“陈管君”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于HEMT器件的热电子效应测试结构及其表征方法-CN201910177938.3有效
发明人：郑雪峰;李纲;王小虎;陈管君;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于HEMT器件的热电子效应测试结构，包括：衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、势垒层(4)、栅极(5)、源极(6)、漏极(7)、第一掺杂区(9)、第二掺杂区(10)、电极A(11)和电极B(12)。本实施例提供了一种热电子注入数量与能量可控技术的基于HEMT器件的热电子效应测试结构及其表征方法，通过调整电压Va和Vb来控制势垒层中热电子的注入数量，并通过调整电压Va来控制势垒层中热电子的注入能量，解决了器件热电子注入数量和注入能量的不可控，以及非均匀注入势垒层等问题，有助于对异质结器件中的热电子效应进行深入分析。
基于 hemt 器件电子效应测试结构及其表征方法

[发明专利]基于化合物材料MISFET器件的热电子效应表征方法-CN201910173484.2有效
发明人：郑雪峰;李纲;王小虎;陈管君;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于MISFET器件热电子效应的测试结构，包括：衬底(1)、P型外延层(2)、绝缘层(3)、钝化层(4)、栅极(5)、第一N+掺杂区(6)、源极(7)、漏极(8)、P+掺杂区(9)、第二N+掺杂区(10)、电极A(11)和电极B(12)。本实施例提供了一种热电子注入数量与能量可控技术的异质结器件测试结构和热电子效应表征方法，通过调整电压Va和Vb来控制绝缘层中热电子的注入数量，并通过调整电压Va来控制绝缘层中热电子的注入能量，解决了器件热电子注入数量和注入能量的不可控，以及非均匀注入绝缘层等问题，有助于对异质结器件中的热电子效应进行深入分析。
基于化合物材料 misfet 器件电子效应表征方法

[发明专利]一种MIS-HEMT器件的热电子效应测试结构及其表征方法-CN201910172827.3有效
发明人：郑雪峰;马晓华;李纲;王小虎;陈管君;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及一种MIS‑HEMT器件的热电子效应测试结构，包括：底层(15)、势垒层(4)、绝缘层(5)、源极(7)、栅极(8)、漏极(9)、第一掺杂区(11)、第二掺杂区(12)、电极A(13)和电极B(14)。本实施例提供了一种热电子注入数量与能量可控技术的热电子效应测试结构及其表征方法，通过调整偏置电压来控制势垒层中热电子的注入数量，并通过调整偏置电压来控制势垒层中热电子的注入能量，解决了器件热电子注入数量和注入能量的不可控，以及非均匀注入势垒层等问题，有助于对MIS‑HEMT器件的热电子效应进行深入分析。
一种 mis hemt 器件电子效应测试结构及其表征方法

[发明专利]一种GaN器件欧姆接触的改良方法-CN201910095568.9有效
发明人：郑雪峰;陈管君;陈轶昕;王小虎;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN器件欧姆接触的改良方法，其特征在于，包括：制备GaN器件，其中，所述GaN器件具有欧姆接触电极；在预设能量、预设剂量、预设温度、预设压强和预设时间下，对所述欧姆接触电极进行质子辐照。本发明实施例通过对GaN器件的欧姆接触电极进行一定程度的质子辐照，减小了欧姆接触电极的电阻，进而减小了有源区的方块电阻和比接触电阻，使得欧姆接触电极上的压降减小，从而增大了异质结沟道区域的压降，因此，质子辐照提升了欧姆接触电极的性能，提升了GaN器件的性能。
一种 gan 器件欧姆接触改良方法

[发明专利]一种GaN器件栅金属/半导体界面的改善方法-CN201910095569.3有效
发明人：郑雪峰;陈管君;马晓华;董帅帅;王小虎;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN器件栅金属/半导体界面的改善方法，包括：制备GaN器件，其中，所述GaN器件具有肖特基接触区域；在预设能量、预设剂量、预设温度和预设时间下，对所述肖特基接触区域进行质子辐照。本发明实施例通过对GaN器件的肖特基接触区域进行一定程度的质子辐照，有效降低了栅金属/半导体界面态密度，从而改善了界面质量，提升了器件的可靠性，使得GaN器件在各个领域均能正常使用，从而使GaN器件的应用范围更为广阔。
一种 gan 器件金属半导体界面改善方法

[发明专利]一种基于HEMT器件的开关结构-CN201811002463.6有效
发明人：郑雪峰;王士辉;陈轶昕;陈管君;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于HEMT器件的开关结构，包括衬底层、缓冲层、势垒层、漏电极、源电极、栅电极以及悬臂电极，其中，所述衬底层、所述缓冲层和所述势垒层自下而上依次设置；所述漏电极和所述源电极均设置在所述缓冲层上，所述势垒层设置在所述缓冲层上未被所述漏电极和所述源电极覆盖的区域；所述栅电极设置在所述势垒层上且位于所述漏电极与所述源电极之间；所述悬臂电极的固定端设置在所述势垒层上，悬臂端位于所述漏电极和源电极上方，并且能够与所述漏电极或源电极接触。该基于HEMT器件的开关结构能够满足在高频、高压、高温等领域的应用，且开关反应极快，在没有导通的情况下不存在电流泄漏，极大地减小了功率损耗。
一种基于 hemt 器件开关结构

[发明专利]一种GaN器件电应力可靠性的测试方法-CN201910095705.9有效
发明人：郑雪峰;马晓华;陈管君;王小虎;董帅帅;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN器件电应力可靠性的测试方法，包括：对GaN器件进行电容‑电压测试，得到第一测试数据；对所述GaN器件施加电应力；对施加电应力后的所述GaN器件进行电容‑电压测试，得到第二测试数据；根据所述第一测试数据获取第一栅下界面态物理参数，根据所述第二测试数据获取第二栅下界面态物理参数；对比所述第一栅下界面态物理参数与所述第二栅下界面态物理参数，得到对比结果。本发明实施例通过对GaN器件施加电应力，由测试数据通过预设方法获取电应力前后栅下界面态密度、陷阱能级和时常数，反映了GaN器件栅下界面态的物理特性，得到电应力对器件内部陷阱的影响状况，从而得到GaN器件电应力可靠性的情况。
一种 gan 器件应力可靠性测试方法