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- [发明专利]具有电流阻挡层的发光元件-CN201810008733.8有效
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金艺瑟;金京完;金智惠;禹尚沅
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首尔伟傲世有限公司
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2018-01-04
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2023-02-03
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H01L33/14
- 本发明提供一种高效率的具有电流阻挡层的发光元件。此发光元件包括：第一导电型半导体层；第二导电型半导体层；活性层，布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间；电流阻挡层，布置于所述第二导电型半导体层上；透明电极层，覆盖所述电流阻挡层；第一电极，电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极，位于所述透明电极层上，并电连接于所述透明电极层，且包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘延伸的第二电极延伸部；以及第二反射层，布置于所述第二电极与所述透明电极层之间，其中，所述第二电极焊盘及第二电极延伸部分别覆盖所述电流阻挡层的至少一部分。
- 具有电流阻挡发光元件
- [发明专利]读取电阻式存储器件的方法-CN201811365709.6有效
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金京完;河泰政
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爱思开海力士有限公司
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2018-11-16
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2022-12-06
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G11C13/00
- 本发明公开了一种读取电阻式存储器件的方法。在根据一个实施例的一种读取电阻式存储器件的方法中，准备包括选择元件和可变电阻元件的存储单元。选择元件在针对存储单元的电流‑电压扫描曲线上表现出骤回行为。在选择元件维持导通状态的电压范围之内确定要施加给存储单元的第一读取电压和第二读取电压。第二读取电压的大小小于第一读取电压的大小，以及第二读取电压在选择元件表现出骤回行为的电压范围内选择。施加第一读取电压给存储单元以测量第一单元电流。施加第二读取电压给存储单元以测量第二单元电流。基于第一单元电流和第二单元电流来确定储存在存储单元中的电阻状态。
- 读取电阻存储器件方法
- [发明专利]半导体发光元件-CN201811533059.1有效
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徐德壹;金艺瑟;金京完;禹尙沅;金智惠
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首尔伟傲世有限公司
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2015-07-01
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2022-04-29
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H01L33/38
- 公开了一种半导体发光元件，包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层；透明导电层，形成在第二导电型半导体层之上；形成于发光结构上的第一电极垫和第二电极垫，分别连接到第一导电型半导体层和第二导电型半导体层；第一电极延伸部和第二电极延伸部，分别从第一电极垫和第二电极垫延伸。第一电极延伸部包括：纵向延伸部，从第一电极垫沿发光结构的边缘沿纵向延伸；横向延伸部，从纵向延伸部的末端沿发光结构的边缘沿横向延伸。横向延伸部包括多个延伸部‑接触部分，使得横向延伸部与所述第一导电型半导体层接触。第二电极延伸部包括第一延伸部和第二延伸部。
- 半导体发光元件
- [发明专利]发光装置-CN201910221951.4有效
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金艺瑟;金京完;禹尚沅;金智惠
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首尔伟傲世有限公司
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2016-10-14
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2022-04-05
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H01L33/22
- 本发明提供一种发光装置。发光装置包括：基板；半导体叠层，位于基板上，包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层和第二半导体层之间的活性层；通孔，穿过第二半导体层及活性层，以暴露第一半导体层的第二表面；第一焊垫电极，覆盖通孔并接触第一半导体层的上表面；以及绝缘层，包括暴露第一半导体层的第一开口及暴露第二半导体层的第二开口，基板包括暴露在半导体叠层周围的表面及边缘侧，第一半导体层包括第一外壁，第二半导体层包括第二外壁，绝缘层覆盖第一半导体层的第一外壁和第二半导体层的第二外壁，并接触暴露在半导体叠层周围的基板的表面，绝缘层包括与基板的表面接触的部分，绝缘层的部分包括边缘侧。
- 发光装置
- [发明专利]发光二极管芯片、发光装置及电子装置-CN201910222409.0有效
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金艺瑟;金京完;禹尚沅;金智惠
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首尔伟傲世有限公司
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2016-10-14
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2022-01-18
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H01L33/38
- 本发明提供一种发光二极管芯片、发光装置及电子装置。发光二极管芯片包括：基板，包括形成在上表面的多个突出部，且上表面局部地露出；发光构造体，位于所述基板上，包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层及位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层，且包括包含所述活性层及所述第二导电型半导体层的台面；接触电极，位于所述台面上，包括透光性导电氧化物；绝缘层，覆盖所述发光构造体的侧面、上表面及所述基板的上表面，包括使所述第一导电型半导体层局部地露出的第一开口部及使所述接触电极局部地露出的第二开口部；以及第一焊垫电极及第二焊垫电极，位于所述绝缘层上。
- 发光二极管芯片发光装置电子
- [发明专利]发光二极管-CN201910136019.1有效
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李锦珠;李剡劤;金京完;柳龙禑;张美萝
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首尔伟傲世有限公司
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2017-04-18
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2021-09-21
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H01L33/14
- 一种发光二极管，包括：基板；半导体层叠体，配置于基板上且包括下部半导体层、上部半导体层、活性层和分离槽，活性层夹设于下部半导体层与上部半导体层之间，并且分离槽通过上部半导体层、活性层以及下部半导体层而露出基板；第一电极板；上部延伸部，上部延伸部和第一电极板电连接到上部半导体层；第二电极板；下部延伸部，下部延伸部和第二电极板电连接到下部半导体层；连接部，横穿分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部，连接部的宽度大于上部延伸部和下部延伸部的宽度；第一电流阻挡层，配置于下部延伸部之下；第一绝缘层，夹设于连接部与隔离槽之间，第一绝缘层的宽度大于连接部的宽度，其中，第一电流阻挡层连接到第一绝缘层。
- 发光二极管
- [发明专利]发光二极管芯片以及发光装置-CN201910222430.0有效
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金艺瑟;金京完;禹尚沅;金智惠
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首尔伟傲世有限公司
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2016-10-14
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2021-08-06
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H01L33/48
- 本发明提供一种发光二极管芯片以及发光装置。发光二极管芯片包括：基板；第一导电型半导体层，配置在基板上；台面，配置到第一导电型半导体层上，包括活性层及第二导电型半导体层；至少一个沟槽，设置在台面的侧面上，形成凹陷区域；延伸电极，在所述凹陷区域中与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触；绝缘层，覆盖第一导电型半导体层及台面，包括至少一个第一开口部及第二开口部；第一焊垫电极，配置到绝缘层的上部，通过第一开口部电连接到第一导电型半导体层；及第二焊垫电极，配置到绝缘层的上部，通过第二开口部电连接到电连接到第二导电型半导体层。本发明可提高产品的耐久性，可在产品内均匀地安装多个芯片。
- 发光二极管芯片以及发光装置
- [发明专利]发光二极管芯片-CN202011465318.9在审
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李珍雄;金京完;朴泰俊;禹尙沅
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首尔伟傲世有限公司
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2019-08-28
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2021-03-30
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H01L33/38
- 本发明揭示一种发光二极管芯片，包括：基板；发光构造体，配置于基板上，包括第一导电型半导体层及配置到第一导电型半导体层的一部分区域上的台面；透明电极，配置于台面上；接触电极，配置第一导电型半导体层上；第一绝缘反射层，覆盖发光构造体、透明电极及接触电极的至少一部分；第一焊垫电极，配置于透明电极的上部区域及位于第一绝缘反射层上，并电连接到接触电极；第二焊垫电极，配置于透明电极的上部区域及电连接到接触电极；以及第二绝缘反射层，配置到基板的下部，其中第一及第二绝缘反射层的至少一者具有至少两个区域具有不同反射率的特性。本发明可利用第一绝缘反射层反射朝向焊垫电极侧行进的光，从而可减少因金属层产生的光损耗。
- 发光二极管芯片
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