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[发明专利]操作用于改变恢复区段的非易失性存储器装置的方法-CN201810046976.0有效
发明人： 金斗铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：提供一种操作包括连接至多条线的存储器单元阵列的非易失性存储器装置的方法。所述方法可以包括：通过将第一电压施加一段时间来对所述多条线中的第一线执行第一循环，第一循环包括具有第一操作时间段的第一恢复区段，其中，按照第一斜率对第一电压放电；在第一循环之后，通过将第二电压施加一段时间来对第一线执行第二循环，第二循环包括具有第二操作时间段的第二恢复区段，第二操作时间段不同于第一操作时间段，其中，按照比第一斜率小的第二斜率对第二电压放电。
操作用于改变恢复区段非易失性存储器装置方法

[发明专利]有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法-CN201710256835.7有效
发明人：梁伸赫;李光洙;金斗铉;金志训 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10K59/122 文献下载
摘要：提供了一种有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法。所述有机发光显示装置包括基底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、保护绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源电极和漏电极以及子像素结构。缓冲层设置在基底上。有源层设置在缓冲层上，并且具有源极区、漏极区和沟道区。栅极绝缘层在有源层上设置在沟道区中。保护绝缘层设置在缓冲层、有源层的源极区和漏极区以及栅极绝缘层上。栅电极在保护绝缘层上设置在沟道区中。层间绝缘层设置在栅电极上。源电极和漏电极设置在层间绝缘层上。
有机发光显示装置制造方法

[发明专利]包括垂直沟道的薄膜晶体管以及使用其的显示设备-CN201710286203.5有效
发明人：金志训;梁伸赫;金斗铉;李光洙;郑仁永 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种薄膜晶体管和一种显示设备。所述薄膜晶体管包括基底和设置在基底上的栅电极。栅电极包括中心部和被构造为至少部分地围绕中心部的外围部。薄膜晶体管还包括设置在栅电极下面的栅极绝缘层和与栅电极通过栅极绝缘层绝缘的第一电极。第一电极使其至少一部分与中心部叠置。薄膜晶体管另外包括设置在第一电极下面的间隔件和与第一电极通过间隔件绝缘的第二电极。第二电极使其至少一部分与外围部叠置。薄膜晶体管还包括连接到第一电极和第二电极并且与栅电极通过栅极绝缘层绝缘的半导体层。
包括垂直沟道薄膜晶体管以及使用显示设备

[发明专利]存储装置及其操作方法-CN202211310177.2在审
发明人：宋沅钟;金斗铉;金栒永;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：公开了存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储控制器，在所述存储装置中执行热处理之前接收保护命令，并且通过将保护电压编程在收敛区域中来生成保护图案，在收敛区域，在所述存储装置被执行热处理之后，所述存储装置中的存储器单元的阈值电压分布收敛。
存储装置及其操作方法

[发明专利]用于提高编程操作的速度的存储器设备及其操作方法-CN202211375167.7在审
发明人：朴准镛;金珉奭;金志秀;朴一汉;金斗铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：提供了一种用于提高编程操作的速度的存储器设备及其操作方法。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；电压生成器，被配置为生成用于对多个存储器单元执行的一个或多个编程操作和验证操作的电压；控制逻辑，被配置为在多个存储器单元上执行控制操作，使得执行第一编程和第二编程循环；第二编程操作基于补偿电压电平来执行，补偿电压电平是基于第一验证操作的结果确定的；以及连接到存储器单元阵列的多条位线，其中第一验证操作包括对偶数编号的位线的第一偶数感测和第二偶数感测，以及对奇数编号的位线的第一奇数感测和第二奇数感测。
用于提高编程操作速度存储器设备及其操作方法

[发明专利]非易失性存储装置、降低其可靠性劣化的方法和测试其的方法-CN202210885650.3在审
发明人：金珉奭;朴准镛;金斗铉;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：提供了降低非易失性存储装置的可靠性劣化的方法、非易失性存储装置以及测试非易失性存储装置的方法。在降低非易失性存储装置的可靠性劣化的方法中，提供具有初始阈值电压分布的初始数据被存储在与所述多条字线连接的所述多个存储单元中的所述非易失性存储装置。在执行导致可靠性劣化的第一工艺之前，执行第一写入操作使得具有第一阈值电压分布的第一数据存储到与第一字线连接的存储单元中。所述第一字线具有小于参考值的可靠性劣化程度。在执行所述第一工艺之前，执行第二写入操作使得具有第二阈值电压分布的第二数据存储到与第二字线连接的存储单元中。所述第二字线具有大于或等于所述参考值的可靠性劣化程度。
非易失性存储装置降低可靠性方法测试

[发明专利]非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的读取方法-CN202110882993.X在审
发明人：方真培;金斗铉;金珉奭;金志秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的读取方法。非易失性存储器装置包括存储器单元阵列、行解码器电路以及包括第一锁存器和第二锁存器的页缓冲器电路。页缓冲器电路将基于存储在邻近的存储器单元中的数据的第一感测值分别锁存在第一锁存器并且将基于存储在选择的存储器单元中的数据的第二感测值分别锁存在第二锁存器至少两次。
非易失性存储器装置读取方法

[发明专利]非易失性存储器装置的软擦除方法-CN201711391882.9有效
发明人： 金斗铉;李宗勋;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种非易失性存储器装置的软擦除方法。所述方法包括：当执行多个编程循环以将第一存储器单元编程到第N编程状态时，在至少一个编程循环中将编程电压施加到被包括在连接到选择的第一位线的选择的存储器单元串中并连接到选择的字线的第一存储器单元；在第一验证间隔中，通过将用于验证第一存储器单元的编程状态的读取电压施加到选择的字线以及将第一预脉冲施加到连接到第一位线的多个未选择的存储器单元串和连接到未选择的第二位线的多个未选择的存储器单元串中的每一个未选择的存储器单元串的串选择晶体管的栅极，来对第二存储器单元进行软擦除。
非易失性存储器装置擦除方法

[发明专利]存储装置和操作该存储装置的方法-CN202011543864.X在审
发明人： 金斗铉;李宗勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：提供了存储装置和操作该存储装置的方法。所述存储装置包括具有多个存储器单元的非易失性存储器装置以及存储控制器。每个存储器单元被设置为多个存储器单元状态中的一个存储单元状态，其中，所述多个存储器单元状态的不同的多个子集与多个数据集中的一个数据集相关联。存储控制器访问存储在所述多个存储器单元中的处于第一状态的一个存储器单元中的数据，对所述数据执行乘法器‑累加器(MAC)运算，并且将所述一个存储单元设置为与MAC运算的结果对应的第二状态以执行就地更新。
存储装置操作方法

[发明专利]存储设备、存储系统和操作存储设备的方法-CN201610518434.X有效
发明人：南尚完;金斗铉;边大锡;尹治元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：存储设备提供如下。存储单元区包括多个块，每个块包括多个NAND串。控制逻辑基于相对于存储单元区的第一边缘的第一距离和相对于存储单元区的第二边缘的第二距离中较小的距离将所述多个块划分成多个块区，并且使用用于操作的操作参数的多个偏置集来控制对存储单元区执行的操作。每个偏置集与块区之一相关联。
存储设备存储系统操作方法

[发明专利]存储控制器、包括存储控制器的存储系统及其操作方法-CN202010740963.0在审
发明人：崔炳镕;金斗铉;薛昶圭;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：提供了一种操作存储控制器的方法，该方法包括：响应于写入请求，基于状态整形信息对接收到的数据执行状态整形操作，接收到的数据和写入请求是从主机接收的，状态整形信息表示与要在其上对接收到的数据进行编程的存储单元组相对应的存储单元特性，并且状态整形信息是从存储设备接收的；以及向存储设备发送转换数据，转换数据是通过状态整形操作而生成的。
存储控制器包括存储系统及其操作方法

[发明专利]显示装置-CN202010716624.9在审
发明人：元盛焕;许宗茂;金奎民;金斗铉;金松熙;金志训;梁伸赫 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开涉及一种显示装置，显示装置包括：基底，包括显示区域和在显示区域外部的周边区域；薄膜晶体管，布置在显示区域中；显示元件，布置在显示区域中；层间绝缘层，覆盖薄膜晶体管；第一导电层，布置在层间绝缘层上方；第一绝缘层，覆盖第一导电层；焊盘，布置在周边区域中；以及第二导电层，覆盖焊盘的中心部分。焊盘通过接触孔连接到连接线，并且连接线布置在与薄膜晶体管的栅极电极相同的第一层上。焊盘的侧表面由第一绝缘层或第二导电层覆盖。
显示装置

[发明专利]非易失性存储器装置和存储装置及其操作方法-CN201510119045.5有效
发明人： 金斗铉;金甫根;朴起台;韩真晚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-03-18 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储器装置和存储装置及其操作方法。根据示例实施例，一种操作存储装置的方法包括：使用存储器控制器读取工序能力指数；基于工序能力指数调节至少一个操作条件；根据调节的所述至少一个操作条件来操作至少一个非易失性存储器装置中的一个非易失性存储器装置。所述工序能力指数指示与将被操作的存储器单元相关联的结构如何偏离目标形状。
非易失性存储器装置存储及其操作方法

[发明专利]晶体管面板-CN201710216809.1在审
发明人：李光洙;梁伸赫;金斗铉;金志训 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体管面板。所述晶体管面板包括沟道区，包括第一金属的氧化物；源极区和漏极区，各自包括第一金属，其中沟道区设置在源极区与漏极区之间，并且其中沟道区连接到源极区和漏极区；绝缘层，设置在沟道区上；上电极，设置在绝缘层上；层间绝缘层，设置在上电极、源极区和漏极区上；以及阻挡层，包括设置在层间绝缘层与源极区和漏极区中的每个之间的第一部分，其中阻挡层的第一部分与源极区和漏极区中的每个接触。上电极和阻挡层各自包括第二金属。
晶体管面板

[发明专利]使用丙烯酸酯与糊化淀粉构成的环保壁纸组成物-CN201310566767.6无效
发明人： 金斗铉 -专利权人：设计壁纸有限公司;金斗铉
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C09D133/00 文献下载
摘要：本品是使用水性丙烯酸酯和糊化过的淀粉制造用来生产壁纸用胶的相关产品。本发明是为了使淀粉糊化，在不加热的条件下，将0.04～0.15wt%的氢氧化钠（NaOH）溶液加入组成物中，制造碱性环境，轻微的调整淀粉的糊化程度，形成有强度的薄膜涂层和提高物理性强度，从而使壁纸内部的耐摩擦性提高。因而，本发明制造的组成物制造壁纸的基准来说，可加工性和可操作性要强过乙烯壁纸，是对人体无害，废弃时可随环境自然分解的环保产品。
使用丙烯酸酯淀粉构成环保壁纸组成

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