专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]顶盖片、顶盖组件及电池-CN202321444019.6有效
  • 史胜娟;郭新凯 - 江苏正力新能电池技术有限公司
  • 2023-06-07 - 2023-10-27 - H01M50/15
  • 本实用新型提供了一种顶盖组件及电池,涉及蓄电池技术领域。本实用新型提供的顶盖片,包括:盖片本体和密封板,盖片本体上设置有注液孔和盖片本体防溢部;盖片本体防溢部包括多个盖片本体防溢结构,盖片本体防溢结构围设于注液孔的外周。本实用新型提供的顶盖组件及电池解决了注液台较小,注液压嘴无法放入台内,易造成外部的污染,影响激光焊,此外电解液的残留也会对电池壳体造成腐蚀的问题。
  • 顶盖组件电池
  • [发明专利]一种新型场板技术-CN202310962822.7在审
  • 程骏骥;刘家平;郭新凯;孙燕;杨洪强 - 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
  • 2023-08-02 - 2023-09-15 - H01L29/40
  • 发明属于半导体功率器件领域,涉及横向耐压结构,具体提供了一种新型场板技术,应用于硅基、碳化硅基、氮化镓基或者氧化镓基的横向半导体功率器件或者纵向半导体功率器件的结边缘终端。本发明通过弧形嵌入式源极场板来吸引耗尽区中正电荷发出的电力线,从而缓解栅极或者主结处的电场集中效应。相对包含传统矩形嵌入式源极场板和传统栅极场板在内的传统场板技术,本发明中场板末端的弧形形态更加优化了场板末端的电场分布,取得优于传统技术的电场调制效果以及抑制栅漏电容效果。同时,通过一道版图和一次腐蚀工艺,可在本发明弧形嵌入式源极场板的末端同时设置多个深度及间距可变的弧形嵌入式浮空场板,进一步优化器件的表面电场分布。
  • 一种新型技术
  • [实用新型]一种列车转向架测试用固定装置-CN202222997768.3有效
  • 智鹏鹏;云国丽;郭新凯;官毅 - 电子科技大学广东电子信息工程研究院
  • 2022-11-10 - 2023-03-24 - G01M17/08
  • 本实用新型公开了一种列车转向架测试用固定装置,包括转向架和连接座,所述转向架的侧面设置有连接板,所述连接板的两侧均开设有卡槽,所述卡槽内设置有卡块,所述卡块的侧面设置有传动板,所述连接座的一侧两端均设置有限位板,两个所述限位板之间设置有第一传动杆和限位杆,所述第一传动杆的两端均开设有螺纹。本申请中设置有连接座、第一连接杆、第二连接杆、滑槽、弹簧、限位板、转向架、连接板、卡槽、传动板、卡块、限位杆、第一传动杆、蜗轮、限位座、第二传动杆、蜗杆和转轮结构,和现有技术相比,本申请可以实现转向架与连接座之间的快速连接,摒弃了传统的螺栓连接,提高了连接速度。
  • 一种列车转向架测试固定装置
  • [发明专利]一种采用全环绕电荷补偿的SOI-LDMOS器件-CN202211436755.7在审
  • 程骏骥;钟涛;郭新凯;杨洪强 - 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
  • 2022-11-16 - 2023-03-21 - H01L29/78
  • 本发明属于功率LDMOS器件领域,提供一种采用全环绕电荷补偿的SOI‑LDMOS器件,用以改善器件击穿电压和比导通电阻之间的矛盾关系,提升SOI‑LDMOS的Baliga优值,同时提高器件的抗电荷偏离能力,提升鲁棒性。本发明中HK层和鳍状P型变掺杂区对鳍状N型漂移区构成全环绕的电荷补偿;P型变掺杂区与N型漂移区彼此耗尽,在纵向上形成变化的电场分布,降低器件表面电场强度,构成双重RESURF,且提高器件耐压特性;同时,HK层对N型漂移区构成三面的电荷补偿,使N型漂移区表面得到增强RESURF效应,从而改善器件表面电场分布,进一步优化器件击穿电压和比导通电阻之间的关系;另外,HK材料还赋予了器件抵抗电荷偏离的能力,提高了器件的鲁棒性。
  • 一种采用环绕电荷补偿soildmos器件

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