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[发明专利]用于碳化硅单晶生长的碳化硅粉体的制备方法-CN202110126924.6有效
发明人：徐洙莹;金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘崇志 -专利权人：北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于碳化硅单晶生长的碳化硅粉体的制备方法，其针对市面可采购的高纯度β碳化硅粉体通过进一步的热处理，经过热处理工序的高纯度β碳化硅粉末有效的转化为α碳化硅粉末，而α‑碳化硅具有合适的计量成分，适合作为晶体生长原料，以最大限度地减少多孔粉末的影响，并最大限度地提高晶体粉末在生长晶体的效果。本发明的优化热处理最佳温度曲线，时间不足或温度太低不能完金消除原粉体中的自由金属硅和粉末中的多孔粉末；反之时间太长或太高会造成粉末石墨化。
用于碳化硅生长制备方法

[发明专利]一种碳化硅单晶体的生长方法-CN202110125864.6有效
发明人：徐洙莹;金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘崇志 -专利权人：北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅单晶体的生长方法，其对碳化硅粉体进行了一次热处理，然后加入一定量的硅粉，并进行第二次热处理，再以硅/碳化硅粉体为源料进行碳化硅单晶体生长。本发明的关键是采取热处理硅/碳化硅粉体，从而有效提高硅的占比，进而提高碳化硅单晶体的氮掺杂浓度。
一种碳化硅单晶体生长方法

[发明专利]一种超级结功率器件的制备方法-CN202110076522.X有效
发明人： 金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 -专利权人：北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级结功率器件的制备方法，其通过热扩散工艺将第二外延层的掺杂质扩散进入第一外延层中，从而得到超级结；本发明能有效提高超级结功率器件的耐压值并降低导通电阻。
一种超级功率器件制备方法

[实用新型]一种沟槽式碳化硅MPS二极管结构-CN202121941707.4有效
发明人： 金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 -专利权人：北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种沟槽式碳化硅MPS二极管结构，其在外延层上形成沟槽，并在沟槽内设置多晶SiC层，并通过多晶SiC层形成P型网格和P型防护结，由于多晶SiC层为多晶体结构，其在形成P型网格和P型防护结时不需同时施加高压和高温，因此，不会破坏外延层以及P型体的晶体结构，由此改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。此外，由于多晶体SiC层的设置，改善了阳极金属和P网格层的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。
一种沟槽碳化硅 mps 二极管结构

[实用新型]一种碳化硅MPS二极管结构-CN202121941689.X有效
发明人： 金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 -专利权人：北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碳化硅MPS二极管结构，其在外延层上方设置多晶SiC层，并通过多晶SiC层形成P型网格和P型防护结，由于多晶SiC层为多晶体结构，其在形成P型网格和P型防护结时不需同时施加高压和高温，因此，不会破坏外延层以及P型体的晶体结构，由此改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。此外，由于多晶体SiC层的设置，改善了阳极金属和P网格层的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。
一种碳化硅 mps 二极管结构

[实用新型]一种半导体功率器件-CN202120257786.0有效
发明人： 金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘崇志 -专利权人：芯璨半导体科技（山东）有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体功率器件，其包括基板，所述基板正面设有外延层，背面设有漏极金属电极；所述外延层上设有多个沟槽，所述外延层上方设有源极N+型结，所述外延层以及源极N+型结上方设有间层绝缘膜；所述间层绝缘膜上设有源极金属电极和栅极金属电极；所述源极金属电极穿过间隔绝缘膜和源极N+型结后与第一沟槽和第三沟槽内的硅酸乙酯接触；所述栅极电极穿过间层绝缘膜与第四沟槽内多晶态栅极接触。本实用新型制备TDMOS器件时，器件尺寸较小，减小n型柱区域的尺寸，有利于降低器件的通态电阻。
一种半导体功率器件

[实用新型]一种碳化硅MOSFET结构-CN202120154151.8有效
发明人： 金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 -专利权人：芯璨半导体科技（山东）有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碳化硅MOSFET结构，其在P型体上方设置N+型多晶体和P+型多晶体，并通过N+型多晶体和P+型多晶体形成N+源区和P+带区，由于N+型多晶体和P+型多晶体为多晶体结构，其在形成N+源区和P+带区时不需要过高的温度，因此，不会破坏外延层以及P型体的晶体结构，由此改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。此外，由于N+型多晶体和P+型多晶体的设置，改善源极金属和N+源区和P+带区的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。
一种碳化硅 mosfet 结构

[发明专利]适用于高硬质单晶芯片的化学机械研磨浆料-CN202110125316.3在审
发明人：徐洙莹;金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘崇志 -专利权人：芯璨半导体科技（山东）有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于高硬质单晶芯片的化学机械研磨浆料，其利用在商业市埸容易取的二氧化硅乳胶体(CS)与超纯水(DIW)为基础材料，再分别添加入研磨粉末、氧化剂、蚀刻剂。整个配方的完成只虽要把所有的材料按配方量混合并做均匀搅拌即可，制程简单。研磨粉末、氧化剂、蚀刻剂等材料的选取是常见的源料，源料成本低，对设备要求低。主要的关键是本发明优化了各种材料的占比，制备低成本、效果佳的化学机械研磨抛光浆料。
适用于硬质芯片化学机械研磨浆料

[实用新型]一种沟槽结构碳化硅氧化物场效应管-CN202021809273.8有效
发明人： 金宰年 -专利权人：璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种沟槽结构碳化硅氧化物场效应管，其从下至上依次设有n+型SiC基板、n‑型SiC层、n型SiC层、和绝缘层；所述n+型SiC基板的下端面设有漏极；所述n‑型SiC层靠近n型SiC层的位置处设有p+型埋层；所述n型SiC层上设有p型体外延层和防护环型结，在p型体外延层上设有p+接地、n+源和栅极沟槽，所述栅极沟槽内设有栅极底部绝缘层、沟槽栅极氧化绝缘层和n+多晶态电极；所述绝缘层上设有源极金属电极和栅极金属电极，所述源极金属电极与n+多晶态电极接触。本实用新型在沟槽底部形成高浓度掺杂p+型体层，以保护栅区底部表面的绝缘膜。此外，在沟槽侧壁氧化绝缘层的方法，以减少缺陷并固定厚度，从而提高性能，生产高度可靠的器件。
一种沟槽结构碳化硅氧化物场效应

[发明专利]掺杂质注入方法、碳化硅功率器件及其制备方法-CN202110076567.7在审
发明人： 金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 -专利权人：芯璨半导体科技（山东）有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺杂质注入方法、碳化硅功率器件及其制备方法，其中，本发明通过在室温下先沉积非晶态的SiC并注入掺杂质，后再利用高温热扩散渗入SiC基板，这过程不需依赖高温离子注射工艺与昂贵的设备，损坏程度小，同时改善欧姆接触特性。而MPS二极管、MOSFET等功率器件在制备过程中也采用上述离子注入的方法，不需依赖高温离子注射工艺与昂贵的设备，不损坏SiC基板，改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。同时改善阳极金属和网格层的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。
掺杂注入方法碳化硅功率器件及其制备

[发明专利]一种掺杂质注入方法、碳化硅功率器件及其制备方法-CN202110076969.7在审
发明人： 金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 -专利权人：芯璨半导体科技（山东）有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺杂质注入方法、碳化硅功率器件及其制备方法，其中，本发明通过在室温下先沉积非晶态的SiC并注入掺杂质，后再利高温热扩散渗入SiC基板，这过程不需依赖高温离子注射工艺与昂贵的设备，损坏程度小，同时改善欧姆接触特性。而MPS二极管等功率器件在制备过程中也采用上述离子注入的方法，不需依赖高温离子注射工艺与昂贵的设备，不损坏SiC基板，改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。同时改善阳极金属和网格层的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。
一种掺杂注入方法碳化硅功率器件及其制备

[发明专利]一种半导体功率器件及其制备方法-CN202110126880.7在审
发明人： 金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘崇志 -专利权人：芯璨半导体科技（山东）有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体功率器件及其制备方法，其包括基板，所述基板正面设有外延层，背面设有漏极金属电极；所述外延层上设有多个沟槽，所述外延层上方设有源极N+型结，所述外延层以及源极N+型结上方设有间层绝缘膜；所述间层绝缘膜上设有源极金属电极和栅极金属电极；所述源极金属电极穿过间隔绝缘膜和源极N+型结后与第一沟槽和第三沟槽内的硅酸乙酯接触；所述栅极电极穿过间层绝缘膜与第四沟槽内多晶态栅极接触。本发明制备TDMOS器件时，器件尺寸较小，减小n型柱区域的尺寸，有利于降低器件的通态电阻。
一种半导体功率器件及其制备方法

[发明专利]一种改进生长碳化硅单晶质量的装置及方法-CN202110125852.3在审
发明人：徐洙莹;金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘崇志 -专利权人：芯璨半导体科技（山东）有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种改进生长碳化硅单晶质量的装置及方法，其中，装置包括石墨盖、籽晶以及粘合在石墨盖和籽晶之间的多晶碳化硅片，该碳化硅片的横截面面积大于籽晶的横截面面积而小于石墨坩埚的底面积。本发明通过设置多晶碳化硅片，并使其横截面面积大于籽晶的横截面面积，从而调节籽晶表面的热场梯度，使籽晶表面温度分布更均匀，从而有效降低碳化硅晶体在生长初始阶段的缺陷。
一种改进生长碳化硅质量装置方法

[实用新型]一种功率器件静电放电保护电路-CN202021807670.1有效
发明人： 金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘崇志;张本义;钟健 -专利权人：璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率器件静电放电保护电路，在N型井、第二P型井增加了一个N+桥区，利用N+桥区的击穿特来降低第二P型井的触发点电压。在第二P型井中，N+桥区与第二N+型区之间有栅极，形成一个NMOS(N+桥区、第二N+型区分别作为源极与漏极，栅极的电压在N+桥区、第二N+型区之间表面形成的电子沟道，可以改善第二个NPN双极晶体管QN2的导通速度。
一种功率器件静电放电保护电路

[实用新型]功率器件静电放电保护电路-CN202021809250.7有效
发明人： 金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘崇志;张本义;钟健 -专利权人：璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率器件静电放电保护电路，在N型井、第二P型井增加了一个N+桥区，利用N+桥区的击穿特来降低第二P型井的触发点电压。在N型井设置第三P+区，提高器件的响应速度。在第二P型井中，N+桥区与第二N+型区之间有栅极，形成一个NMOS(N+桥区、第二N+型区分别作为源极与漏极，栅极的电压在N+桥区、第二N+型区之间表面形成的电子沟道，可以改善第二个NPN双极晶体管QN2的导通速度。
功率器件静电放电保护电路

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