|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 26个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]碳化硅半导体装置及电力转换装置-CN201911059877.7有效
-
石桥和也;楢崎敦司;香川泰宏;田口健介
-
三菱电机株式会社
-
2019-11-01
-
2023-04-14
-
H01L27/04
- 涉及碳化硅半导体装置及电力转换装置。提供能够对由碳化硅晶体的堆叠缺陷引起的装置性能的劣化进行抑制的半导体装置。漂移层(21)具有第1导电型。阱区域(22)具有第2导电型。源极区域(23)设置于阱区域(22)之上，具有第1导电型。阱接触区域(24)与阱区域(22)接触，阱接触区域(24)具有第2导电型，具有比阱区域(22)的第2面处的杂质浓度高的第2面处的杂质浓度。栅极电极(42)设置于栅极绝缘膜(41)之上。肖特基电极(51)与漂移层(21)接触。源极欧姆电极(52)与源极区域(23)接触。电阻体(53)与阱接触区域(24)接触，电阻体(53)具有比源极欧姆电极(52)高的每单位面积的电阻。
- 碳化硅半导体装置电力转换
- [发明专利]碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管-CN202210212331.6在审
-
菅原胜俊;香川泰宏;福井裕
-
三菱电机株式会社
-
2022-03-04
-
2022-09-13
-
H01L29/06
- 一种碳化硅‑金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明的目的是抑制耐压下降及接通电压增加并且使体二极管电流增加。SiC‑MOSFET(101)具有：第1导电型的SiC衬底(1)；第1导电型的漂移层(2)，形成于SiC衬底(1)之上；第2导电型的基极区域(3)，形成于漂移层(2)的表层；第1导电型的源极区域(4)，形成于基极区域(3)的表层；栅极电极(6)，隔着栅极绝缘膜(5)而与被漂移层(2)及源极区域(4)夹着的基极区域(3)的区域即沟道区域相对；源极电极(8)，与源极区域(4)电接触；以及第2导电型的多个第1填埋区域(10)，在基极区域(3)的下表面相邻地形成。多个第1填埋区域(10)至少形成于基极区域(3)的两端部的正下方，彼此分离地形成大于或等于3个。
- 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
- [发明专利]半导体装置及其制造方法、电力变换装置-CN201910117868.2有效
-
香川泰宏
-
三菱电机株式会社
-
2019-02-15
-
2022-06-24
-
H01L29/06
- 得到在接通状态下抑制JFET电阻，在断开状态下保护栅极沟槽底部的栅极绝缘膜的半导体装置。具备：第1导电型的第1半导体层；其上层部的第2导电型的第1半导体区域；其上层部的第1导电型的第2半导体区域；栅极沟槽，将第1、2半导体区域沿厚度方向贯通，底面到达第1半导体层内；栅极绝缘膜，覆盖栅极沟槽内壁面；栅极电极，埋入至栅极沟槽内；第2导电型的第2半导体层，在比栅极沟槽底面深的位置沿第1半导体层的厚度方向延伸；第2导电型的第3半导体层，与栅极沟槽的1个侧面以及第1半导体区域底面接触，延伸至比栅极沟槽底面深的位置；以及第1导电型的第4半导体层，在比栅极沟槽底面深的位置夹设在第2与第3半导体层之间。
- 半导体装置及其制造方法电力变换
- [发明专利]半导体装置-CN202010961813.2在审
-
菅原胜俊;香川泰宏;福井裕
-
三菱电机株式会社
-
2020-09-14
-
2021-03-19
-
H01L29/06
- 提高具有沟槽型的开关元件以及电流感测元件的半导体装置的耐压能力。半导体装置具有在有源区域(101)形成的沟槽型的开关元件和在电流感测区域(102)形成的沟槽型的电流感测元件。在埋入了开关元件的栅极电极(7a)的沟槽(5a)、埋入了电流感测元件的栅极电极(7b)的沟槽(5b)以及形成于有源区域(101)与电流感测区域(102)的边界部分处的沟槽(5c)的下方，分别形成有保护层(8a)、(8b)、(8c)。有源区域(101)与电流感测区域(102)的边界部分的保护层(8c)具有在从有源区域(101)朝向电流感测区域(102)的方向将保护层(8c)截断的截断部(15)。
- 半导体装置
- [发明专利]碳化硅半导体装置-CN201580085013.6有效
-
田中梨菜;菅原胜俊;香川泰宏;三浦成久
-
三菱电机株式会社
-
2015-12-07
-
2020-11-13
-
H01L29/78
- 在碳化硅单晶基板(1)上，设置有具有第1杂质浓度的第1导电类型的漂移层(2)、第2导电类型的体区域(5)以及第1导电类型的源极区域(3)。栅极绝缘膜(9)覆盖沟槽(7)，该沟槽在第1单元区域(CL1)以及第2单元区域(CL2)中贯通源极区域(3)以及体区域(5)而到达漂移层(2)。栅电极(10)内置于沟槽(7)内。第1导电类型的高浓度层(6)在第1单元区域(CL1)中设置于漂移层(2)与体区域(5)之间，具有比第1杂质浓度高的第2杂质浓度。电流抑制层(14)在第2单元区域(CL2)中设置于漂移层(2)与体区域(5)之间，具有第1导电类型，具有比第1杂质浓度高且比第2杂质浓度低的第3杂质浓度。
- 碳化硅半导体装置
- [发明专利]电力用半导体装置-CN201680031243.9有效
-
香川泰宏;田中梨菜;福井裕;菅原胜俊
-
三菱电机株式会社
-
2016-05-16
-
2020-08-18
-
H01L29/78
- 保护扩散区域(11)具有：第一保护扩散区域(11A)，配置于最接近终端区域(200)的位置；以及第二保护扩散区域(11B)，与第一保护扩散区域(11A)隔着第一间隔(SP1)配置。作为终端扩散区域(12)与第一保护扩散区域(11A)之间的距离的第二间隔(SP2)大于第一间隔(SP1)。第一导电类型的电流扩散层(30)具有：第一电流扩散层(31)，位于第一保护扩散区域(11A)与第二保护扩散区域(11B)之间且具有比漂移层(2)的杂质浓度高的杂质浓度；以及第二电流扩散层(32V)，位于第一保护扩散区域(11A)与终端扩散区域(12)之间。第二电流扩散层(32V)包括具有比电流扩散层(31)的杂质浓度低的杂质浓度的区域。
- 电力半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201580051622.X有效
-
福井裕;香川泰宏;田口健介;藤原伸夫;菅原胜俊;田中梨菜
-
三菱电机株式会社
-
2015-09-09
-
2020-07-10
-
H01L29/78
- 本发明的目的在于在具有外部沟槽的沟槽栅极型的半导体装置中提高外部沟槽开口端的角部处的绝缘膜的可靠性。本发明的半导体装置的特征在于，具备：栅极沟槽(6)，达至单元区域(30)内的n型的漂移层(3)的内部；外部沟槽(6a)，形成在单元区域的外侧；栅极电极(8)，隔着栅极绝缘膜(7)而形成在栅极沟槽(6)的内部；栅极布线(20)，隔着绝缘膜(22)而形成在外部沟槽(6a)的内部；以及栅极布线引出部(14)，以覆盖外部沟槽(6a)的单元区域侧的开口端的角部的方式隔着绝缘膜(22)而形成，电连接栅极电极(8)和栅极布线，在与角部相接的漂移层的表面层形成的第2杂质区域是p型，第2杂质区域是阱区域的一部分。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201580052617.0有效
-
菅原胜俊;香川泰宏;田中梨菜;福井裕
-
三菱电机株式会社
-
2015-09-16
-
2020-05-26
-
H01L29/78
- 特征在于具备：第2导电类型的基极区域(3)，形成在第1导电类型的漂移层(2a)上；第1导电类型的源极区域(4)，位于基极区域(3)内；沟槽(5)，贯通基极区域(3)和源极区域(4)，在俯视时划分单元区域(14)；第2导电类型的保护扩散层(7)，配设于沟槽(5)的底部；栅极电极(8)，隔着栅极绝缘膜(6)埋入到沟槽(5)内；源极电极(10)，与源极区域(4)电连接；以及保护接触区域(15)，配设于3个以上的单元区域(14)的位置，连接保护扩散层(7)和源极电极(10)，保护接触区域(15)被配设成使以处于最近的距离的3个保护接触区域(15)的中心为顶点的三角形(18)成为锐角三角形，保护扩散层在遍及包括单元区域以及保护接触区域的半导体区域的整个区域而配设于沟槽的底部，单元区域与保护接触区域在俯视时具有相同的宽度。
- 半导体装置
- [发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201580078411.5有效
-
田中梨菜;香川泰宏;菅原胜俊;三浦成久
-
三菱电机株式会社
-
2015-11-19
-
2020-05-19
-
H01L29/78
- 本发明涉及碳化硅半导体装置及其制造方法。第1导电型的漂移层(2)包含碳化硅。第2导电型的主体区域(5)设置在漂移层(2)上。第1导电型的源极区域(3)设置在主体区域(5)上。源极电极(11)连接于源极区域(3)。栅极绝缘膜(9)设置在贯通主体区域(5)和源极区域(3)的沟槽(6)的侧面上和底面上。栅极电极(10)隔着栅极绝缘膜(9)设置在沟槽(6)内。第2导电型的沟槽底面保护层(15)在漂移层(2)内设置在沟槽(6)的底面的下方，电连接于源极电极(11)。沟槽底面保护层(15)具有：高浓度保护层(8)；和设置在高浓度保护层(8)的下方、杂质浓度比高浓度保护层(8)低的第1低浓度保护层(7)。
- 碳化硅半导体装置及其制造方法
|
