下载
摘要：本发明涉及BIM三维模型制作技术领域，特别涉及一种快速完成BIM三维可视化平台模型制作的方法，通过在图形引擎内进行逻辑算法开发，将BIM模型进入图形引擎后统一完成展示业务与数据业务处理，具体包括：在图形引擎内创建鼠标指针，并创建展示模型信息的UI界面；创建鼠标点击事件生成指针下射线动作对击中对象进行信息识别；通过变量运算确定模型信息后，对击中对象进行信息临时提取，更新至模型信息的UI界面，达到模型数据层交互；通过创建高亮材质临时替换击中对象材质，达到展示层交互。本发明避免了出现数模结合不匹配的情况，无需进行大量重复校验工作，即可保持三维模型处理工作的持续性；优化了工作流程，提升模型处理效率。
快速完成 bim 三维可视化平台模型制作方法

[发明专利]一种空调器及其防油堵控制方法-CN202211507466.1在审
发明人：刘芝芸;张士兵;马凌 -专利权人：海信空调有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： F24F1/0007 文献下载
摘要：本发明公开了‑种空调器及其防油堵控制方法，空调器包括第一超声波换能器，设于节流装置与室内换热器之间；第二超声波换能器，设于节流装置与室外换热器之间；控制器用于：在空调器切换至除霜模式运行时，若判断到所述空调器满足预设除霜油堵发生条件，则驱动第一超声波换能器发生超声波，直至检测到空调器满足预设除霜油堵疏通条件为止；在空调器切换至制热模式运行且连续运行时间小于或等于预设时间阈值时，若判断到所述空调器满足预设制热油堵发生条件，则驱动第二超声波换能器发生超声波，直至检测到空调器满足预设制热油堵疏通条件为止。采用本发明能够有效疏通冷媒循环回路中的节流装置及其附属管路处的油堵，从而提高空调系统的可靠性。
一种空调器及其防油堵控制方法

[发明专利]晶体管器件和用于产生晶体管器件的方法-CN202211196878.8在审
发明人：黄伟峻;T·亨森;马凌 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及晶体管器件和用于产生晶体管器件的方法。晶体管器件包括：半导体本体，包括第一表面、与第一表面相对的第二表面和侧面；有源区域和横向地围绕有源区域的边缘终止区；在第二表面处的第一导电类型的漏极区和在漏极区上的第一导电类型的漂移区。在有源区域中，第二导电类型的本体区布置在漂移区上，并且第一导电类型的源极区布置在本体区上，至少一个栅电极位于从第一表面延伸到半导体本体中的栅极沟槽中。提供超结结构，其包括第二导电类型的多个柱，其中，该超结结构位于有源区域和边缘终止区中。提供多个第一接触部，其中，对于有源区中的第二导电类型的每个柱，第一接触部延伸穿过本体区。第一接触部包括导电材料。
晶体管器件用于产生方法