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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器装置-CN201610576170.3有效
发明人：郑韩蔚;林优镇;宋泰中;郑盛旭;金奎泓 -专利权人：三星电子株式会社;延世大学校产学协力团
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G11C11/418 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：存储器单元；感测电路，通过第一位线以及与第一位线不同的第二位线连接到存储器单元，感测电路被构造为感测存储在存储器单元中的数据；以及位线电压控制电路，通过第一位线和第二位线连接到存储器单元，位线电压控制电路被构造为将第一位线预充电到小于电源电压的第一电压并且将第二位线预充电到小于电源电压且与第一电压不同的第二电压。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体集成电路及其设计和制造方法-CN201310263499.0有效
发明人：宋泰中;高必云;金奎泓;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可以最小化因导电线、尤其是栅极线中的过头部产生的寄生电容的半导体集成电路及其设计和制造方法。一种设计具有FinFET架构的半导体集成电路的方法包括执行将被设计的半导体集成电路的前仿真；基于前仿真的结果来设计半导体集成电路的组件的布局，组件包括第一器件区域、第二器件区域以及跨过第一器件区域和第二器件区域延伸的第一导电线；根据至少一条设计规则来修改作为布置在第一器件区域和第二器件区域之间并电气地切割第一导电线的第一切割区域，以最小化通过第一切割区域创建的第一导电线的过头部。
半导体集成电路及其设计制造方法

[发明专利]包括不对称硅化物结构的场效应晶体管及相关器件-CN201310445019.2在审
发明人：宋泰中;金奎泓;朴在浩;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种鳍式场效应晶体管及其相关器件。该鳍式场效应晶体管可以包括鳍式场效应晶体管的源极区和漏极区。鳍式场效应晶体管的栅极可以横跨源极区与漏极区之间的鳍式场效应晶体管的鳍。第一硅化物层和第二硅化物层可以分别在源极区和漏极区上。第一硅化物层和第二硅化物层可以分别包括面对横跨鳍的栅极的第一表面和第二表面，其中，第一表面和第二表面的尺寸是不同的。
包括不对称硅化物结构场效应晶体管相关器件

[发明专利]高温度灵敏性地生成负偏压的方法-CN200610121566.5有效
发明人：卢庚俊;金奎泓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-08-22 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：一种负偏压发生器内的电平检测器包括触发单元和温度检测器。当负偏压的绝对值小于监视电平的绝对值时，触发单元促使使能信号被激活。温度检测器控制触发单元高温度灵敏性地随着温度的增加而增加监视电平的绝对值。
温度灵敏性生成偏压方法

[发明专利]多次可编程半导体存储设备及其多次编程方法-CN200510121637.7有效
发明人：郑钟勋;金奎泓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-12-22 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：一种多次可编程半导体存储设备，包括部件阵列、部件解码器和单元分配电路。部件阵列包括多个可编程部件，其每一个具有多个一次可编程单元。部件解码器基于地址信号生成用来选择部件阵列的可编程部件的部件选择信号。基于从部件阵列所接收的所选可编程部件的先前数据状态以及要被编程到所选可编程部件的现有数据状态来生成奇数编号单元编程信号以及偶数编号单元编程信号，所述奇数编号单元编程信号用来对由部件选择信号所选择的可编程部件的多个一次编程单元的奇数编号的一次可编程单元中的一个进行编程，所述偶数编号单元编程信号用来对多个一次编程单元的偶数编号的一次可编程单元中的一个进行编程。
多次可编程半导体存储设备及其编程方法

[发明专利]闪存单元熔丝电路和熔断闪存单元的方法-CN200610006048.9有效
发明人：方薰振;金奎泓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种闪存单元熔丝电路包括熔丝单元阵列、多个开关电路、和多个熔丝读出放大器。该熔丝单元阵列在编程或擦除操作之后响应于字线使能信号而输出第一信号。所述开关电路响应于复位信号和字线使能信号之一而使第一信号之一通过。所述熔丝读出放大器的每个通过检测和放大对应开关电路的输出信号而生成熔断信号。
闪存单元电路熔断方法

[发明专利]具有闪速熔丝单元阵列的闪速存储设备-CN200610059257.X有效
发明人：金泰成;金奎泓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-05 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：提供了一种闪速存储设备，包括闪速单元阵列、第一闪速熔丝单元熔断电路、第二闪速熔丝单元熔断电路、第三闪速熔丝单元熔断电路以及多个熔丝感测放大电路。第一、第二和第三闪速熔丝单元熔断电路都与闪速单元阵列共享位线，并具有闪速熔丝单元。第一闪速熔丝单元熔断电路可以用于控制闪速单元阵列和外部逻辑电路之间的连接。第二闪速熔丝单元熔断电路可以用于将有缺陷的单元的地址变成冗余单元的地址。第三闪速熔丝单元熔断电路可以用于控制DC电平，其用以调整在闪速存储设备的生产过程中使用的参考值。熔丝感测放大电路分别与位线耦合，以从位线读取数据。
具有闪速熔丝单元阵列存储设备

[发明专利]带有公共预充电器的动态随机存取存储器-CN200510120433.1有效
发明人：崔荣珠;金奎泓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器布局，其中预充电器电路连接在不同的位线对之间而不是在读出放大器之间：每个位线对中的两个位线连接到不同的预充电电路，因此它们可以被充电到不同的预充电电压。即，每个位线对中的位线和位线杆读出线连接到不同的预充电电路。利用这种配置，可能通过同时激活全部的地址线进行读出应力测试，并对每对读出线中的位线和位线杆充电到不同电压。利用该配置，可能减少所要求的测试焊盘数。
带有公共充电器动态随机存取存储器

[发明专利]存储器件与放大位线和互补位线的电压电平的方法-CN200410055876.2有效
发明人：李炳宰;金奎泓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-08-05 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： G11C11/4091 文献下载
摘要：当选择了连接于位线的第一存储单元时，位线读出放大器使用第一电流通路和第二电流通路来放大位线的电压电平和互补位线的电压电平，其中，第一电流通路是响应于互补位线的电压电平和第一寻址信号而在读出使能单元的输出结点与位线之间形成的，以及第二电流通路是响应于位线的电压电平和第二寻址信号而在读出使能单元的输出结点与互补位线之间形成的。
存储器件放大互补电压电平方法

[发明专利]具有自动预充电功能的同步半导体存储器装置-CN95103232.1无效
发明人： 金奎泓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1995-03-03 - 公布日： 2002-08-21 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：根据本发明的半导体存储器装置，具有许多存储体，行地址选通信号缓冲器，列地址缓冲器和列地址发生器，并与具有预定频率的系统时钟有关的脉冲串长度和等待时间信息响应，执行数据选取操作，包括在存储体地址操作完成后，响应行地址选通信号和具有脉冲串长度和等待时间信息，产生对一个存储体自动预充电的信号的信号发生装置。
具有自动充电功能同步半导体存储器装置

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