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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]半导体装置-CN202321313457.9有效
发明人：吕孟昇;蔡尚纶;陈硕懋;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括一第一裸片封装部件、电性耦接到第一裸片封装部件的一第一侧的一第二中介层、电性耦接到第一裸片封装部件的一第二侧的具有一电压调节器电路的一第三中介层、以及分别电性耦接到第二中介层的一光学部件和一高频宽存储器裸片。第一裸片封装部件还包括一双面半导体裸片，其第一侧电性耦接至第二中介层，以及其第二侧电性耦接至第三中介层。第一裸片封装部件还包括一模制材料以及形成在模制材料中的一封装体穿孔，使得封装体穿孔提供了第二中介层和第三中介层之间且绕过双面半导体裸片的一电性连接。
半导体装置

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN202010084354.4有效
发明人：蔡柏豪;林孟良;庄博尧;翁得期;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开一些实施例提供一种封装结构及一种形成封装结构的方法。所述方法包括在承载基板之上形成重分布结构以及将半导体晶粒放置在重分布结构之上。所述方法还包括将中介层基板堆叠在重分布结构之上。中介层基板延伸跨越半导体晶粒的边缘。所述方法还包括将一或多个装置元件放置在中介层基板之上。此外，所述方法还包括形成包围半导体晶粒的保护层。
封装结构及其形成方法

[发明专利]多晶粒封装及其制造方法-CN202310617618.1在审
发明人：许佳桂;游明志;李宗彦;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：多晶粒封装包含多晶粒封装中包含的集成电路晶粒中的多个非主动晶粒。可以包含非主动晶粒以减少在多晶粒封装中使用的封装胶材料及/或底部填充材料的量，这降低多晶粒封装中的热膨胀系数失配量。此外，多个非主动晶粒可以以相邻方式定位于两个或更多个主动集成电路晶粒之间。在多晶粒封装的特定区域中使用多个非主动晶粒增加多晶粒封装中的间隙数量。多晶粒封装中增加的间隙数量提供多晶粒封装中用于应力和应变吸收的区域的增加量，并使得多晶粒封装中的应力和应变分布更均匀。
多晶封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN202310443409.X在审
发明人：赖柏辰;游明志;廖莉菱;林昱圣;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请的实施例公开了一种半导体封装件及其制造方法。可以对应于高性能计算封装的半导体封装件包括中介层、衬底以及中介层和衬底之间的一种集成电路器件。可以对应于集成无源器件的集成电路器件在中介层的空腔内附接到中介层。将集成电路器件附接到中介层的空腔内会在集成电路器件和衬底之间产生间隙。这样，在半导体封装件的弯曲和/或变形期间，集成电路器件接触衬底的可能性降低。通过减少这种接触的可能性，可以避免对集成电路器件和/或衬底的损坏，以提高半导体封装件的可靠性和/或成品率。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]封装件及其形成方法-CN202310307699.5在审
发明人： 郑心圃;陈宪伟;林孟良;陈英儒;陈硕懋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法包括形成第一封装组件，其包括中介层和接合到中介层的第一侧的第一管芯。第二管芯接合到中介层的第二侧。第二管芯包括衬底和贯穿衬底的贯通孔。该方法还包括通过多个第一焊料区域将第二封装组件接合到第一封装组件。第一封装组件还通过第二管芯中的贯通孔电连接到第二封装组件。第二管芯还通过多个第二焊料区域接合到第二封装组件。根据本申请的其他实施例，提供了封装件。
封装及其形成方法

[发明专利]中介层、半导体封装组件及其形成方法-CN202310384524.4在审
发明人：陈宪伟;林孟良;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种实施例半导体封装组件可包括：中介层；集成被动装置，电性耦接到中介层的第一侧；底部填充材料部分，形成于集成被动装置与中介层的第一侧之间；以及坝，从中介层的第一侧突出，且配置用于约束底部填充材料部分的空间范围。坝可包括在中介层的第一侧的表面之上延伸的第一部分及嵌入中介层的第一侧的表面下方的第二部分。坝可形成于介电层中，介电层也包括重分布互连结构的构件。坝可进一步与重分布互连结构电性隔离，且可配置为形成中介层的第一侧的二维区域的连接或不连接的边界。
中介半导体封装组件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810937666.8有效
发明人：蔡柏豪;庄博尧;郑心圃;翁得期 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了半导体器件和制造方法，从而将中介片和第一半导体器件放置在载体衬底上并且被密封。中介片包括第一部分和远离第一部分延伸的导电柱。位于密封剂的第一侧上的再分布层将导电柱电连接至第一半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910103536.9有效
发明人：蔡柏豪;翁得期;庄博尧;郑心圃;周孟纬;林孟良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：此处提供形成扇出封装的结构与方法。此处所述的封装包括空腔基板、一或多个半导体装置位于空腔基板的空腔中、以及一或多个重布线结构。实施例包含预先形成于空腔基板中的空腔。多种装置如集成电路晶粒、封装、或类似物可放置在空腔中。亦可形成重布线结构。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构、基板封装及形成半导体结构的方法-CN202310292776.4在审
发明人：许佳桂;游明志;廖莉菱;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构、基板封装及形成半导体结构的方法，包括：包括至少一半导体晶粒的一封装、一重分布结构、一基板封装、多个焊料材料部分、以及一第二底部填充材料部分。重分布结构包括多个结合垫及位于至少一半导体晶粒与重分布结构之间的第一底部填充材料部分。基板封装包括多个芯片侧结合垫以及至少一基板沟槽，其中在剖面视角中，至少一基板沟槽在基板封装的一顶部表面下方垂直地延伸。焊料材料部分结合至芯片侧结合垫及结合垫。第二底部填充材料部分横向地环绕焊料材料部分，且分配在至少一基板沟槽内。
半导体结构封装形成方法

[发明专利]半导体封装及其形成方法-CN202310296869.4在审
发明人：游建桐;林嘉祥;林吉甫;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种形成重分布结构的方法。形成重分布结构包括在一第一晶种层的一部分上形成一第一导电材料，在第一晶种层以及第一导电材料的上方形成一遮罩，其中遮罩中的一开口至少部分暴露第一导电材料，在开口中形成一第一导电导孔，利用第一导电材料作为蚀刻遮罩蚀刻第一晶种层的部分，在第一导电导孔、第一导电材料以及第一晶种层的剩余部分的上方沉积一第一绝缘层，并蚀刻第一绝缘层，使得第一导电导孔的一部分突出于第一绝缘层的一顶表面之上，并利用多个第一电连接器将一第一晶粒附接至重分布结构。
半导体封装及其形成方法

[发明专利]集成电路封装件和方法-CN201910305554.5有效
发明人：蔡柏豪;翁得期;周孟纬;林孟良;庄博尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种封装件包括：第一再分布结构；第一集成电路管芯，连接到第一再分布结构；环形衬底，环绕第一集成电路管芯，环形衬底连接到第一再分布结构，环形衬底包括芯和延伸穿过芯的导电通孔；围绕环形衬底和第一集成电路管芯的密封剂，密封剂延伸穿过环形衬底；在密封剂上的第二再分布结构，第二再分布结构通过环形衬底的导电通孔连接到第一再分布结构。本发明实施例涉及集成电路封装件和方法。
集成电路封装方法

[发明专利]形成封装结构的方法-CN202211615779.9在审
发明人： 郑心圃;陈硕懋;许峯诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：封装结构包括第一介电层、第一半导体装置、第一重分布线、第二介电层、第二半导体装置、第二重分布线、第一导电件及第一模制材料。第一半导体装置在第一介电层上方。第一重分布线在第一介电层中且电连接至第一半导体装置。第二介电层在第一半导体装置上方。第二半导体装置在第二介电层上方。第二重分布线在第二介电层中且电连接至第二半导体装置。第一导电件电连接第一重分布线与第二重分布线。第一模制材料模制第一半导体装置及第一导电件。
形成封装结构方法

[发明专利]具有倾斜侧壁的支撑环的封装结构-CN202210071795.X在审
发明人：杨哲嘉;叶书伸;廖莉菱;汪金华;林柏尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括：封装衬底、第一管芯以及支撑环。第一管芯配置在封装衬底上且具有相对的第一侧壁与第二侧壁。支撑环配置在封装衬底上以环绕第一管芯。支撑环具有面向第一管芯的内侧壁，且该内侧壁至少具有面向第一管芯的第一侧壁的倾斜侧壁。
具有倾斜侧壁支撑封装结构

[发明专利]芯片封装结构与其形成方法-CN202210921324.3在审
发明人：汪金华;赖柏辰;陈秉泰;杨哲嘉;林昱圣;林柏尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供芯片封装结构与其形成方法。方法包括移除基板的第一部分以形成第一凹陷于基板中。方法包括形成缓冲结构于第一凹陷中。缓冲结构的第一杨氏系数小于基板的第二杨氏系数。方法包括形成第一线路结构于缓冲结构与基板上。第一线路结构包括第一介电结构与第一线路层位于第一介电结构中。方法包括接合芯片封装至第一线路结构。芯片封装具有中介基板与芯片结构位于中介基板上，且中介基板的第一角落与芯片结构的第二角落在芯片封装与缓冲结构的上视图中均与缓冲结构重叠。
芯片封装结构与其形成方法

[发明专利]芯片封装结构与其形成方法-CN202210713100.3在审
发明人：赖柏辰;汪金华;游明志;许佳桂;廖莉菱;林柏尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供芯片封装结构及其形成方法。方法包括形成介电层于重布线结构上。重布线结构包括介电结构与多个布线层位于介电结构之中或之上。方法包括形成第一导电凸块结构与屏蔽凸块结构于介电层上。第一导电凸块结构电性连接至布线层，且屏蔽凸块结构与布线层电性绝缘。方法包括经由第一导电凸块结构接合第一芯片结构至重布线结构。第一芯片结构与屏蔽凸块结构电性绝缘，且第一芯片结构延伸越过屏蔽凸块结构的第一侧壁。
芯片封装结构与其形成方法

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