专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种制备非层状二维纳米硫化镉晶体材料的方法及产品-CN201711358841.X有效
  • 张骐;金宝;周兴;翟天佑 - 华中科技大学
  • 2017-12-17 - 2019-07-23 - C30B25/00
  • 本发明属于硫化镉晶体材料领域,并公开了一种制备非层状二维纳米硫化镉晶体材料的方法及产品。该方法包括下列步骤:(a)选取反应容器,将其划分为上游区域、中心区域和下游区域,选取Cd源和S源,将二者分开独立置于上游区域;(b)选取In化合物作为表面抑制剂置于中心区域,选取云母作为衬底置于下游区域;(c)在反应容器中通入惰性气体隔离氧气反应,反应后在云母衬底上形成单所需非层状二维纳米硫化镉晶体材料。本发明还公开了该方法制备的产品。通过本发明,满足大批量二维纳米CdS晶体材料的制备需求,产物晶面表面平整、形貌均一、元素分布均匀,且原料丰富、价格低廉、制备方法简单、便于推广以及大规模生产。
  • 一种制备层状二维纳米硫化晶体材料方法产品

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