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[实用新型]一种废丝处理装置-CN201320036459.8有效
发明人：邵群;许琦 -专利权人：太仓振辉化纤有限公司
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： B65H73/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及化纤废丝回收装置技术领域，具体的说是一种废丝处理装置，包含支架、主轴轮、丝架，所述支架中间设置有由电机带动的主轴轮，主轴轮对面设置有与主轴轮对应丝架，本实用新型在纸管的回收合格率达99.8％左右，既安全又实用，提高了回收纸管率，减轻了劳动率，是一套经济实惠的废丝处理装置。
一种处理装置

[发明专利]浅沟槽隔离区的形成方法-CN201110453526.1无效
发明人：邵群 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离区的形成方法，包括，提供包含宽线区和密线区的半导体衬底；在半导体衬底上依次形成垫氧化层、第一研磨停止层、刻蚀停止层和第二研磨停止层；蚀刻所述垫氧化层、第一研磨停止层、刻蚀停止层和第二研磨停止层，及半导体衬底，形成沟槽；形成绝缘氧化层，至少填满所述沟槽；对绝缘氧化层进行第一次研磨至露出第二研磨停止层；去除所述第二研磨停止层；再进行第二次研磨，直至露出第一研磨停止层；去除所述第一研磨停止层；去除垫氧化层。本发明能够很好的控制浅沟槽隔离结构高度，并且使得所有的浅沟槽隔离结构的高度都一致。
沟槽隔离形成方法

[发明专利]控制替代栅极结构高度的方法-CN201110382859.X有效
发明人：邵群 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种控制替代栅极结构高度的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有若干替代栅极结构，所述替代栅极结构和半导体衬底表面形成有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层表面形成有层间介质层；对所述层间介质层进行第一化学机械研磨，直至暴露出所述替代栅极结构表面的刻蚀阻挡层；对所述替代栅极结构之间的层间介质层进行回刻蚀，使得所述层间介质层表面与替代栅极结构表面的高度相适应；对所述替代栅极结构表面的刻蚀阻挡层进行第二化学机械研磨，直到暴露出所述替代栅极结构表面。由于所述刻蚀阻挡层周围的层间介质层被预先回刻蚀掉，第二化学机械研磨只会对刻蚀阻挡层进行研磨，最终形成的不同区域的替代栅极结构的高度都相同。
控制替代栅极结构高度方法

[发明专利]粉煤灰活化除铁制备硅钛氧化铝的方法-CN201310074488.8无效
发明人：邵群;李森;邱俊斌;邓军 -专利权人：安徽理工大学
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种粉煤灰活化除铁制备硅钛氧化铝的方法，先对粉煤灰进行机械研磨，将粉煤灰的粒度研磨至小于30微米，然后在研磨后的粉煤灰中加入NaOH，NaOH的浓度为质量百分比20%～30%，最佳浓度为质量百分比25%，保持温度80～100℃，最佳温度为90℃，搅拌反应2.0小时～3.0小时，抽滤、洗涤、烘干；得到活化后的粉煤灰；再将活化后的粉煤灰于混酸中浸取，所述混酸为草酸和硫酸混合液，浸取温度为60℃～80℃，浸取时间为2小时～4小时；然后抽滤、洗涤、烘干，即制得目标产物硅钛氧化铝。本发明采用物理和化学活化工艺提高粉煤灰中铁杂质的活性，采用混酸作为酸浸除铁剂，避免了弱酸除铁率低、价格昂贵，强酸使大量率浸出损失、强腐蚀性和污染。能够利用低铝硅比的粉煤灰提取硅钛氧化铝。
粉煤活化制备氧化铝方法

[实用新型]防辐射抗菌假发丝-CN201220178257.2有效
发明人：王依民;邵群;林佩洁;许华君;王燕萍 -专利权人：东华大学
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： D06M11/77 文献下载
摘要：本实用新型公开一种防辐射抗菌假发丝，其是一种皮芯结构的复合纤维，包括聚氯乙烯皮层和改性聚氯乙烯芯层，所述改性聚氯乙烯芯层内含有凹凸棒石，所述凹凸棒石的表面具有化学镀银，且改性聚氯乙烯芯层内的凹凸棒石交错搭接排列。本实用新型的防辐射抗菌假发丝，由于皮芯结构的存在，化学镀银的凹凸棒石的添加量可以显著提高，提高防辐射能力，且抗菌能力、抗紫外线透射能力也得到加强。
防辐射抗菌假发

[发明专利]金属栅电极层的形成方法-CN201110366102.1有效
发明人：王庆玲;邵群 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种金属栅电极层的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面具有多晶硅伪栅极层和位于多晶硅伪栅极层两侧的侧墙；所述基底表面形成有覆盖所述多晶硅伪栅极层和侧墙的刻蚀阻挡层；所述刻蚀阻挡层表面形成有层间介质层；平坦化所述层间介质层和刻蚀阻挡层直至暴露出所述多晶硅伪栅极层；去除所述多晶硅伪栅极层，形成开口，且在所述开口顶部的侧壁形成凸起；在所述层间介质层和刻蚀阻挡层表面形成保护层，所述保护层填充满所述开口；平坦化部分厚度的所述保护层、所述层间介质层、刻蚀阻挡层和侧墙，直至去除凸起；去除所述保护层。本发明实施例的金属栅电极层的形成方法形成的金属栅电极层质量高。
金属电极形成方法

[发明专利]化学机械抛光方法和化学机械抛光设备-CN201110302495.X有效
发明人：邵群;王庆玲 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2011-10-09 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光方法和化学机械抛光设备。在抛光台旁边设置了喷射装置。在抛光台上进行化学机械抛光之前、之后或者在两次化学机械抛光之间，通过将清洗液喷射至晶片的表面，来对所述晶片的表面进行喷淋清洗。根据本发明的实施例，由于将清洗液喷射在晶片上，清洗力度增大，所以能够明显提高对晶片的清洗效率，有效去除晶片表面的残留物。
化学机械抛光方法设备

[发明专利]形成栅极的方法、平坦化层间介质层的方法-CN201110255736.X有效
发明人：邵群;陈枫;黎铭琦 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种形成栅极的方法、平坦化层间介质层的方法，所述平坦化层间介质层的方法包括：提供基底；在所述基底上形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅极和侧墙，并在所述伪栅极上形成被氧化的多晶硅层；形成层间介质层，覆盖所述基底、伪栅极结构以及被氧化的多晶硅层；以所述被氧化的多晶硅层为研磨停止层对所述层间介质层进行化学机械抛光以平坦化层间介质层。可以大大减小层间介质层在研磨中产生的凹陷的深度。
形成栅极方法平坦化层间介质

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110243428.5有效
发明人：邵群;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成氮化物层，以及形成宽线区沟槽和密线区沟槽；在所形成的宽线区沟槽和密线区沟槽的底部和侧壁上形成第一绝缘层；去除仅所述宽线区沟槽底部上的部分厚度或全部厚度的第一绝缘层；淀积第二绝缘层以填充所述宽线区沟槽和密线区沟槽；以及利用化学机械平坦工艺，以所述氮化物层为阻挡层，整平所述宽线区沟槽和密线区沟槽外的第二绝缘层。本公开实施例的方法通过去除宽线区沟槽底部上的部分厚度或全部厚度的第一绝缘层，来提高宽线区沟槽内第二绝缘层的淀积率，由此减小了淀积的第二绝缘层在宽线区与密线区上的差异，从而减轻或者消除化学机械平坦工艺中出现的碟形缺陷。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]化学机械研磨方法-CN201110218623.2有效
发明人：邵群;王庆玲 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械研磨方法包括：利用固定颗粒研磨垫研磨去除晶圆上的第一待研磨层；选出具有研磨残留的晶圆；覆盖第二待研磨层，所述第二待研磨层的材质与第一待研磨层的材质相同；研磨去除晶圆上的第二待研磨层。本发明所述化学机械研磨方法在具有研磨残留的晶圆上覆盖第二待研磨层，并利用固定颗粒研磨垫对第二待研磨层进行研磨，第二待研磨层的材质与第一待研磨层材质相同，故以相同的研磨方式进行研磨；在研磨第二待研磨层的过程中，固定颗粒研磨垫的研磨速率逐渐提高并达到一稳定值，在去除了第二待研磨层同时，利用研磨速率的惯性作用彻底去除研磨残留，从而提高了研磨效果，彻底去除研磨残留。
化学机械研磨方法

[实用新型]一种冷转移印花气囊加压装置-CN201220284800.7有效
发明人：胡旭东;傅祖权;季杨斌;朱思聪;邵群 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： B41F16/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种冷转移印花气囊加压装置，包括机架，机架上安装有气缸和轨道安装板；气缸内的活塞与电热压板相连；所述的轨道安装板位于电热压板下方的机架上，且轨道安装板上开设两条直行轨道，两条直行轨道之间活动安装有绣印固定外框；所述的绣印固定外框之上设置有绣印固定内框，且绣印固定内框与绣印固定外框尺寸相匹配；所述的轨道安装板上开设有气囊孔，所述的气囊孔下方的机架内安装有气囊，且气缸和气囊与同一气源相连。本实用新型有效解决了传统滚筒式印花机印花受力不均匀、花样模糊率高等缺陷，使印花过程中面料与染料受力均匀，转移图样清晰，降低次品率，提高了产品的生产效率，具有简便、可靠、自动化程度高等特点。
一种转移印花气囊加压装置

[发明专利]金属栅极的形成方法-CN201110107591.9有效
发明人：邵群 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种金属栅极的形成方法，包括：提供基底；所述基底表面形成有伪栅；所述伪栅和基底表面形成有刻蚀阻挡层；所述刻蚀阻挡层表面形成有第一层间介质层；去除部分第一层间介质层，使所述第一层间介质层表面低于所述伪栅表面；在去除部分第一层间介质层后，形成覆盖所述第一层间介质层的研磨阻挡层；平坦化所述研磨阻挡层和刻蚀阻挡层，暴露出所述伪栅表面；去除所述伪栅并形成金属栅极。本发明的实施例可有效避免由于第一介质层的碟形化造成的金属残留和金属栅极厚度不稳定的问题，且形成工艺简单。
金属栅极形成方法

[发明专利]半导体器件的结构及形成方法-CN201110107496.9有效
发明人：邵群 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种半导体器件的结构及形成方法。其中本发明的实施例的半导体器件的结构包括：提供基底、位于基底表面的伪栅、覆盖所述伪栅和基底的刻蚀阻挡层；位于所述刻蚀阻挡层表面的第一层间介质层，所述第一层间介质层具有与伪栅表面齐平或低于所述伪栅表面的子表面；位于所述第一层间介质层子表面的研磨阻挡层；位于所述研磨阻挡层表面的第二层间介质层。本发明的实施例解决了伪栅周边的第一层间介质层在抛光时损坏，形成凹坑的问题，从而获得了稳定的金属栅极厚度，后续填充金属形成高K金属栅极的时候，也不会引入金属残留到第一层间介质层中，提高了半导体器件的性能，并且形成工艺简单。
半导体器件结构形成方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201110081968.8有效
发明人：邵群 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法，包括：a）提供衬底、在所述衬底上形成栅介质层、在所述栅介质层上形成伪栅极、以及形成覆盖所述栅介质层和所述伪栅极的刻蚀停止层；b）在所述前端器件层结构上形成金属前介电层；c）平坦化所述金属前介电层至露出所述伪栅极的上表面；d）去除所述伪栅极，以形成用于容纳金属栅极的开口；e）在所述开口内和金属前介电层的表面上形成光刻胶层；f）平坦化所述光刻胶层和突出的蚀刻停止层；g）去除所述开口内的所述光刻胶层；h）在所述开口内形成金属栅极。所述方法能够在去除伪栅极后有效地降低了密集区的碟形化现象，进而克服了用于形成栅极的金属的残留以及栅极厚度的减低导致的缺陷，从而提升了半导体器件的性能。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种冷转移印花气囊加压装置-CN201210199521.5无效
发明人：胡旭东;傅祖权;季杨斌;朱思聪;邵群 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： B41F16/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种冷转移印花气囊加压装置，包括机架，机架上安装有气缸和轨道安装板；气缸内的活塞与电热压板相连；所述的轨道安装板位于电热压板下方的机架上，且轨道安装板上开设两条直行轨道，两条直行轨道之间活动安装有绣印固定外框；所述的绣印固定外框之上设置有绣印固定内框，且绣印固定内框与绣印固定外框尺寸相匹配；所述的轨道安装板上开设有气囊孔，所述的气囊孔下方的机架内安装有气囊，且气缸和气囊与同一气源相连。本发明有效解决了传统滚筒式印花机印花受力不均匀、花样模糊率高等缺陷，使印花过程中面料与染料受力均匀，转移图样清晰，降低次品率，提高了产品的生产效率，具有简便、可靠、自动化程度高等特点。
一种转移印花气囊加压装置