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[发明专利]一种提高家禽出栏体重及鸡胸肉重的方法-CN202310830139.8在审
发明人：泮进明;曾理;牟天昊;叶尊忠;王首驿;贺鹏光;陈忠浩;何叶帆 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： A01K67/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高家禽出栏体重及鸡胸肉重的方法。采用特定的光源作为家禽饲养期环境光，特殊光源为LED红外光，光照强度控制在20～75lux，波长控制在822nm左右，使得光照能够促进家禽生长。本发明方法可以提高饲养过程中肉鸡体内胰岛素样生长因子水平，从而显著提高其胸肉率，最终获得肉鸡出栏体重显著增加的效果。
一种提高家禽出栏体重鸡胸方法

[发明专利]一种基于鸡蛋蛋壳图像特征的身份识别方法及系统-CN202210584905.2有效
发明人：林宏建;陈忠浩;泮进明;应义斌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06V20/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于鸡蛋蛋壳图像特征的身份识别方法，包括：步骤1、采集鸡蛋表面的蛋壳图像，并对蛋壳图像进行关于生物特征的标签标注，将蛋壳图像与标注标签组成样本集；步骤2、构建用于生成鸡蛋身份编码的鸡蛋身份识别网络；步骤3、利用样本集对鸡蛋身份识别网络进行训练，训练结束后，获得鸡蛋身份编码模型；步骤4、将鸡蛋的蛋壳图像输入至步骤3获得的鸡蛋身份编码模型中，经计算输出用于鸡蛋个体识别的身份编码。本发明还公开了一种基于上述方法的身份识别系统。该方法以蛋壳表面生物特征对应的图像特征，作为身份编码的依据，避免传统物理标签会被仿冒的问题，从而实现鸡蛋身份的唯一性与真实性识别。
一种基于鸡蛋蛋壳图像特征身份识别方法系统

[发明专利]单空间模低发散角窄线宽复合光子晶体激光器-CN202210432674.3在审
发明人：郑婉华;陈忠浩;赵少宇;周旭彦;渠红伟;齐爱谊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01S5/11 文献下载
摘要：本公开公开一种单空间模低发散角窄线宽复合光子晶体激光器，包括：外延结构，包括N型光子晶体区，其为由材料组分调制而形成的高低折射率突变或渐变的周期及准周期结构组成的一维光子晶体，用于在外延方向对高阶模式进行滤除以及对基模进行扩展；脊波导，通过普通接触式光刻及干法刻蚀刻蚀外延结构而形成；侧向耦合光子晶体，制作于脊波导的两侧，呈梳齿状分布；其采用高阶光子晶体，通过普通接触式光刻及干法刻蚀刻蚀外延结构而形成；其与脊波导一步制备而成；介质层，形成于脊波导及侧向耦合光子晶体表面，脊波导上的介质层去除，用于实现电流注入；P型电极，形成于脊波导及介质层上；N型电极，形成于外延结构背离N型光子晶体区一侧。
空间发散角窄线宽复合光子晶体激光器

[发明专利]半导体组件及其形成方法-CN202011548021.9在审
发明人：韩峰;黄剑;桂林春;陈忠浩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体组件及其形成方法。一种形成半导体组件的方法包括：在基板上形成闸极结构；分别在该闸极结构的相对侧壁上形成第一闸极间隔物及第二闸极间隔物；在该基板中植入第一导电类型的第一掺杂物，以形成邻接该第一闸极间隔物的轻掺杂源极区、以及邻接该第二闸极间隔物的轻掺杂汲极区；在该轻掺杂汲极区的第一部分上形成图案化屏蔽，并留下该轻掺杂汲极区的第二部分为暴露的；以及在该图案化屏蔽存在时，在该基板中植入该第一导电类型的第二掺杂物，使得该轻掺杂汲极区的该第二部分转变为汲极区。
半导体组件及其形成方法

[发明专利]基于光子晶体缺陷态模式控制的锥形光子晶体激光器-CN201811413063.4有效
发明人：郑婉华;周旭彦;马晓龙;陈忠浩;渠红伟;齐爱谊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光子晶体缺陷态模式控制的锥形光子晶体激光器，包括：一外延层的结构，该外延层的结构包含：N型衬底；N型限制层，位于N型衬底之上；完美一维光子晶体，位于N型限制层之上；有源区，位于完美一维光子晶体上；P型限制层，位于有源区之上；P型接触层，位于P型限制层之上；以及锥形结构，设置于该外延层的P面，该锥形结构包含：脊形波导部分；以及锥形波导部分，与脊形波导部分相连，实现增益；其中，完美一维光子晶体中还包含破坏该完美一维光子晶体周期性的缺陷层，有源区位于该缺陷层中。该激光器能够改善半导体激光器光束质量，提高输出功率，减小垂直方向发散角，实现稳定的垂直模式输出。
基于光子晶体缺陷模式控制锥形晶体激光器

[发明专利]一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构-CN201910322368.2有效
发明人：郑婉华;陈忠浩;周旭彦;渠红伟;齐爱谊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构，包括：N型衬底层，用于生长外延材料；N型限制层，配置于N型衬底层之上，用于限制光场向N型区的扩展；光子晶体，配置于N型限制层之上，用于调控输出光场模式；有源区，配置于光子晶体上；P型限制层，配置于有源区之上，用于限制光场向P型区的扩展；P型盖层，配置于P型限制层之上，用于限制光场及降低载流子势垒；P型接触层，配置于P型盖层之上，用于与金属形成欧姆接触。
一种基于光子晶体控制单模半导体激光器外延结构

[发明专利]一种基于高阶横模波导输出的混合集成激光器芯片结构-CN201910534116.6有效
发明人：郑婉华;陈忠浩;渠红伟;贾宇飞;林海鹏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于高阶横模波导输出的混合集成激光器芯片结构，包括激光器和SOI波导，所述激光器包括：P型波导层，用于限制基膜激射、产生高阶横模激射以及使光场向P型区扩展；有源区，设置于P型波导层之上，用于增益发光；N型限制层，设置于有源区之上，用于限制光场向N型区的扩展；N型衬底层及N面电极，设置于N型限制层之上，用于生长外延材料及载流子的注入；所述SOI波导，设置于所述激光器之下，与激光器通过键合技术或BCB胶合成一整体，形成复合激光腔。
一种基于高阶横模波导输出混合集成激光器芯片结构

[发明专利]基于光子晶体激光阵列的微推进器光源-CN201910524087.5有效
发明人：郑婉华;渠红伟;陈忠浩;齐爱谊;刘靖;张玉芳;周旭彦;贾宇飞 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：一种基于光子晶体激光阵列的微推进器光源，包括：管壳，为一台阶结构，该台阶结构包含底部和顶部；过渡热沉，制作于管壳的台阶结构的底部上；光子晶体激光阵列，倒装于过渡热沉上并与管壳固定，该光子晶体激光阵列包含多个电学隔离的激光单元，每个激光单元结构包含：半导体激光器，以及在该半导体激光器的外延结构方向引入的周期或准周期光子晶体结构；电路板，具有多路隔离的电路，固定于管壳的台阶结构的顶部上，各路电路分别与光子晶体激光阵列的各个激光单元电性连接，用于为各个激光单元单独供电。与现有技术相比，降低垂直发散角，提高了激光功率密度，提高了微推进器比冲，降低烧蚀脉冲宽度，简化高亮度微光光路设计，降低成本。
基于光子晶体激光阵列推进器光源

[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件-CN201410614306.6有效
发明人：张帅;李连杰;陈忠浩;韩峰;吴健 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，该半导体器件的制造方法包括：在具有多层结构的半导体衬底上形成第一导电类型体区，并在所述第一导电类型体区上形成沟槽；通过自对准的方式向所述沟槽底部进行离子注入操作，形成第一导电类型柱；向所述沟槽中填入填充物填充所述沟槽。本发明通过自对准的方式向沟槽底部进行离子注入操作形成P柱或N柱，并与P柱或N柱相对应的外延层形成超级结结构，因此，不仅半导体器件的面积更小并且性能优异，同时还可以集成于平面工艺。
半导体器件制造方法

[发明专利]弯曲锥形光子晶体激光器及阵列、阵列光源组-CN201710997431.3有效
发明人：郑婉华;周旭彦;张小富;陈忠浩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种弯曲锥形光子晶体激光器及阵列、阵列光源组。其中，弯曲锥形光子晶体激光器包括：依次相连的脊波导部分，弯曲波导部分和锥形光放大部分；其中，脊波导部分为直波导，弯曲波导部分具有一弧度，锥形光放大部分沿着光输出的方向渐扩。通过引入光子晶体结构，调控腔内模式实现较窄的垂直和水平发散角，简化了光学准直、压缩系统，并且通过合理设计波导结构，使不同部分的波导模式匹配，在不需要旋转机台的情况下便可实现多角度、宽范围的激光输出，且增加了激光辐照和扫描的范围和精度，具有可调的、较低的角分辨率，结构紧凑，稳定性高，成本低，在激光测距、激光成像、激光雷达等领域中具有广阔的应用前景。
弯曲锥形光子晶体激光器阵列光源

[发明专利]窄垂直远场发散角的隧道结光子晶体激光器-CN201811048055.4有效
发明人：郑婉华;周旭彦;齐爱谊;陈忠浩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种隧道结光子晶体激光器，包括：衬底；以及在所述衬底上依次形成的多个叠层结构；其中，每个所述叠层结构包括有源层以及光子晶体层，且在相邻的所述叠层结构之间形成有隧道结。本公开隧道结光子晶体激光器，提高了峰值功率，增加了激光的探测距离，实现了高峰功率窄垂直远场发散角的激光输出，在激光测距、激光成像、激光雷达等领域中具有广阔的应用前景。
隧道结光子晶体激光器叠层结构远场发散角衬底激光垂直光子晶体层峰值功率高峰功率激光测距激光成像激光雷达探测距离源层输出应用

[发明专利]一种基于光子晶体激光的光谱合束结构-CN201910664015.0在审
发明人：郑婉华;邢晓旭;渠红伟;刘靖;陈忠浩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：一种基于光子晶体激光的光谱合束结构，其激光光源包括至少两个快轴方向排列的光子晶体激光芯片，光束经准直镜准直后，在快轴方向上进行光谱合束得到光束阵列，可以得到小光斑尺寸、高亮度、高功率的激光输出。由于高亮度、低发散角的光子晶体激光芯片较商用半导体激光芯片的慢轴光束质量有较大改善，而激光芯片经过光谱合束后的光束质量与单个激光芯片的光束质量相当，所以基于光子晶体激光的光谱合束结构可以缩小输出激光快慢轴方向光束质量的差异。将多个光子晶体激光芯片在快轴方向排列，并结合光谱合束得到了基于光子晶体激光的光谱合束结构，缩小了光源体积，提高了激光光源的功率密度、光束质量和亮度，具有更广阔的应用前景。
光子晶体光谱激光芯片合束结构激光合束快轴方向排列激光光源半导体激光芯片方向光束光束阵列输出激光低发散高功率快慢轴小光斑准直镜光源慢轴商用输出应用

[发明专利]基于光子晶体激光器的波长稳定激光光源-CN201910443275.5在审
发明人：郑婉华;渠红伟;张玉芳;齐爱谊;陈忠浩;周旭彦;贾宇飞 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01S5/0687 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于光子晶体激光器的波长稳定激光光源，包括：管壳、半导体制冷器、过渡块、热沉、低发散角单模光子晶体激光芯片、热敏电阻、背光探测器，带光纤光栅的球形光纤等组成。该激光光源采用低发散角单模光子晶体激光芯片与光纤光栅的相结合的双重波长稳定技术，具有更高的波长稳定性，能够有效减小驱动电流、温度与光反馈相关因素对波长稳定性影响。该激光光源中低发散角单模光子晶体激光芯片利用复合光子晶体等对光场和模式调控机制，仅需一次外延和普通光刻制备技术，从芯片层次降低激光器发散角，实现单模输出，简化光束整形，实现与球形光纤直接耦合，不仅具有高光纤耦合效率，而且大大降低装调难度，低制作成本。
激光光源单模光子晶体激光芯片低发散光子晶体激光器波长稳定性波长稳定光纤光栅球形光纤半导体制冷器复合光子晶体光纤耦合效率背光探测器光束整形模式调控驱动电流热敏电阻双重波长稳定技术一次外延直接耦合激光器发散角光反馈过渡块刻制单模管壳减小热沉装调芯片输出制作

[发明专利]一种抑制光学相控阵远场边瓣强度的结构-CN201910175097.2在审
发明人：郑婉华;周旭彦;陈忠浩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G02F1/29 文献下载
摘要：一种抑制光学相控阵远场边瓣强度的结构，包括：光波导阵列(1)包括多根波导；抑制结构(2)包括第一相位调制区(21)、耦合区(22)以及第二相位调制区(23)，其中，第一相位调制区(21)以及第二相位调制区(23)均包括多根波导，耦合区(22)为块状结构，第一相位调制区(21)以及第二相位调制区(23)的多根波导的一端均垂直设于耦合区(22)的两端，第一相位调制区(21)的多根波的另一端与光波导阵列(1)的多根波导的一端连接；叠层结构(3)，光波导阵列(1)和抑制结构(2)并列设于叠层结构(3)的上表面。通过该结构实现对输出光的强度和相位的调控，从而实现抑制远场边瓣强度的目的。
相位调制区波导光波导阵列耦合区边瓣远场光学相控阵叠层结构抑制结构结构实现块状结构一端连接上表面输出光并列垂直调控

[发明专利]单空间模低发散角窄线宽复合光子晶体激光器-CN201811413062.X在审
发明人：郑婉华;陈忠浩;赵少宇;周旭彦;渠红伟;齐爱谊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种单空间模低发散角窄线宽复合光子晶体激光器，包括：一外延结构；一脊波导结构及侧向耦合光子晶体，制作于上述外延结构表面；一介质层，制作于上述脊波导结构及侧向耦合光子晶体表面，其中脊波导上的介质层需要去除，用于实现电流注入；一P型电极，制作于P型脊波导及介质层上；以及一N型电极，制作于外延结构下方；其中，外延结构中引入了光子晶体结构。该光子晶体结构在保证激光器在单模工作的同时降低器件的垂直发散角，进而提高光纤耦合效率并降低光纤耦合成本及其系统复杂性；此外，该光子晶体结构还能提高器件的单管出光功率，该激光器只需一次外延和普通光刻技术即可实现窄线宽输出，制备简单，工艺成本低。
外延结构激光器光子晶体结构介质层窄线宽复合光子晶体脊波导结构侧向耦合单空间模制作低发散脊波导光纤耦合效率光子晶体表面系统复杂性出光功率工艺成本光刻技术光纤耦合光子晶体降低器件一次外延发散角单管单模去除制备垂直输出引入保证

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