专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]InGaP外延层的刻蚀方法-CN201610709116.1有效
  • 陈一峰 - 成都海威华芯科技有限公司
  • 2016-08-23 - 2019-11-12 - H01L21/306
  • 本发明提供了一种InGaP外延层的刻蚀方法,InGaP外延层生长在衬底上,刻蚀方法包括:采用化学气相沉积工艺在InGaP外延层上生长形成硅基薄膜层;在硅基薄膜层上涂覆光刻胶形成光刻胶层;采用光刻工艺在光刻胶层上刻蚀出光刻图案;采用反应离子刻蚀工艺在光刻图案内的硅基薄膜层上刻蚀出与光刻图案相对应的目标图案;采用浓盐酸与磷酸的混合酸液刻蚀目标图案内的InGaP外延层;去除光刻胶层的剩余部分。通过上述方式,本发明能够有效地抑制侧刻现象。
  • ingap外延刻蚀方法
  • [发明专利]一种基于二次湿法刻蚀的处理方法-CN201710585727.4有效
  • 陈一峰 - 成都海威华芯科技有限公司
  • 2017-07-18 - 2019-11-12 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种基于二次湿法刻蚀的处理方法,包括以下步骤:S1:在经过一次刻蚀后,采用烘烤的方式处理一次刻蚀完成后的晶圆,增加光胶与晶圆的附着力;S2:采用反应离子束方法处理晶圆表面,在光胶表面形成一层高分子聚合物;S3:采用一定浓度的氨水去除一次刻蚀形成的颗粒;S4:进行二次刻蚀。本发明在进行二次刻蚀前,增加光胶烘烤工艺,并结合含C的F基气体处理光胶的方式,增加表面附着力,在表面形成一层高聚物,采用氨水等弱碱溶液处理表面,去除表面附着颗粒。在精确控制刻蚀深度的同时,进一步提高刻蚀质量,确保化合物半导体器件的良好性能。
  • 一种基于二次湿法刻蚀处理方法
  • [发明专利]一种AlN SAW光电集成器件的制作方法-CN201611228236.6有效
  • 陈一峰 - 成都海威华芯科技有限公司
  • 2016-12-27 - 2019-08-02 - H03H3/02
  • 本发明涉及一种GaAs AlN SAW光电集成器件的制作方法,即将AlN SAW器件、InGaP HBT放大器、GaAs PN限幅器和GaAs pHEMT低噪放通过外延层设计,实现射频接收/发射前端的器件单片集成,从而使以下设想成为可能:在未来的射频通信中,射频信号进入射频接收/发射组件,通过AlN SAW实现滤波功能,滤波后的射频信号通过GaAs限幅器处理后,进入GaAs pHEMT低噪声放大器,利用pHEMT良好的噪声特性进行信号处理,送入后续的信号处理器件中,如混频器等;当进行信号发射时,可以利用GaAs pHEMT工艺制作开关,实现发射与接收模式的切换,也可用于输出功率不大的驱动放大器,而HBT器件制作功放芯片可用于发射端的功率放大器。
  • 一种alnsaw光电集成器件制作方法

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