“郭秋生”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果84个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]铁电存储器及其制造方法-CN202310920192.7在审
发明人：丁甲;郭秋生;张继伟;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本申请提供了一种铁电存储器及其制造方法。本申请通过在存储单元图形化后，沉积高拉应力的介质膜层再进行高温热处理，高拉应力的介质膜层有助于存储单元的铁电存储层中的铁电材料内具有铁电性能的正交相的产生，从而增强铁电存储器的铁电性能，且在存储单元的各材料层沉积后无需进行热处理，以提升铁电器件性能。
存储器及其制造方法

[实用新型]平面框架组合工装-CN202320789122.8有效
发明人：李新芳;王伟;李世科;郭秋生 -专利权人：河南美筑源装配式建筑有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B25B11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种平面框架组合工装，涉及集装箱框架拼装领域，包括L型底座、角件夹持机构以及两组梁夹持机构，两组梁夹持机构分别设置在L型底座的两端部，所述角件夹持机构包括角座、N组横向支撑块、N竖向支撑块以及支撑板，本实用新型通过设置角件夹持机构，能够对角件进行夹持固定，通过设置两组梁夹持机构，能够分别对横梁和竖梁进行夹持、定位，在确定合格尺寸后，能够对角件、横梁和竖梁进行同时锁紧，以便于后序的锚固组合，在批量生产时可以做到尺寸统一，杜绝在拼装过程中出现尺寸错误，控制精度高，批量生产操作省心，改变专业工种专人操作，扩大非专人操作，适用于各种平面结构框架组拼。
平面框架组合工装

[发明专利]导线张力调节装置-CN202310753408.5在审
发明人：韩胜;郭秋生;何广杰;孙涛;韦增靖;谭华章;刘聪汉;陆新;廖海铭;张伟;刘英龙;唐小峰;况成忠;黄竞;孙伯岐;梁维伟;雷园;卢世杰 -专利权人：广西电网有限责任公司南宁供电局;广西电网有限责任公司;广西电网有限责任公司柳州供电局
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H02G1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种导线张力调节装置，涉及带电作业设备技术领域，包括夹线组件、连接组件和驱动组件。夹线组件用于夹持导线，连接组件的一端连接夹线组件。驱动组件包括相连接的电动源和驱动件，驱动件连接于连接组件远离夹线组件的一端，连接组件能够在电动源带动驱动件运动时来回移动，进而连接组件带动夹线组件移动而调节导线的张力。相较于现有技术中通过人工手动的方式施加作用力来调节导线的张力，本发明通过自动调节的方式，不仅省时省力，且基本上不会有高压触电的风险。
导线张力调节装置

[发明专利]存储器件、存储设备和存储器件制备方法-CN202310771764.X在审
发明人：贾萌恩;郭秋生;张继伟;丁甲;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储器件、存储设备和存储器件制备方法。其中，存储器件包括：第一电介质部，所述第一电介质部具有一个或多个开孔，其中，所述一个或多个开孔中的每个开孔从所述第一电介质部的上表面向下延伸；以及存储单元，所述存储单元包括覆盖于所述一个或多个开孔中的至少一个开孔的内表面上的第一单元部分和覆盖于所述第一电介质部的上表面上的第二单元部分，其中，所述第二单元部分环绕所述第一单元部分并与所述第一单元部分相连。
存储器件设备制备方法

[发明专利]一种导线张力收紧工具-CN202310764959.1在审
发明人：韩胜;郭秋生;何广杰;孙涛;韦增靖;谭华章;刘聪汉;陆新;廖海铭;张伟;刘英龙;唐小峰;况成忠;黄竞;孙伯岐;梁维伟;雷园;卢世杰 -专利权人：广西电网有限责任公司南宁供电局;广西电网有限责任公司;广西电网有限责任公司柳州供电局
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H02G1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种导线张力收紧工具，包括钢绞线连接主体，所述钢绞线连接主体的两端分别连接有第一紧固件与第二紧固件，所述第一紧固件与第二紧固件相背的一端分别设有传感器连接部及金具压接部，所述传感器连接部及金具压接部相背的一端分别连接有第一端部金具及第二端部金具，所述第一端部金具及第二端部金具上均套设有伞形复合绝缘子护套，所述第一端部金具及第二端部金具相背的一端分别设有绝缘子固定头及固定件，所述传感器连接部包括拉力传感器，所述拉力传感器的两端分别连接有第一绝缘子套头及第一连接件。本发明收紧工具连接和拆卸工作时更加方便，节省时间，且工作范围调节方便，便于设备老化更换维护。
一种导线张力收紧工具

[发明专利]导线分段装置及导线分段系统-CN202310768720.1在审
发明人：何广杰;韩胜;韦增靖;郭秋生;孙涛;陆新;刘聪汉;谭华章;廖海铭;张伟;刘英龙;唐小峰;况成忠;黄竞;孙伯岐;何盼;雷园;周德臣;陈石 -专利权人：广西电网有限责任公司南宁供电局;广西电网有限责任公司;广西电网有限责任公司柳州供电局
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H02G1/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种导线分段装置及导线分段系统。导线分段装置包括传动杆、切割模组和限位模组：其中，传动杆的一端设置有手柄，另一端用于承载切割模组和限位模组，手柄上设置有控制模组；切割模组包括相互铰接的第一刀片和第二刀片，控制模组与第一刀片和第二刀片中至少一者传动连接；限位模组包括第一限位件和第二限位件，第一限位件和第二限位件均连接于传动杆的侧面。本申请实施例通过设置限位模组，在切割导线时固定导线，避免了切割后的导线线头掉落，提高安全性。同时，通过设置传动杆，作业人员手持传动杆操作切割模组和限位模组，使得作业人员远离带电导线，进行带电作业，避免停电造成经济损失，提高了安全程度和工作效率。
导线分段装置系统

[发明专利]一种存储器结构的制造方法、存储器结构和存储器-CN202310768708.0在审
发明人：贾萌恩;郭秋生;张继伟;丁甲;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器结构的制造方法、存储器结构和存储器，存储器结构的制造方法包括对第一金属层进行图案化处理，并在第一金属层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上刻蚀连通第一金属层的第一通孔；在第一绝缘层和第一通孔内沉积存储单元，并在存储单元上沉积第一导电金属；在第一导电金属上显影出存储单元，并分别刻蚀第一导电金属和存储单元，以获取存储单元图案；在第一绝缘层和第一导电金属上沉积停止层。本发明可以在半导体的VIA孔内设置一存储单元，增加了存储器的面积，解决了现有技术中存储器的有效面积在现有技术的基础上难以增加的问题，提高了存储器的器件性能。
一种存储器结构制造方法

[发明专利]绝缘电动摇把杆-CN202310753423.X在审
发明人：韩胜;郭秋生;韦增靖;何广杰;孙涛;谭华章;刘聪汉;陆新;廖海铭;张伟;刘英龙;唐小峰;况成忠;黄竞;孙伯岐;梁维伟;陆佩智;何盼 -专利权人：广西电网有限责任公司南宁供电局;广西电网有限责任公司;广西电网有限责任公司柳州供电局
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01H3/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种绝缘电动摇把杆。绝缘电动摇把杆包括依次连接的尾杆、传动杆本体和快接插头：其中，尾杆包括手柄外壳和电机外壳，电机外壳内容纳有电机和电池，电机外壳侧壁上设置有按钮开关；传动杆本体包括同轴设置的外杆和内杆；快接插头包括插头外壳和传动插头，传动插头与内杆之间的夹角不小于45度且不大于135度。本申请实施例通过设置尾杆、传动杆本体和快接插头使得作业人员远离高压电线，最大程度上保障作业人员的人身安全，不停电施工作业，避免停电造成经济损失；作业人员通过按钮开关控制电机的启动和停止，由电机驱动代替人力驱动完成设备的安装与拆卸，在作业中降低工作难度，减轻工作强度，从而提升安全程度。
绝缘电动摇把

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN202310639150.6在审
发明人：杜雪珂;孟晋辉;郭秋生;丁甲;张继伟;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B53/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制造方法。本申请通过回刻蚀第一介质层形成部分暴露的第一连接结构，并形成包覆部分暴露的第一连接结构的三维立体结构的存储单元，增加器件极化面积，可以在占用相同平面面积的基础上，增大存储层及电极层的有效面积，从而提高极化电荷量，优化提升器件运行效率及可靠性。
三维存储器及其制造方法

[发明专利]存储器及其制造方法-CN202310188487.X在审
发明人： 郭秋生;张继伟;丁甲;杜雪珂 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储器及其制造方法，存储器包括：衬底；至少一第一导电柱，形成于所述衬底内，第一导电柱的顶部与所述衬底的顶部齐平；至少一鳍形支撑柱，形成于衬底表面；台阶状的电容结构，形成于鳍形支撑柱表面，电容结构包括：第一电极层、介电层及第二电极层，第一电极层覆盖鳍形支撑柱表面，介电层形成于第二电极层与第一电极层之间；第二导电柱，与第一导电柱成对设置；其中，第一电极层与所述第一导电柱相接、第二电极层与第二导电柱相接，或，第一电极层与第二导电柱相接、第二电极层与第一导电柱相接。上述技术方案，通过将电容结构设计为3D结构，增大存储层材料及电极层材料的有效面积，并丰富了存储器的连线方式。
存储器及其制造方法

[发明专利]存储器件、存储设备和存储器件制备方法-CN202310159764.4在审
发明人：杜雪珂;张继伟;丁甲;郭秋生 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储器件、存储设备和存储器件制备方法。其中，存储器件包括：第一电极部，所述第一电极部包括一个或多个鳍状部；存储材料部，所述存储材料部设于所述第一电极部上，且所述存储材料部的至少一部分覆盖所述一个或多个鳍状部中的每个鳍状部的顶表面和侧表面；以及第二电极部，所述第二电极部设于所述存储材料部上；其中，所述第一电极部、所述存储材料部和所述第二电极部依次堆叠。
存储器件设备制备方法

[发明专利]相变存储器件及其制备方法-CN202310156109.3在审
发明人： 郭秋生;丁甲;张继伟;杜雪珂 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本公开涉及相变存储器件及其制备方法。该相变存储器件包括存储单元，该存储单元包括：鳍；第一电极层，包括设置于鳍之下的第一部分和设置于鳍之上的第二部分，第一电极层的第一部分和第二部分接触以围绕鳍；相变材料层，设置于第一电极层的第二部分之上；以及第二电极层，设置于相变材料层之上。
相变存储器件及其制备方法

[发明专利]相变存储器件及其制备方法-CN202310159549.4在审
发明人： 郭秋生;丁甲;张继伟;杜雪珂 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本公开涉及相变存储器件及其制备方法。相变存储器件包括存储单元，存储单元包括：导电部；第一电极层，包括设置于导电部的第一部分之下的第一部分和设置于导电部的第一部分之上的第二部分，第一电极层的第一部分和第二部分接触以围绕导电部的第一部分并与导电部的第一部分电连接；相变材料层，包括设置于第一电极层的第一部分之下的第一部分和设置于第一电极层的第二部分之上的第二部分，相变材料层的第一部分和第二部分接触以围绕第一电极层；以及第二电极层，包括设置于相变材料层的第一部分之下的第一部分和设置于相变材料层的第二部分之上的第二部分，第二电极层的第一部分和第二部分接触以围绕相变材料层。
相变存储器件及其制备方法

[发明专利]存储器件、存储设备和存储器件制备方法-CN202310160540.5在审
发明人： 郭秋生;张继伟;丁甲;杜雪珂 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储器件、存储设备和存储器件制备方法。其中，存储器件包括：支撑部，其中，所述支撑部包括筒状侧壁；第一电极部，其中，所述第一电极部的一部分覆盖于所述筒状侧壁的表面上；存储材料部，覆盖于所述第一电极部的表面上；以及第二电极部，覆盖于所述存储材料部的表面上；其中，所述支撑部、所述第一电极部、所述存储材料部和所述第二电极部依次堆叠。
存储器件设备制备方法

[发明专利]一种减少后端介质层开裂的晶圆结构和晶圆制备方法-CN202211551313.7在审
发明人： 郭秋生;黄永彬;丁甲 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明的一种减少后端介质层开裂的晶圆结构和晶圆制备方法，晶圆结构包括衬底、敷设于衬底上的金属层和敷设于金属层上的第一介质层，晶圆结构还包括第一薄膜层；其中，填充于金属层的间隙中的第一介质层被刻蚀掉，第一薄膜层敷设于第一介质层上并填充金属层的间隙，第一薄膜层的应力低于第一介质层的应力。本发明解决了现有的金属层间隙顶角应力大易导致HDP薄膜产生裂缝的问题。
一种减少后端介质开裂结构制备方法

1
2
3
4
5
6
下一页»
尾页
共 84 条