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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202280004813.0在审
发明人：刘阳;陈亮;张啸;郑浩宁;黃敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一和第二氮基半导体层以及栅极结构。栅极结构包括外间隔物、内间隔物和栅极电极。外间隔物具有至少两个相对的内侧壁以界定栅极沟槽。内间隔物位于栅极沟槽内。栅极电极设置在栅极沟槽内并由内间隔物所覆盖，其中内间隔物和栅极电极向下延伸以共同形成栅极结构的底部，底部具有的第一宽度大于栅极电极的底表面的第二宽度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体组件及其制造方法-CN202010499377.1有效
发明人：李浩;郑浩宁;张安邦 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体组件及一种形成半导体组件的方法。所述半导体组件包含衬底、III‑V族层、经掺杂III‑V族层、栅极接触、第一场板及第二场板。所述III‑V族层设置于所述衬底上。所述经掺杂III‑V族层设置于所述III‑V族层上。所述栅极接触直接位于所述经掺杂III‑V族层上，所述栅极接触具有第一侧及第二侧皆远离所述经掺杂III‑V族层。所述第一场板具有第一侧及第二侧，所述第一场板的所述第一侧较所述第二侧更接近所述栅极接触的所述第二侧。所述第二场板具有第一侧及第二侧，所述第二场板的所述第一侧较所述第二侧更接近所述栅极接触的所述第二侧。所述第一场板比所述第二场板及所述栅极接触的所述第一侧及所述第二侧更靠近所述经掺杂III‑V族层。
半导体组件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210664378.6在审
发明人：李浩;张安邦;郑浩宁 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包含半导体堆叠、第一栅极、第二栅极以及第一欧姆接触件。半导体堆叠形成于衬底上。半导体堆叠具有第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层。第二氮化物半导体层形成于第一氮化物半导体层上且具有比第一氮化物半导体层的带隙更宽的带隙。第一栅极与第二栅极安置于半导体堆叠上方。第一欧姆接触件安置于半导体堆叠上方。第一欧姆接触件具有彼此分离的第一、第二以及第三部分。第一、第二以及第三部分位于第一栅极与第二栅极之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180000662.7有效
发明人：李浩;张安邦;郑浩宁 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含半导体堆叠和第一欧姆接触件。所述半导体堆叠形成于衬底上。所述半导体堆叠具有第一氮化物半导体层和形成于所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层。所述第二氮化物半导体层具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更宽的带隙。所述第一欧姆接触件安置于所述半导体堆叠上方。所述第一欧姆接触件具有暴露所述第一氮化物半导体层的第一开口。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种三角梅的造型装置-CN202122007159.4有效
发明人：吴小业;谭秀敏;牛彦嫔;殷权斌;郑浩宁 -专利权人：广东百林生态科技股份有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： A01G17/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及三角梅的造型装置技术领域，公开了一种三角梅的造型装置，包括支撑板，以及设置在支撑板上的造型组件；造型组件包括花盆、螺纹杆、升降块、第一螺帽、第二螺帽和圆环，花盆安装在支撑板顶部的中心位置，螺纹杆安装在支撑板上，螺纹杆侧壁上套设升降块、第一螺帽和第二螺帽，升降块的下方设置第一螺帽，升降块的上方设置第二螺帽，升降块临近花盆的一侧安装圆环，圆环上开设有贯穿孔。通过造型组件的设置，便于对三角梅进行造型且不会损伤树干。
一种三角梅造型装置

[发明专利]在图案化衬底上的III族氮化物半导体器件-CN202180002254.5在审
发明人：陈亮;李浩;郑浩宁;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在此提供一种III族氮基半导体器件。III族氮基半导体器件包括硅衬底。硅衬底具有形成在其中的周期性凹槽阵列的表面。在周期性凹槽阵列的每个凹槽内形成不连续绝缘层，使得相邻的凹槽之间的硅衬底表面的一部分未被不连续绝缘层覆盖。在具有周期性凹槽阵列和不连续绝缘层的硅衬底其上形成第一外延III族氮基半导体层。第二III族氮基半导体层设置在第一III族氮基半导体层上并且其具有的带隙大于第一III族氮基半导体层的带隙。至少一个源极和至少一个漏极设置在第二III族氮基半导体层上。栅极还设置在源极和漏极之间的第二III族氮基半导体层上。
图案衬底 iii 氮化物半导体器件

[实用新型]氮化镓半导体器件-CN202022638462.X有效
发明人：张安邦;李浩;郑浩宁;陈亮 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化镓半导体器件，氮化镓半导体器件包括氮化镓外延片及其上方的源极、栅极、漏极，还包括依次形成在氮化镓外延片上的第一介质层、欧姆金属层、第二介质层、第三介质层和栅极金属接触部；欧姆金属层包括源极欧姆接触部和漏极欧姆接触部，源极依次穿过第三介质层和第二介质层后与源极欧姆接触部连接，漏极依次穿过第三介质层和第二介质层后与漏极欧姆接触部连接，栅极与栅极金属接触部连接；氮化镓外延片包括势垒层和帽层，源极欧姆接触部和漏极欧姆接触部均向下延伸至势垒层，栅极金属接触部向下延伸至帽层。该氮化镓半导体器件在栅极金属刻蚀过程中欧姆金属能够得到额外保护，从而降低栅极金属刻蚀工艺难度。
氮化半导体器件

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN202011265890.0在审
发明人：张安邦;李浩;郑浩宁;陈亮 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓半导体器件及其制备方法，氮化镓半导体器件包括氮化镓外延片及其上方的源极、栅极、漏极，还包括依次形成在氮化镓外延片上的第一介质层、欧姆金属层、第二介质层、第三介质层和栅极金属接触部；欧姆金属层包括源极欧姆接触部和漏极欧姆接触部，源极依次穿过第三介质层和第二介质层后与源极欧姆接触部连接，漏极依次穿过第三介质层和第二介质层后与漏极欧姆接触部连接，栅极与栅极金属接触部连接；氮化镓外延片包括势垒层和帽层，源极欧姆接触部和漏极欧姆接触部均向下延伸至势垒层，栅极金属接触部向下延伸至帽层。该氮化镓半导体器件在栅极金属刻蚀过程中欧姆金属能够得到额外保护，从而降低栅极金属刻蚀工艺难度。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体装置和其制作方法-CN202080001773.5在审
发明人：李浩;张安邦;王剑;郑浩宁 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体装置和其制作方法。所述半导体装置包含III族氮化物层、栅极、连接结构和栅极总线。所述栅极安置在所述III族氮化物层之上。所述连接结构安置在所述栅极之上。所述栅极总线基本上平行于所述栅极延伸并且从俯视图角度看安置在所述连接结构之上。所述栅极总线通过所述连接结构电连接到所述栅极。
半导体装置制作方法

[发明专利]半导体装置和其制作方法-CN202080001442.1在审
发明人：李浩;张安邦;王剑;郑浩宁 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体装置和其制作方法。所述半导体装置包含第一III族氮化物层、第二III族氮化物层、第一接触层、第二接触层、结构以及栅极层。所述第二III族氮化物层与所述第一III族氮化物层直接接触。所述第一接触层和所述第二接触层安置在所述第二III族氮化物层之上。所述结构邻近所述第一III族氮化物层和所述第二III族氮化物层的界面，并且所述结构的材料与所述第一III族氮化物层的材料或所述第二III族氮化物层的材料不同。所述栅极层安置在所述第一接触层与所述第二接触层之间。
半导体装置制作方法

[发明专利]具有多通道异质结构的半导体器件及其制造方法-CN202080001199.3在审
发明人：张安邦;黄敬源;李浩;郑浩宁;王剑 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含：半导体异质结构层和导电结构。半导体异质结构(heterostructure)，其包含交替的第一半导体材料层及第二半导体材料层，其中每一相邻的第一半导体材料层与第二半导体材料层之间可产生二维空穴气体(2DHG)。导电结构，包含复数个导电指自半导体异质结构层的表面延伸进入所述半导体异质结构层，其中复数个导电指沿着大体上与表面平行的第一方向上排列，且复数个导电指的长度沿着第一方向递增，使得每一导电指的端部分别位于不同深度的第一半导体材料层且接触2DHG。
具有通道结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有多通道异质结构的半导体器件及其制造方法-CN202080001207.4在审
发明人：张安邦;黃敬源;李浩;郑浩宁;王剑 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含：半导体异质结构层和导电结构。半导体异质结构(heterostructure)层，其包含交替的第一半导体材料层及第二半导体材料层，其中每一相邻的第一半导体材料层与第二半导体材料层之间可产生二维空穴气体(2DHG)。导电结构，包含复数个导电指自半导体异质结构层的表面延伸进入所述半导体异质结构层，其中复数个导电指沿着大体上与表面平行的第一方向上排列，且复数个导电指的长度沿着第一方向递增，使得每一导电指的端部分别位于不同深度的第二半导体材料层且不接触2DHG。
具有通道结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有多通道异质结构的半导体器件及其制造方法-CN202080001211.0在审
发明人：张安邦;黃敬源;李浩;郑浩宁;王剑 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含：半导体异质结构层和导电结构。半导体异质结构(heterostructure)层，其包含交替的第一半导体材料层及第二半导体材料层，其中每一相邻的第一半导体材料层与第二半导体材料层之间可产生二维电子气体(2DEG)。导电结构，包含复数个导电指自半导体异质结构层的表面延伸进入所述半导体异质结构层，其中复数个导电指沿着大体上与表面平行的第一方向上排列，且复数个导电指的长度沿着第一方向递增，使得每一导电指的端部分别位于不同深度的第一半导体材料层且接触2DEG。
具有通道结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有多通道异质结构的半导体器件及其制造方法-CN202080001200.2在审
发明人：张安邦;黄敬源;李浩;郑浩宁;王剑 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含：半导体异质结构层和导电结构。半导体异质结构(heterostructure)层，其包含交替的第一半导体材料层及第二半导体材料层，其中每一相邻的第一半导体材料层与第二半导体材料层之间可产生二维电子气体(2DEG)。导电结构，包含复数个导电指自半导体异质结构层的表面延伸进入所述半导体异质结构层，其中复数个导电指沿着大体上与表面平行的第一方向上排列，且复数个导电指的长度沿着第一方向递增，使得每一导电指的端部分别位于不同深度的第二半导体材料层且不接触2DEG。
具有通道结构半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种家用植物加湿补光装置-CN201822036834.4有效
发明人：邹水平;郑浩宁;胡萍;林剑东;王爱斌;龙德仁 -专利权人：广东百林园林股份有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： A01G27/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及园艺设施技术领域，尤其是指一种家用植物加湿补光装置，其包括底座以及与底座连接的本体；所述底座包括底座部壳体以及植物槽架，底座部壳体内设有加湿器，本体安装有采集处理器和补光器，采集处理器包括控制器、湿度传感器以及光照传感器；控制器的输入端与湿度传感器、光照传感器连接，控制器的输出端与加湿器、补光器连接；实际应用中，控制器比较植物槽架内的湿度值与预先设定的湿度阈值，当植物槽架内的湿度值小于预先设定的湿度阈值时，控制器控制加湿器向植物根部喷水，保证了植物的健康成长，在弱光的照射下，控制器向LED补光器发出控制信号，随后LED补光器开启，为植物的生长提供LED功能，保证植物的生长能力。
控制器补光器加湿器植物槽采集处理器光照传感器湿度传感器补光装置底座部加湿底座本实用新型控制器控制底座连接控制信号园艺设施植物根部输出端输入端阈值时生长壳体弱光照射体内保证应用健康

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