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[实用新型]一种晶圆清洗机构及涂胶装置-CN202320969245.X有效
发明人： 陶佳强;张章龙;沈思涛 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆清洗机构及涂胶装置，属于芯片封装技术领域，包括：旋转机台，适于承载晶圆并带动晶圆沿第一方向转动；清洗结构，对应旋转机台的外周设置；驱动结构，与清洗结构传动连接，驱动结构适于驱动清洗结构沿第二方向转动；第一方向和第二方向相反设置。本实用新型提供的一种晶圆清洗机构，在涂胶完成后，旋转机台继续带动晶圆沿第一方向转动，同时，启动驱动结构，使驱动结构带动清洗结构沿第二方向转动，也即，清洗结构在对晶圆进行清洗的同时，沿与晶圆旋转方向相反的方向转动，因此，增加了晶圆和清洗结构之间的相对转速，从而能够增大清洗结构对晶圆的冲刷作用力，提高对晶圆上残胶的清洗力度，保证晶圆清洗的洁净度。
一种清洗机构涂胶装置

[发明专利]疏水承载板及其制备方法、光刻胶旋涂装置和旋涂工艺-CN202310732901.9在审
发明人： 陶佳强;李宗怿;梁新夫;潘波 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种疏水承载板及其制备方法、光刻胶旋涂装置和旋涂工艺，疏水承载板包括：承载板，所述承载板具有相对设置的正面和背面，所述承载板的背面包括适用于固定所述承载板的固定区和环绕所述固定区的疏水处理区；疏水层，位于所述疏水处理区和/或所述承载板的侧壁，且所述疏水层未覆盖所述承载板的正面，所述疏水层背离所述承载板的表面具有疏水面。所述疏水承载板的正面制备得到的光刻胶层厚度均匀性较高且避免光刻胶层爬行到承载板的背面。
疏水承载及其制备方法光刻胶旋涂装置工艺

[发明专利]一种芯片封装结构的制备方法-CN202310444617.1有效
发明人：张章龙;李宗怿;潘波;陶佳强 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片封装结构的制备方法，包括：提供临时载板；在临时载板上形成叠层金属层；在叠层金属层背离临时载板的一侧表面形成重布线结构；在重布线结构背离叠层金属层的一侧设置芯片本体；在芯片本体和重布线结构之间形成导电连接件；形成包封导电连接件的底填胶层；在重布线结构的一侧形成包裹芯片本体的塑封层；之后，将临时载板和叠层金属层解键合；将临时载板和叠层金属层解键合之后，采用湿法蚀刻工艺去除叠层金属层，并暴露出重布线结构中的介质层；采用湿法蚀刻工艺去除叠层金属层之后，采用干法刻蚀工艺从重布线结构背离芯片本体的一侧去除部分厚度的介质层。所述芯片封装结构的制备方法使得芯片封装结构的可靠性提高。
一种芯片封装结构制备方法

[实用新型]一种半导体封装结构-CN202320477445.3有效
发明人：张章龙;梁新夫;李宗怿;潘波;罗富铭;陶佳强;唐彬杰;李健;郝俊峰 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体封装结构，包括：重布线结构；芯片，位于重布线结构的一侧；位于重布线结构和芯片之间的导电连接结构；底填胶层，位于芯片和重布线结构之间且包围导电连接结构的侧壁；重布线结构包括：介质层；第一布线层至第N布线层，第一布线层至第N布线层在介质层的厚度方向上排布且逐渐远离芯片；位于介质层中的基础标记部以及底层标记单元，基础标记部与芯片在介质层表面的正投影无重合；底层标记单元至少包括一个底层标记部，基础标记部朝向芯片的表面被介质层暴露；在介质层的厚度方向上，基础标记部全部覆盖底层标记单元，N为大于或等于2的整数。本实用新型的半导体封装结构能够减小底填胶层的用量测试误差。
一种半导体封装结构

[发明专利]一种多层金属布线层及其制备方法、封装结构-CN202111424238.3有效
发明人：潘波;李宗怿;罗富铭;唐彬杰;吴世豪;曾丹;刘籽余;陶佳强;杨文豪;张章龙;丁晓春 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种多层金属布线层的制备方法，包括：在目标载体上制备介电层，在介电层上制备层间穿孔和层中开口阵列；在层间穿孔和层中开口阵列中制备金属层；对金属层和/或介电层进行研磨，使金属层和介电层齐平且平坦化，得到目标金属布线层；将目标金属布线层作为目标载体并重新进行在目标载体上制备介电层的步骤，直至得到多层金属布线层。还提供一种多层金属布线层及封装结构。得到对应嵌设在介电层中的层中导电线路，在后续进行研磨时不会使层中导电线路被完全去除；而通过研磨处理后，使得到的金属布线层的表面平坦化，使下一层金属布线层的金属层具备高度均匀性，提高了布线精度、多层金属布线层的制备良率、得到的封装结构的产品性能。
一种多层金属布线及其制备方法封装结构

[发明专利]一种芯片的扇出封装结构及其制备方法-CN202210597691.2在审
发明人：潘波;李宗怿;梁新夫;陶佳强 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片的扇出封装结构，包括依次设置的芯片包封层、重布线层和导电连接件，所述芯片包封层包括靠近所述重布线层的一侧上设有若干凹槽的硅基板以及固定在所述凹槽内的芯片，所述芯片通过所述重布线层与所述导电连接件电连接；所述芯片的侧壁与所述凹槽的侧壁之间通过硅基合金层连接。本发明还公开了一种芯片的扇出封装结构制备方法。本发明具有良好的散热效果，可靠性高且可防止发生翘曲，材料成本也低。
一种芯片封装结构及其制备方法

[发明专利]多层布线层结构及其制备方法-CN202210310113.6在审
发明人：潘波;李宗怿;梁新夫;罗富铭;唐彬杰;杨文豪;陶佳强 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供多层布线层结构及其制备方法，所述方法包括：制备得到具有第一开口阵列的第n层介电层；在所述第n层介电层的第n开口阵列上制备第n层种子层，使所述第n层种子层包覆在所述第n层介电层上；在所述第n层种子层上形成具有第n开口图案的第n层牺牲层；在所述第n层牺牲层的第n开口图案中制备得到第n层金属布线层，去除所述第n层牺牲层后得到第n层布线层结构；解决了现有技术中的布线层结构存在布线层的走线精度低和不同布线层间的走线对准度低的问题，通过胶膜覆盖不平整的上一层金属布线层表面形成介电层，为当前层的金属布线层制备提供平整的基面，得到具有任意层的走线密度较高且走线对准度较佳的金属布线层结构。
多层布线结构及其制备方法

[发明专利]布线层结构及其制备方法-CN202111425650.7在审
发明人：潘波;李宗怿;唐彬杰;刘新;童飞;曾丹;吴红儒;陶佳强;张章龙;丁晓春 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供布线层结构及其制备方法，所述方法包括：提供一载片，在所述载片的一面制备n层金属布线层；在所述n层金属布线层上制备多个电镀铜柱，形成电镀铜柱层；在所述电镀铜柱层上再制备n层金属布线层，剥离所述载片后形成具有2n层金属布线层的布线层结构；其中，n≥1且为自然数；其解决了现有技术中高密度扇出封装结构中的布线层结构中存在的热应力翘曲问题，2n层金属布线层沿电镀铜柱层的Z向对称分布，可以缓解沿金属布线层Z向的热应力翘曲问题，提高了产品的可靠性。
布线结构及其制备方法

[发明专利]铅锡及其复合材料或其合金电子背散射衍射样品制备工艺-CN201910223930.6在审
发明人：刘瑛;汪顺;王经涛;李政;林逵;孟佳杰;诸叶斌;陶佳强 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本发明提供一种铅锡及其复合材料或其合金电子背散射衍射样品制备工艺，该制备工艺包括以下步骤：机械抛光步骤：对所述样品进行机械抛光；电解抛光步骤：在所述机械抛光步骤完成后，利用电解抛光液对所述样品进行电解抛光，电解抛光完毕后，利用第一清洗液对样品进行清洗；机械精抛光步骤：在所述电解抛光步骤完成后，利用机械抛光液对所述样品进行机械精抛光，然后利用第二清洗液对所述样品进行清洗并将所述样品保存在所述第二清洗液中。该制备工艺对现有技术的制备工艺进行了改善，降低了样品制备的成本，利用该制备工艺能够有效去除样品表面应力层和氧化层，得到光洁表面，在EBSD测试中获得强的衍射花样，便于进行微观组织研究。
制备工艺清洗液电子背散射衍射电解抛光步骤机械抛光步骤样品制备工艺电解抛光复合材料精抛光铅锡合金清洗电解抛光液光洁表面机械抛光微观组织样品保存样品表面样品制备抛光液氧化层应力层衍射去除花样研究

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