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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]三维半导体装置及其制造方法-CN201810311074.5有效
发明人：李昭贤;沈善一;李载德;张在薰;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维半导体装置及其制造方法。三维半导体装置包括：堆叠结构，其包括交替地堆叠在衬底上的绝缘层和电极；衬底与堆叠结构之间的水平半导体图案；竖直半导体图案，其穿过堆叠结构，并且连接至水平半导体图案；以及位于堆叠结构的一侧的共源极插塞。堆叠结构、水平半导体图案和共源极插塞在第一方向上延伸。水平半导体图案包括在第一方向上延伸的第一侧壁。第一侧壁具有朝着共源极插塞突出的突起。
三维半导体装置及其制造方法

[发明专利]三维半导体存储器件、包括其的电子系统及其制造方法-CN202211640505.5在审
发明人：沈在龙;张东爀;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：公开了3D半导体存储器件、包括该3D半导体存储器件的电子系统以及制造该3D半导体存储器件的方法。3D半导体存储器件包括：下选择线，在衬底上沿第一方向延伸，并且在与衬底的顶面平行且与第一方向相交的第二方向上彼此间隔开；中间堆叠结构，包括交替堆叠在下选择线上的电极层和电极层间介电层；上选择线，在中间堆叠结构上沿第一方向延伸并且在第二方向上彼此间隔开；第一抛光停止层，设置在中间堆叠结构与下选择线之间。第一抛光停止层包括与电极层间介电层的材料不同的材料。
三维半导体存储器件包括电子系统及其制造方法

[发明专利]三维半导体存储器件和包括其的电子系统-CN202211553881.0在审
发明人：金承允;金森宏治;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：本发明构思涉及三维半导体存储器件和包括其的电子系统。该三维半导体存储器件包括：堆叠结构，包括顺序堆叠在衬底上的接地选择线、第一字线、第二字线和串选择线；垂直沟道结构，穿透堆叠结构并被排列以形成多列；下分离结构，在第一方向上与堆叠结构的下部交叉，并沿与第一方向交叉的第二方向划分接地选择线；以及第一上分离结构和第二上分离结构，在第一方向上与堆叠结构的上部交叉，并沿第二方向划分串选择线，其中下分离结构和第一上分离结构与垂直沟道结构的所述列之一垂直重叠，并且第二上分离结构提供在垂直沟道结构之间。
三维半导体存储器件包括电子系统

[发明专利]垂直非易失性存储器装置-CN202310158655.0在审
发明人：孙荣皖;张在薰;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B20/00 文献下载
摘要：提供了一种垂直非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包括在基底上的下绝缘层、包括交替地堆叠在下绝缘层上的栅电极和层间绝缘层的多层结构、栅极电介质以及沟道结构，并且非易失性存储器装置具有穿过多层结构延伸并暴露下绝缘层的开口。开口包括以第一宽度穿过多层结构中的至少一层延伸的第一开口部分以及以比第一宽度小的第二宽度穿过多层结构延伸的第二开口部分。栅极介电层位于开口中，沟道结构设置在栅极介电层上并电连接到基底。
垂直非易失性存储器装置

[发明专利]三维半导体存储器件以及包括其的电子系统-CN202211083785.4在审
发明人：金承允;金森宏治;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维半导体存储器件和包括该三维半导体存储器件的电子系统。该三维半导体存储器件包括基板和在基板上的堆叠结构。该堆叠结构包括：在第一方向上延伸并在与第一方向交叉的第二方向上排列的第一块以及在第一块之间的第二块；分隔结构，在第一方向上延伸并在第二方向上布置在第一块之间以及在第一块和第二块之间；穿透第一块并接触基板的垂直沟道结构；以及穿透第二块和基板的贯穿通路结构。每个第一块在第二方向上的宽度等于第二块在第二方向上的宽度。
三维半导体存储器件以及包括电子系统

[发明专利]垂直非易失性存储器装置-CN201711157724.7有效
发明人：孙荣皖;张在薰;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：提供了一种垂直非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包括在基底上的下绝缘层、包括交替地堆叠在下绝缘层上的栅电极和层间绝缘层的多层结构、栅极电介质以及沟道结构，并且非易失性存储器装置具有穿过多层结构延伸并暴露下绝缘层的开口。开口包括以第一宽度穿过多层结构中的至少一层延伸的第一开口部分以及以比第一宽度小的第二宽度穿过多层结构延伸的第二开口部分。栅极介电层位于开口中，沟道结构设置在栅极介电层上并电连接到基底。
垂直非易失性存储器装置

[发明专利]半导体器件和电子系统-CN202211002748.6在审
发明人：孙仑焕;金亨珍;辛承俊;申重植;申旻树;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10B53/20 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：下阶梯连接部，在衬底上位于第一竖直高度处；上阶梯连接部，在衬底上位于高于第一竖直高度的第二竖直高度处；下绝缘块，在第一竖直高度处接触多个下导电焊盘部中的每一个；上绝缘块，在第二竖直高度处接触多个上导电焊盘部中的每一个；中间绝缘膜，在第一竖直高度和第二竖直高度之间的第三竖直高度处在下绝缘块和上绝缘块之间；以及第一插塞结构，沿竖直方向延伸到下阶梯连接部、中间绝缘膜和上绝缘块中，其中，第一插塞结构在水平方向上的宽度在第三竖直高度处最大。
半导体器件电子系统

[发明专利]半导体器件及包括其的数据存储系统-CN202211045410.9在审
发明人：金庆东;姜书求;金森宏治;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件及包括其的数据存储系统。半导体器件包括在下部结构上的上部结构。上部结构包括包含栅极层的堆叠结构、穿透堆叠结构的垂直存储器结构、电连接到垂直存储器结构并在堆叠结构下方的位线、以及电连接到垂直存储器结构并在堆叠结构上的导电图案。垂直存储器结构包括绝缘核心区、在绝缘核心区上电连接到导电图案的第一焊盘图案、在绝缘核心区的侧表面和第一焊盘图案的侧表面上的电介质结构、以及沟道层。沟道层包括接触电介质结构的第一部分以及从第一部分延伸并且在第一焊盘图案的下表面和绝缘核心区的上表面之间的第二部分。
半导体器件包括数据存储系统

[发明专利]半导体器件和包括其的数据存储系统-CN202210974266.0在审
发明人：金森宏治;金承允;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括交替层间绝缘层和栅电极的堆叠结构、垂直穿透堆叠结构并在第一方向上延伸以在第二方向上分离栅电极的分离结构、以及垂直穿透堆叠结构并以恒定节距布置的垂直结构。在平面图中，垂直结构沿着远离分离结构一侧在第二方向上顺序布置的阵列线布置。垂直结构包括沟道结构、接触结构和虚设结构，沟道结构具有沟道层，接触结构包括金属插塞并具有在比沟道结构的上表面的水平高的水平的上表面，虚设结构与接触结构相邻地设置。沟道结构、虚设结构和接触结构被设置为在至少一条阵列线上彼此对齐。
半导体器件包括数据存储系统

[发明专利]半导体器件、半导体存储器件和电子系统-CN202210920818.X在审
发明人：闵柱盛;白在馥;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：下绝缘膜，在基板上包括第一沟槽和第二沟槽；在第一沟槽中的第一布线；在第二沟槽中的第二布线；盖绝缘膜，包括绝缘凹陷部分和绝缘衬垫部分；在盖绝缘膜上的上绝缘膜；以及上接触，穿透盖绝缘膜并连接到第一布线。绝缘凹陷部分在第二沟槽中，绝缘衬垫部分沿着下绝缘膜的上表面延伸。上接触包括在第一沟槽中的接触凹陷部分、连接到接触凹陷部分的扩展部分、以及在上绝缘膜内部连接到扩展部分的插塞部分。扩展部分的宽度大于插塞部分的宽度。
半导体器件半导体存储器件电子系统

[发明专利]三维半导体存储器件以及包括其的电子系统-CN202210849272.3在审
发明人：金森宏治;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：公开了三维半导体存储器件以及包括其的电子系统。该三维半导体存储器件包括在基板上的外围电路结构以及单元阵列结构，该单元阵列结构包括堆叠结构、在堆叠结构上的第一源极导电图案以及在穿透堆叠结构和第一源极导电图案的垂直沟道孔中的垂直沟道结构，该堆叠结构包括堆叠在外围电路结构上的多个栅电极。垂直沟道结构包括在垂直沟道孔的侧壁上的数据存储图案、在数据存储图案的侧壁上的垂直半导体图案、以及在垂直半导体图案上并被数据存储图案围绕的第二源极导电图案。在第一源极导电图案和第二源极导电图案之间的数据存储图案的厚度大于在堆叠结构和垂直半导体图案之间的数据存储图案的厚度。
三维半导体存储器件以及包括电子系统

[发明专利]半导体器件和包括其的数据存储系统-CN202210707659.5在审
发明人：金承允;沈在龙;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10B41/10 文献下载
摘要：提供了半导体器件和数据存储系统，所述器件包括：下结构；以及上结构，位于所述下结构上并且包括存储单元阵列，其中，所述下结构包括：半导体衬底；第一有源区和第二有源区，在所述半导体衬底上在第一方向上彼此间隔开，所述第一有源区和所述第二有源区由所述半导体衬底中的隔离绝缘层限定；以及第一栅极图案结构和第二栅极图案结构，在所述半导体衬底上沿所述第一方向延伸以分别与所述第一有源区和所述第二有源区交叉，所述第一栅极图案结构和所述第二栅极图案结构分别具有在所述第一方向上以面对的方式彼此间隔开的第一端部和第二端部，并且在俯视图中，所述第一端部和所述第二端部在相反的方向上远离彼此凹入地弯曲。
半导体器件包括数据存储系统

[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统-CN202210846720.4在审
发明人：千相勋;郑光泳;芦英智;朴正桓;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：衬底；栅电极，其在垂直于衬底的上表面的第一方向上堆叠并彼此间隔开；沟道结构，其穿透栅电极，在第一方向上延伸，并且各自包括沟道层；分离区，其穿透栅电极，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此分离开；以及裂纹防止层，其设置在分离区的至少一部分上，其中，分离区中的每一个包括下区和上区，上区在下区上在第二方向上彼此分离开并且从下区向上突出，并且其中，裂纹防止层接触上区的上表面。
半导体装置包括数据存储系统

[发明专利]三维半导体器件以及包括三维半导体器件的电子系统-CN202210308790.4在审
发明人：卢英智;朴正桓;郑光泳;柳孝俊;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：提供了三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统。该器件包括：衬底；多个堆叠结构，各自包括交替地且重复地堆叠在衬底上的多个层间介电层和多个栅电极；多个竖直沟道结构，贯穿多个堆叠结构；以及分离结构，沿第一方向在多个堆叠结构之间延伸。分离结构包括：多个第一部分，各自具有沿第三方向延伸的柱形形状；以及多个第二部分，在多个层间介电层之间从多个第一部分的侧壁延伸，并在第一方向上将多个第一部分中的第一部分彼此连接。分离结构在与第一方向相交的第二方向上与竖直沟道结构间隔开。第三方向大体垂直于由第一方向和第二方向形成的平面。
三维半导体器件以及包括电子系统

[发明专利]半导体器件和包括其的数据存储系统-CN202210397396.2在审
发明人：金承允;全政勋;千相勋;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：可以提供一种半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括：基板；在基板上的第一焊盘层和第二焊盘层；图案结构，包括在第一焊盘层上的第一开口和在第二焊盘层上的第二开口，并具有第一区域和第二区域；栅电极，在图案结构上并各自包括焊盘区；沟道结构，在第一区域中穿透栅电极；栅极接触插塞，通过每个栅电极的焊盘区电连接到栅电极并在垂直方向上延伸以穿过第一开口并且连接到第一焊盘层；源极接触插塞，在垂直方向上延伸、穿过第二开口并连接到第二焊盘层；以及源极连接图案，在图案结构下方并与源极接触插塞和第二焊盘层接触。
半导体器件包括数据存储系统

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