专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]驱动用集成电路以及驱动系统-CN201711180337.5有效
  • 青木大辅 - 株式会社东海理化电机制作所
  • 2017-11-23 - 2021-06-11 - G09G3/20
  • 本发明提供一种能够有效地限制驱动多个负载的驱动电流,并且能够减小电路规模的驱动用集成电路以及驱动系统。组入驱动系统(1)的驱动用集成电路(50)具备多输入检测电路(20)和驱动电路(30)。在多输入检测电路(20)中,若被输入多个第一驱动信号(S1)~第六驱动信号(S6)中的例如一个第一驱动信号(S1),则输出第一检测信号(Sm)。另外,在多输入检测电路(20)中,例如若被输入多个第一驱动信号(S1)和第二驱动信号(S2),则输出第二检测信号(Sm)。在输出了第二检测信号(Sm)时,在驱动电路(30)中,限制流过第一负载(41)和第二负载(42)的第一驱动电流(Id1)和第二驱动电流(Id2)的电流量。
  • 驱动集成电路以及系统
  • [发明专利]Mo合金靶材及其制造方法-CN202010200455.3在审
  • 青木大辅;福冈淳;熊谷卓哉 - 日立金属株式会社
  • 2020-03-20 - 2020-09-29 - C23C14/34
  • 本发明涉及Mo合金靶材及其制造方法。本申请提供一种Mo合金靶材,其能够同时达成抑制夹持、接合等操作中的靶材变形、切削工具的刀头磨耗、破损,并且抑制溅射时的异常放电。一种Mo合金靶材,其含有10~49原子%的Ni、1~30原子%的Ti并且Ni和Ti的总量为50原子%以下,余量为Mo以及不可避免的杂质;所述Mo合金靶材的维氏硬度为340~450HV,以9个测定点进行测定而得到的维氏硬度的标准偏差为20HV以下。
  • mo合金及其制造方法
  • [发明专利]Mo合金靶材及其制造方法-CN202010200463.8在审
  • 青木大辅;福冈淳;熊谷卓哉 - 日立金属株式会社
  • 2020-03-20 - 2020-09-29 - C23C14/34
  • 本发明涉及Mo合金靶材及其制造方法。本发明提供一种能够同时达成抑制夹持、接合等操作中的靶材变形、切削工具的刀头磨耗、破损,并且抑制溅射时的异常放电的对于FPD等的制造有用的Mo合金靶材。一种Mo合金靶材,其含有10~49原子%的Ni、1~30原子%的Nb并且Ni和Nb的总量为50原子%以下,余量为Mo以及不可避免的杂质;所述Mo合金靶材的维氏硬度为290~460HV,其的偏差[(最大值‑最小值)/(最大值+最小值)]×100(%)为20%以下。
  • mo合金及其制造方法
  • [发明专利]MoNb靶材-CN201810723639.0有效
  • 福冈淳;青木大辅;齐藤和也;上野英 - 日立金属株式会社
  • 2018-07-04 - 2020-09-29 - C23C14/34
  • 一种MoNb靶材。【技术问题】提供一种能够解决布线薄膜、电极薄膜的基底膜、覆盖膜上出现的高电阻的问题以及起因于溅射中靶材的表面粗糙度的结节的问题,能够形成低电阻、且适合于获得稳定的TFT特性的平面图像显示装置的MoNb薄膜的靶材。【解決手段】一种MoNb靶材,其具有含有5原子%~30原子%的Nb、余量为Mo和不可避免的杂质的组成,每200000μm2的溅射面中,具有超过70μm的最大长度的Nb相不足1.0个,Nb相的平均圆当量直径优选为15μm~65μm。
  • monb靶材
  • [发明专利]基板处理装置-CN201510718230.6有效
  • 南田纯也;青木大辅 - 东京毅力科创株式会社
  • 2015-10-29 - 2020-08-04 - H01L21/67
  • 本发明提供一种基板处理装置。本发明要解决的问题在于进一步抑制微粒附着于基板。实施方式的基板处理装置包括输入输出室、输送室和交接室。输入输出室用于从承载件输入基板或者将基板输出至承载件。输送室形成有用于向基板处理室输送基板的输送路径,该基板处理室用于对基板实施规定的处理。交接室配置在输入输出室与输送室之间,用于基板的在输入输出室与输送室之间的交接。并且,交接室的内压高于输入输出室的内压和输送室的内压。
  • 处理装置
  • [发明专利]基板处理装置-CN202010019383.2在审
  • 青木大辅;南田纯也;丰田康典 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-01-08 - 2020-07-14 - H01L21/67
  • 本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置可靠地进行基板处理装置内的空间的气氛调整并且削减气氛调整用的气体的使用量。基板处理装置包括:控制基板处理区的处理区域内的气氛的第1气氛控制系统和控制基板处理区的基板输送区域内的气氛的第2气氛控制系统。第1气氛控制系统在利用各液体处理单元进行液体处理时,利用第1气体供给部向该液体处理单元供给气氛控制气体,并且利用第1气体排出部排出该液体处理单元内的气氛。第2气氛控制系统使气氛调整气体在属于该第2气氛控制系统的循环系统内循环,并且在液体处理单元中的至少一个液体处理单元于基板输送区域开放时,利用第2气体排出部排出第2气氛控制系统的循环系统内的气氛。
  • 处理装置

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