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[发明专利]压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器-CN202310217695.8在审
发明人：古田裕典;小酒达;铃木贵人;谷川兼一;石川琢磨;北岛由隆;小西晃雄;金森广晃;饭塚猛 -专利权人：冲电气工业株式会社;日商爱伯压电对策股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N39/00 文献下载
摘要：压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器。在同一基板上设置2种以上的单晶压电膜，由此，提高压电膜集成器件的性能。压电膜集成器件具有：基板(33)；第1电极(34a)，其设置于基板(33)上；第2电极(34b)，其设置于基板(33)上；作为第1单晶压电膜(15)的单晶PZT膜，其设置于第1电极(34a)上；作为第2单晶压电膜(25)的单晶AlN膜，其设置于第2电极(34b)上，具有与第1单晶压电膜(15)的晶体构造不同的晶体构造；第3电极(16)，其设置于第1单晶压电膜(15)上；以及第4电极(26)，其设置于第2单晶压电膜(25)上。
压电集成器件及其制造方法以及声学振动传感器

[发明专利]压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器-CN202310206923.1在审
发明人：古田裕典;小酒达;铃木贵人;谷川兼一;石川琢磨;北岛由隆;小西晃雄;金森广晃;饭塚猛 -专利权人：冲电气工业株式会社;日商爱伯压电对策股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N39/00 文献下载
摘要：压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器。在同一基板上设置2种以上的单晶压电膜，由此，提高压电膜集成器件的性能。压电膜集成器件(100)具有：基板(33)；电极(34)，其设置于基板(33)上；第1压电元件，其具有第1单晶压电膜(25或15)和重叠于第1单晶压电膜(25或15)上的第1电极膜(26或16)，该第1压电元件设置于电极(34)上；以及第2压电元件，其具有第2单晶压电膜(15或25)和重叠于第2单晶压电膜(15或25)上的第2电极膜(16或26)，该第2压电元件设置于第1压电元件上。
压电集成器件及其制造方法以及声学振动传感器

[发明专利]压电体薄膜接合基板及其制造方法-CN202310206520.7在审
发明人：古田裕典;小酒达;铃木贵人;谷川兼一;石川琢磨;北岛由隆 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N30/50 文献下载
摘要：压电体薄膜接合基板及其制造方法，该高性能的压电体薄膜接合基板在同一基板上设置有2种以上的压电膜。压电体薄膜接合基板(100)具有：基板(33)；第1电极(34a)；第1压电体薄膜(17)，其粘贴于第1电极，具有第1压电膜(15)和形成于其上的第1上部电极膜(16)；第2电极(34b)；以及第2压电体薄膜(27)，其粘贴于第2电极，具有与第1压电膜(15)不同的第2压电膜(25)和形成于其上的第2上部电极膜(26)，从形成有第1电极(34a)和第2电极(34b)的基板(33)的上表面到第1上部电极膜(16)的顶部的高度和从基板(33)的所述上表面到第2上部电极膜(26)的顶部的高度不同。
压电薄膜接合及其制造方法

[发明专利]压电体薄膜接合基板及其制造方法-CN202310205783.6在审
发明人：古田裕典;小酒达;铃木贵人;谷川兼一;石川琢磨;北岛由隆 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N30/50 文献下载
摘要：压电体薄膜接合基板及其制造方法，该高性能的压电体薄膜接合基板在同一基板上重叠设置2种以上的压电膜。压电体薄膜接合基板(100)具有：基板(33)；基板电极(34)，其设置于基板(33)上；第1压电体薄膜(27)，其粘贴于基板电极(34)上，具有第1压电膜(25)和形成于第1压电膜(25)上的第1上部电极膜(26)；以及第2压电体薄膜(17)，其粘贴于第1上部电极膜(26)上，具有与第1压电膜(25)不同的第2压电膜(15)和形成于第2压电膜(15)上的第2上部电极膜(16)。
压电薄膜接合及其制造方法

[发明专利]电子结构体和电子结构体的制造方法-CN202310121302.3在审
发明人：松尾元一郎;小酒达;铃木贵人;古田裕典;十文字伸哉;川田宽人;篠原悠贵;饭野皓宏 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：电子结构体和电子结构体的制造方法，能够提高复合膜从基板的剥离性。电子结构体(1)构成为在形成基板(10)层叠支承层(11)，进而重叠复合膜(2)，使该支承层(11)的面积比该复合膜(2)的面积小，进而设置有多个微间隔件(12)。因此，电子结构体(1)能够适当地调整作用于复合膜(2)和支承层(11)之间的吸附力，以在保管时、搬送时不剥离，且在安装前能够使用压印器(81)容易地剥离，并且，还能够防止复合膜背面(2B)粘贴于形成基板(10)。由此，电子结构体(1)能够在维持复合膜背面(2B)的平滑性的状态下容易地进行保管、搬送，并且，还能够容易地进行复合膜(2)从支承层(11)的剥离、向布线基板(90)的安装。
电子结构制造方法

[发明专利]电子结构体和复合膜的制造方法-CN202211372810.0在审
发明人：古田裕典;松尾元一郎;饭野皓宏;铃木贵人;谷川兼一;中井佑亮;十文字伸哉;篠原悠贵 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：电子结构体和复合膜的制造方法，能够提高复合膜的生产性。在电子结构体(1)中，利用无机材料构成形成基板(10)和支承层(11)，另一方面，利用有机材料构成复合膜(2)的基底膜(12)和覆盖层(17)，将支承层(11)的外形形成得比基底膜(12)的外形小。因此，电子结构体(1)能够适当地调整作用于复合膜背面(2B)与支承层正面(11A)之间的吸附力，以在保管时、搬送时不剥离，且在安装前能够使用压印器(81)容易地剥离。由此，电子结构体(1)能够在维持复合膜背面(2B)的平滑性的状态下容易地进行保管、搬送，并且，还能够容易地进行复合膜(2)从支承层(11)的剥离和向布线基板(90)的安装。
电子结构复合制造方法

[发明专利]发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法-CN202210942482.7在审
发明人：石川琢磨;铃木贵人;谷川兼一;古田裕典;小酒达;中井佑亮;十文字伸哉;松尾元一郎;高桥千优;川田宽人;篠原悠贵;饭野皓宏 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法。实现高画质化。LED显示器装置设置：第1薄膜层(20R)，其配置有薄膜LED(30R)；第2薄膜层(20G)，其层叠于第1薄膜层，包含被配置成在从与薄膜LED(30R)的发光面垂直的发光方向(De)观察时与薄膜LED(30R)的至少一部分重叠的薄膜LED(30G)；以及电路基板(10)，其层叠有第1薄膜层，对薄膜LED(30R)和薄膜LED(30G)的发光进行控制，第1薄膜层在发光方向上从与第2薄膜层对置的第1薄膜层上表面到与电路基板对置的第1薄膜层下表面形成有第1薄膜层开口，薄膜LED(30G)和电路基板经由第1薄膜层开口电导通。
发光装置半导体结构薄膜制造方法

[发明专利]半导体元件单元、供给基板、半导体安装电路以及制造方法-CN202111486438.1在审
发明人：篠原悠贵;铃木贵人;谷川兼一;古田裕典;小酒达;中井佑亮;十文字伸哉;松尾元一郎;石川琢磨;高桥千优;川田宽人 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：半导体元件单元、供给基板、半导体安装电路以及制造方法，能够在小型地构成的同时实现半导体与电路的良好电连接。半导体元件单元(1)通过在将第1电极(3)和半导体元件(2)重叠地载置在形成牺牲层(42)上的状态下进行退火处理，使半导体元件(2)和第1电极(3)共晶键合，并且将第1电极安装面(3B)维持在极平坦的状态。由此，半导体元件单元(1)在被安装于基板表面(51A)极平坦地形成的电路基板(51)时，仅通过以使第1电极安装面(3B)与第1盘表面(61A)抵接的方式进行转印，就能够使分子间力作用于两者之间来进行物理连接和电连接，不需要在安装后进行退火处理。
半导体元件单元供给安装电路以及制造方法

[发明专利]复合集成膜、复合集成膜供给晶片以及半导体复合装置-CN202111208125.X在审
发明人：石川琢磨;铃木贵人;谷川兼一;古田裕典;小酒达;中井佑亮;十文字伸哉;松尾元一郎;高桥千优;川田宽人;篠原悠贵 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：复合集成膜、复合集成膜供给晶片以及半导体复合装置，能够容易地消除不良，并且能够提高安装密度。复合集成膜(1)极平坦地形成有由基材反面(2B)和电极反面(20B)构成的膜反面(1B)。另外，电路基板(70)极平坦地形成有由绝缘正面(73A)和盘正面(80A)构成的基板正面(70A)。因此，LED显示器显示部(61)通过分子间力使复合集成膜(1)的电极反面(20B)与电路基板(70)的盘正面(80A)结合，从而能够在物理连接且电连接的状态下，使该复合集成膜(1)动作来检查特性，另外，能够在异常部位容易地替换该复合集成膜(1)。由此，LED显示器显示部(61)能够在提高安装密度的同时显著提高成品率。
复合集成供给晶片以及半导体装置

[发明专利]制动装置和车辆-CN201780004990.8有效
发明人：水崎隆规;铃木贵人;小西泰史 -专利权人：日立汽车系统株式会社
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： B60T8/00 文献下载
摘要：提供可以抑制发动机的起动时的控制装置的复位，并且可以抑制辅助电源的电力消耗的制动装置以及搭载了该制动装置的车辆。制动装置(1)包括：根据制动请求信号输出制动力的电动机(3)；以及控制电动机(3)的控制装置(18)。控制装置(18)从主电源(5)和辅助电源10两者接受供电。电动机(3)具有：在主电源(5)的电压V1为阈值Va以上时，从主电源5接受供电的第1状态；在未驱动起动电机(16)，主电源(5)的电压V1低于阈值Va时，从辅助电源(10)接受供电的第2状态；以及在驱动起动电机16，主电源(5)的电压V1低于阈值Va时，从主电源(5)接受供电的第3状态。
制动装置车辆

[发明专利]发光元件阵列、半导体器件及其制造方法-CN201510146526.5有效
发明人：兼藤大志;铃木贵人 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及发光元件阵列、半导体器件及其制造方法。一种发光元件阵列包括其中布置多个发光部分的半导体薄膜层。多个发光部分被驱动成以所述多个发光部分的布置方向定义主扫描方向的方式而发光。多个发光部分以相邻的发光部分在与主扫描方向垂直的次扫描方向上彼此偏移一定量的方式来布置。半导体薄膜层在次扫描方向上的端部具有沿着布置多个发光部分所采用的图案的形状。
发光元件阵列半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体发光设备、图像显示设备和图像投影仪-CN201310050092.X无效
发明人： 铃木贵人;兼藤大志;田中晓士;谷川兼一 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光设备、图像显示设备和图像投影仪。一种半导体发光设备包括基板。在基板的表面上形成多条第一电极布线（110）。在基板的表面上形成至少一条第二电极布线（120）。发光部（140、240、340、440）被连接在该多条第一电极布线中的相应一条和该至少一条第二电极布线之间。该发光部包括多个发光元件。
半导体发光设备图像显示投影仪

[发明专利]半导体发光器件和头部安装显示设备-CN201210089840.0有效
发明人：十文字伸哉;铃木贵人 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光器件和头部安装显示设备。半导体发光器件包括薄膜半导体发光元件、衬底、具有薄膜半导体发光元件被接合到的表面的第一绝缘层、由铝组成且被设置在面对衬底的第一绝缘层的一侧上的第一金属层以及设置在第一绝缘层与第一金属层之间的第二绝缘层。
半导体发光器件头部安装显示设备

[发明专利]半导体发光装置和图像形成设备-CN201110031042.8无效
发明人： 铃木贵人;猪狩友希;荻原光彦 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光装置和图像形成设备。一种半导体发光装置包括层叠的半导体发光元件。第一半导体发光元件通过反射金属层被提供在安装衬底上，且配置成发射第一波长的光。第一透光平坦化绝缘膜被提供为覆盖第一半导体发光元件，且配置成透射第一波长的光。第二半导体发光元件通过第一透光平坦化绝缘膜被提供在第一半导体发光元件上。第二半导体发光元件配置成透射第一波长的光且发射第二波长的光。第二半导体发光元件包括面对第一半导体发光元件的第一半导体多层反射膜，第一半导体多层反射膜配置成透射第一波长的光且反射第二波长的光。
半导体发光装置图像形成设备

[发明专利]层叠型半导体发光装置和图像形成设备-CN200910171368.3有效
发明人： 铃木贵人;猪狩友希 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2009-08-31 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及层叠型半导体发光装置和图像形成设备。提供一种包括多个半导体发光元件的层叠型半导体发光装置，每个半导体发光元件均包括将电转化为光并且发射光的发光区域。半导体发光元件在垂直于发光区域的成层方向上成层，并且经由具有电绝缘性能的平坦化层而彼此接合。平坦化层包括第一平坦化区域以及第二平坦化区域，该第一平坦化区域在成层方向上安置于半导体发光元件的发光区域上方或下方并且由具有比空气更高折射率的第一平坦化膜形成，该第二平坦化区域不同于第一平坦化区域并且由具有比第一平坦化膜更低折射率的第二平坦化膜形成。在成层方向上，上部半导体发光元件传输由下部半导体发光元件所发射的光。
层叠半导体发光装置图像形成设备

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