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[发明专利]一种测量微纳器件圆二色性光电流显微成像的方法-CN202310343507.6在审
发明人：张洋;薛晓兰;聂悦;胡宝欣;张志豪;王佳乐;陈令修;石礼伟 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种测量微纳器件圆二色性光电流显微成像的方法，包括：步骤1，建立实验系统，所述实验系统包括532nm激光器、两个反射镜、斩波器、小孔空间滤波器、透镜、起偏器、四分之一波片、步进电机、照明白光LED、半反半透平板、分光晶体、电荷耦合器件CCD、显微物镜、二维微纳米平移台、电流放大器和锁相放大器；步骤2，通过实验系统测量微纳器件圆二色性光电流显微成像。本发明使用的光路和测试方法搭建简单，易操作。且价格相对于现有的测试设备低廉。
一种测量器件圆二色性电流显微成像方法

[发明专利]一种室温测量n型掺杂砷化镓半导体自旋霍尔角的方法-CN202211065933.X有效
发明人：张洋;薛晓兰;石礼伟;陈令修;聂悦 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01R33/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种室温测量n型掺杂砷化镓半导体自旋霍尔角的方法，包括以下步骤：步骤1，建立测试系统，将待测量的n型掺杂的GaAs半导体样品放入测试系统中；步骤2，测量n型掺杂的GaAs半导体样品的自旋霍尔角。本发明利用霍尔效应将逆自旋霍尔效应进行归一化，可以扣除测试光斑面积、测试光斑位置，电极位置和大小，以及外接测试源表引入的不确定性。使测试结果的可靠性更高。
一种室温测量掺杂砷化镓半导体自旋霍尔方法

[发明专利]基于石墨烯的量子电阻芯片的制备方法-CN202211313444.1在审
发明人：王浩敏;孔自强;王慧山;陈令修;肖相生 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;江苏云涌电子科技股份有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L43/14 文献下载
摘要：本发明提供一种基于石墨烯的量子电阻芯片的制备方法，以氢气退火处理后的碳化硅为衬底，硅乙烷为气体催化剂，乙炔作为碳源，采用化学气相沉积法外延生长单层石墨烯，可制备均匀性较好的石墨烯结构，制备的量子电阻芯片在6T的磁场强度和4.5K的温度下，霍尔电阻测量准确度达到1.2×10‑8，同时相对不确定度达到3×10‑8，复现性达到3×10‑9，在半年内的磁输运特性具有高度稳定性，该量子电阻芯片具有小型化、集成度高、成本优化、经济效益高、适用性强的优点，可直接将该量子电阻芯片集成于便携式量子电阻标准测量系统，有利于推动精密测量行业的进一步发展。
基于石墨量子电阻芯片制备方法

[发明专利]一种二维材料缺陷调控与快速表征的方法-CN202210646481.8在审
发明人： 陈令修;王德和;王宇彤;沈宝龙 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G01Q60/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维材料缺陷调控与快速表征的方法，包括以下步骤：S1.制备二维材料：在非导体衬底表面进行二维材料的制备；S2.二维材料缺陷引入：将制备好的二维材料置于等离子体装置中，通入实验气体后利用等离子体对二维材料表面进行类型、密度与深度可控的缺陷引入；S3.二维材料缺陷的表征：在对二维材料进行缺陷引入后，使用原子力显微镜对其进行缺陷的快速分布表征与深度表征。上述技术方案中提供的二维材料缺陷调控与快速表征的方法，能够利用低功率等离子体辅助技术在二维材料表面进行缺陷深度可控引入，并能够对缺陷进行快速表征。
一种二维材料缺陷调控快速表征方法

[发明专利]石墨烯边界调控方法-CN201710890641.2有效
发明人：王浩敏;陈令修;贺立;王慧山;谢红;王秀君;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯边界的调控方法，包括骤：提供一绝缘衬底，并将绝缘衬底置于生长腔室中；向生长腔室中通入第一反应气体，且第一反应气体至少包括碳源气体，通过控制第一反应气体的流量，以于绝缘衬底表面形成具有第一边界形状的石墨烯结构，通过上述技术方案，本发明提供一种石墨烯边界调控方法，通过调节衬底表面生长石墨烯生长过程中碳源气体和催化气体的比例，以实现石墨烯的边界可控；本发明还可以在已经形成的石墨烯的基础上，通过改变生长条件使其继续生长，改变原有的石墨烯的边界形状；还可以在具有台阶的衬底表面生长石墨烯，通过对应取向台阶优化生长条件，得到特定取向且边界整齐的石墨烯带以及控制得到较窄的石墨烯纳米带。
石墨边界调控方法

[发明专利]一种石墨烯-硒化铌超导异质结器件及其制备方法-CN201710890518.0有效
发明人：王浩敏;谢红;王慧山;王秀君;陈令修;贺立;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯‑硒化铌超导异质结器件及其制备方法，该方法提供衬底；在所述衬底上形成石墨烯；对所述石墨烯进行图形化，形成具有预设形状的沟槽；于所述沟槽内生长硒化铌，所述硒化铌沿所述石墨烯边界外延生长，形成石墨烯‑硒化铌平面超导异质结。本发明通过化学气相沉积法外延生长石墨烯‑硒化铌平面异质结，该方法不易引入杂质、工艺简单、所获得的产物尺寸易控制、产率高、成本低。可满足工业化和规模化生产要求。
一种石墨硒化铌超导异质结器件及其制备方法

[发明专利]h-BN上石墨烯纳米带的制备方法-CN201510098675.9有效
发明人：王浩敏;贺立;陈令修;谢红;王慧山;唐述杰;李蕾;张道礼;谢晓明;江绵恒 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种h‑BN上石墨烯纳米带的制备方法，包括1）采用金属催化刻蚀方法于h‑BN上形成具有纳米带状沟槽结构的h‑BN沟槽模板；2）采用化学气相沉积方法于所述h‑BN沟槽模板中的生长石墨烯纳米带。本发明采用CVD方法直接在h‑BN上制备形貌可控的石墨烯纳米带，解决了长期以来石墨烯难以在绝缘衬底上形核生长的关键问题，避免了石墨烯转移及裁剪加工成纳米带等复杂工艺将引入的一系列问题。另外，本发明还具有以下优点一方面可以提高石墨烯质量实现载流子高迁移率，另一方面通过控制石墨烯形貌如宽度、边缘结构实现调控石墨烯的电子结构，在提高石墨烯性能的同时，简化了石墨烯制备工艺，降低生产成本，以便于石墨烯更广泛地应用于电子器件的制备。
bn 石墨纳米制备方法

[发明专利]一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法-CN201510307155.4有效
发明人：王浩敏;谢红;贺立;王慧山;陈令修;李蕾;吴天如;张道礼;谢晓明;江绵恒 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法，包括如下步骤S1提供一六角氮化硼衬底；S2在所述六角氮化硼衬底表面形成掩膜层，并在所述掩膜层中形成暴露出所述六角氮化硼衬底表面的预设刻蚀图形；S3在所述掩膜层表面及所述预设刻蚀图形内沉积金属层；S4剥离所述掩膜层及其表面的金属层；S5对所述六角氮化硼衬底进行退火，然后去除所述预设刻蚀图形内的金属层，在所述六角氮化硼衬底表面得到单层氮化硼原子厚度的台阶。本发明不仅可以控制六角氮化硼图形化的形状，大小，还可以选择刻蚀区域，同时可以通过反复刻蚀，控制刻蚀台阶的高度，解决了基于六角氮化硼薄膜器件的图形化加工难题。
一种氮化衬底表面台阶刻蚀方法

[发明专利]一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法-CN201510504332.8有效
发明人：王浩敏;谢红;李蕾;王慧山;贺立;陈令修;张道礼;邓联文;谢晓明;江绵恒 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-08-17 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01B1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法，涉及以石墨烯作为接触电极的器件结构技术领域，以干法转移的方法形成h‑BN—石墨烯—超导/半导体材料—h‑BN的新型器件结构，可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属沉积工艺等对材料晶格造成的污染与破坏；以h‑BN作为衬底及封装层，有利于维持石墨烯载流子迁移率，并保护器件避免吸附空气中的O2、H2O及微粒，以提高器件电学性能；此外采用石墨烯作为接触电极，沉积金属与石墨烯截面形成一维的线接触，将大大降低超导/半导体器件的接触电阻。
一种石墨作为接触电极器件结构及其制备方法

[发明专利]一种基于石墨烯场效应管微区加热的原位生长材料的方法-CN201510316129.8有效
发明人：王浩敏;谢红;李蕾;王慧山;贺立;陈令修;吴天如;邓联文;谢晓明;江绵恒 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的基于石墨烯场效应管微区加热的原位材料生长的方法，包括步骤首先，制备基于石墨烯的场效应管，所述石墨烯具有窄边微区结构，所述场效应管的背面设置有背栅；然后，在所述石墨烯两端的电极之间加电压源或电流源，通过调节背栅电压来调制所述窄边微区结构的电阻，使所述窄边微区结构产生高温；接着，通入反应源，调节背栅电压，使石墨烯加热到材料生长需要的温度，实现石墨烯微区加热的原位材料生长。本发明基于石墨烯场效应管的微区加热原位生长材料方法操作简单，可以实现基于不同尺寸的微区高温加热的前提下，原位生长半导体材料，材料生长区域形状可控。另外，微区加热原位生长材料的制备方法简单，与现有的MOS工艺兼容，便于大规模阵列及图形化制备，均匀性好。
一种基于石墨场效应管微区加热原位生长材料方法

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