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[发明专利]一种碳化硅器件老化测试方法-CN202211424491.3在审
发明人：王俊兴;孙宇晗;李志雨;黄波;邵天骢;李志君 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅器件老化测试方法包括：测试平台包括级联的前级同步型Boost桥臂电路和后级同步型Buck桥臂电路；直流电源通过二极管后输入到前级同步型Boost桥臂电路，与后级同步型Buck桥臂电路的输出端相连；直流电源根据测试工况进行设置，测试平台通过电路中功率电感实现能量在测试平台中的循环流动；通过设置该测试平台的工作模态，设定被测碳化硅器件的开关频率、漏源极电压和漏极电流，实现在不同测试工况下加速碳化硅器件的老化，得到老化测试结果；测试平台将碳化硅器件放置于桥臂结构电路中，从而充分考虑了碳化硅器件连续工作情况下串扰对栅氧可靠性影响，提高了对碳化硅器件老化测试结果的精确程度。
一种碳化硅器件老化测试方法

[发明专利]一种碳化硅器件同步Buck型能量回馈老化测试方法-CN202211424483.9在审
发明人：李志君;邵天骢;孙宇晗;黄波;王俊兴;李志雨 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅器件同步Buck型能量回馈老化测试方法包括：测试平台，测试平台包括直流电源、电容C、功率电感L、第一桥臂电路以及第二桥臂电路，直流电源的正负极分别连接至电容C的一端部、第一桥臂电路以及第二桥臂电路；第一桥臂电路通过功率电感L连接至第二桥臂电路；直流电源根据测试工况进行设置；通过设置该测试平台的工作模态，并设定被测碳化硅器件的开关频率、漏源极电压和漏极电流，实现在不同测试工况下加速碳化硅器件的老化，得到老化测试结果；测试平台将碳化硅器件放置于桥臂结构电路中，从而充分考虑了碳化硅器件连续工作情况下串扰对栅氧可靠性影响，提高了对碳化硅器件老化测试结果的精确程度。
一种碳化硅器件同步 buck 能量回馈老化测试方法

[发明专利]共直流侧电容型多电平变换器拓扑生成方法及系统-CN202110888135.6有效
发明人：原露恬;郑琼林;王琛琛;薛尧;杨晓峰;邵天骢 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H02M7/44 文献下载
摘要：本发明提供一种共直流侧电容型多电平变换器拓扑生成方法及系统，其中方法包括：基于目标电平数及功率器件最大承压统一性原则构建拓扑网络图，并基于所述拓扑网络图构建共直流侧电容型多电平变换器的拓扑矩阵表达模型；基于所述拓扑网络图中节点连接方式及矩阵约束条件对所述拓扑矩阵表达模型进行遍历，得到输出系数矩阵；基于输出系数矩阵约束条件对所述输出系数矩阵进行条件筛选，得到共直流侧电容型多电平变换器拓扑结构。本发明实现了针对共直流侧电容型多电平变换器拓扑生成方法的创新性。
直流电容电平变换器拓扑生成方法系统

[发明专利]一种基于SiC功率开关单元的同步Buck变换器-CN202310509868.3在审
发明人：黄波;邵天骢;万明慧;李衡哲;王俊兴;孙宇晗 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于SiC功率开关单元的同步Buck变换器，包括输入电压Vin、输出电压Vout、输入电容Cin、输出电容Cout、功率电感L、SiC功率开关单元UH以及SiC功率开关单元UL，能够很好的解决栅极串扰问题对Buck电路稳定性的影响，且电路结构简单，干扰小，可以实现在提高碳化硅器件开关速度的同时，抑制栅极串扰，实现碳化硅器件栅压稳定的目的，从而使得Buck电路系统稳定高效。
一种基于 sic 功率开关单元同步 buck 变换器

[发明专利]一种基于SiC功率开关单元的全桥LLC谐振变换器-CN202310509852.2在审
发明人：黄波;邵天骢;万明慧;李衡哲;王俊兴;孙宇晗 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H02M3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SiC功率开关单元的全桥LLC谐振变换器，包括：依次连接的输入电压Uin、开关网络、谐振网络、滤波网络、输出电压Uo；能够很好的解决栅极串扰问题对全桥LLC谐振电路稳定性的影响，且电路结构简单，干扰小；并且可以在实现提高碳化硅器件开关速度的同时，抑制栅极串扰，实现碳化硅器件栅压稳定的目的，从而使得全桥LLC谐振电路系统稳定高效。
一种基于 sic 功率开关单元 llc 谐振变换器

[发明专利]一种碳化硅器件同步Boost型能量回馈老化测试方法-CN202211424495.1在审
发明人：黄波;孙宇晗;李志雨;王俊兴;邵天骢;李志君 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅器件同步Boost型能量回馈老化测试方法包括：测试平台，将前级同步型Boost桥臂电路及后级同步型Buck桥臂电路进行级联；直流电源通过二极管输入到前级同步型Boost桥臂电路，并与后级同步型Buck桥臂电路的输出端相连；直流电源根据测试工况进行设置，测试平台通过两个功率电感实现能量在测试平台中的循环流动，减少测试过程中电源的功率输出；设置测试平台的工作模态为A1、B、A2、C四种工作模态，设定被测碳化硅器件的测试工况，实现不同测试工况下加速碳化硅器件的老化，得到老化测试结果；将碳化硅器件放置于桥臂结构电路中，从而充分考虑了碳化硅器件连续工作情况下串扰对栅氧可靠性影响，提高了对碳化硅器件老化测试结果的精确程度。
一种碳化硅器件同步 boost 能量回馈老化测试方法

[发明专利]一种全碳化硅全波同步整流的宽增益串联谐振变换器-CN202211426722.4在审
发明人：李志君;孙宇晗;李志雨;黄波;王俊兴;邵天骢 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明提供一种全碳化硅全波同步整流的宽增益串联谐振变换器，用于连接直流电压输入端以及直流电压输出端，包括：依次连接的原边半导体功率器件单元、串联谐振槽、矩阵式隔离变压单元以及全波同步整流单元；所述直流电压输入端连接至所述原边半导体功率器件单元；所述直流电压输出端分别连接矩阵式隔离变压单元以及全波同步整流单元；所述矩阵式隔离变压单元的原边绕组串联，分担输入侧电压；副边绕组并联，分担输出侧电流，扩宽变换器的电压增益范围；所述串联谐振槽包括谐振电感和谐振电容，用于使得原边半导体功率器件单元在开通和关断过程中触发串联谐振，实现零电压开关。
一种碳化硅同步整流增益串联谐振变换器

[发明专利]基于dv/dt检测的抑制SiC MOSFET串扰的钳位有源驱动电路-CN202110184242.0有效
发明人：李虹;邱志东;邵天骢;李志君;黄波;张波;郑琼林 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本申请提出一种基于dv/dt检测的抑制SiC MOSFET串扰的钳位有源驱动电路，涉及电力电子技术领域，钳位有源驱动电路包括：驱动推挽电路、驱动电阻Rg、dv/dt检测电路和钳位电路，可以通过检测dv/dt变化率，将其转化为电压信号并作为钳位电路的输入，通过钳位电路使得被驱动功率SiC MOSFET栅源电压在受到干扰后能快速稳定至关断偏置电压VEE，解决高频大功率变换器中SiC MOSFET应用中出现的串扰问题，可以保护被驱动SiC MOSFET在发生正向串扰时不会误导通，在发生负向串扰时不会过压击穿，有效地抑制桥臂电路中SiC MOSFET的栅源极电压产生的串扰问题。
基于 dv dt 检测抑制 sic mosfet 有源驱动电路

[发明专利]三桥臂多电平变换器-CN202210495707.9在审
发明人：郑琼林;邵天骢;游小杰;杨晓峰;李凯 -专利权人：北京易菲盛景科技有限责任公司;北京交通大学
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：本发明涉及三桥臂多电平变换器(TMC)，其中的两个负载桥臂用于建立相桥臂交流端的电压和流经该交流端的电流，第三桥臂的两端分别与所述的两个负载桥臂连接并用于建立平衡电流以实现变换器电路中所有电气组件中子模块储能单元的电压平衡。本发明，通过改变三桥臂多电平变换器中可配置电路的配置方式，可以获得具有不同拓扑和不同构造、且每一相桥臂均由三个桥臂构成的一类多电平变换器。该一类多电平变换器中，有些变换器具有MMC和EO‑AAC等多电平变换器的优点，且变换器中所用的子模块数量和半导体开关数量分别比同等级的MMC和EO‑AAC减少许多。
三桥臂多电平变换器

[发明专利]用于交错直流变换器的软启动电路及其控制方法-CN202011377790.7有效
发明人：李虹;杜海涛;曾洋斌;邵天骢;张波;郑琼林 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明提出一种用于交错直流变换器的软启动电路及其控制方法，其中，软启动包括：辅助二极管Da、辅助开关管Sa、辅助电阻Ra，其中，所述辅助二极管Da的阳极与外部电路连接，所述辅助电阻Ra的一端分别与外部电路连接，所述辅助开关管Sa的漏极或集电极与所述辅助二极管Da的阴极相连，所述辅助开关管Sa的源极或发射极与所述辅助电阻Ra的另一端相连。其中，控制方法包括以开关周期为单位定步长变移相占空比、互补占空比。由此，较好的抑制交错直流变换器启动电流尖峰，降低了对交错直流变换器的功率损耗，提高了软启动的可靠性，扩展了交错直流变换器的应用前景。
用于交错直流变换器启动电路及其控制方法

[发明专利]基于漏源导通电压积分的SiC MOSFET短路检测电路-CN202110043527.2有效
发明人：李虹;王玉婷;邵天骢;张波;郑琼林 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请提出一种基于漏源导通电压积分的SiC MOSFET短路检测电路，涉及电力电子技术领域，包括：电压互感器(PT)一次侧并联在电力电子电路中的SiC MOSFET的漏极和源极；积分电阻(R)一端与电压互感器(PT)二次侧一端连接，积分电阻(R)另一端、积分电容(C)一端、开关管(S1)一端与运算放大器的反相输入端连接；电压互感器(PT)的二次侧的另一端和运算放大器同相输入端接地，积分电容(C)另一端、开关管(S1)另一端与运算放大器的输出端连接，运算放大器的输出端与比较器的反相输入端连接，比较器的同相输入端与参考电压连接。由此，可以快速检测SiC MOSFET短路情况并输出短路信号，且母线电压越大时短路保护动作越迅速，能够提高电力电子系统的可靠性。
基于漏源导通电积分 sic mosfet 短路检测电路

[发明专利]消除MMC共模电压的脉冲顺接载波移相正弦脉宽调制方法-CN202110955314.7在审
发明人：李虹;王佳信;褚召义;王作兴;邵天骢;李志君 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H02M7/527 文献下载
摘要：本申请提出了一种消除MMC共模电压的脉冲顺接载波移相正弦脉宽调制方法，涉及电力电子技术领域，其中，该方法包括：步骤S1：将调制波与载波进行比较，得到脉冲信号；步骤S2：捕获脉冲信号的脉冲下降沿；步骤S3：对子模块进行分组，并通过已捕获的脉冲下降沿产生开关管的驱动脉冲。采用上述方案的本申请能够消除MMC系统共模电压，有效降低了系统漏电流和共模噪声，有效解决了现有MMC中存在着的高频共模电压通过杂散电容产生漏电流、共模干扰，危害电机轴承、通信系统等的技术问题。
消除 mmc 电压脉冲载波正弦脉宽调制方法

[发明专利]一种SiC MOSFET驱动电路参数优化设计方法-CN202011101998.6有效
发明人： 邵天骢;郑琼林;李志君;李虹;黄波;邱志东;张志朋;王作兴;王佳信 -专利权人：北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC MOSFET驱动电路参数优化设计方法，用于提升SiC基电力电子变换器的设计可靠性。该参数设计方法包括：构造干扰路径传递函数的特征多项式；根据特征多项式构造标准二阶系统；取SiC MOSFET的输入电容Ciss和栅极内电阻Rg为基准值进行参数标幺化；验证杂散电感是否足够小，以保证标准二阶系统具有足够的阻尼比；设计辅助并联电容标幺值，使得标准二阶系统在具备充足的阻尼比前提下，获得适度的、持续时间较短的过渡过程，确保辅助并联电容不会过度影响开关速度；设计驱动电阻标幺值，均衡抑制栅源电压的干扰尖峰和干扰振荡，并防止因为驱动回路截止频率过低导致栅源电压变化过缓增大开关损耗。
一种 sic mosfet 驱动电路参数优化设计方法

[发明专利]一种MOSFET栅源电压干扰传导路径模型的建模方法-CN202011101993.3有效
发明人： 邵天骢;郑琼林;李志君;李虹;黄波;邱志东;张志朋;王作兴;王佳信 -专利权人：北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种MOSFET栅源电压干扰传导路径模型的建模方法，包括描述脉冲电压和脉冲电流干扰传导过程的双回路传递函数、描述干扰传导路径的标准二阶系统的特征方程。该模型用于揭示高频大功率变换器，MOSFET高速开通和关断时出现的栅源电压干扰机理，所述干扰传导路径模型，可以综合考虑脉冲电压和脉冲电流对MOSFET栅源电压干扰的影响，用于直观、迅速地判断功率变流系统中MOSFET驱动参数、MOSFET封装结构，以及PCB布局设计的合理性。
一种 mosfet 电压干扰传导路径模型建模方法

[发明专利]一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法-CN202011102502.7有效
发明人： 邵天骢;郑琼林;李志君;李虹;黄波;邱志东;张志朋;王作兴;王佳信 -专利权人：北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法，将受到干扰的栅源电压划分为干扰动态分量以及稳态分量；根据干扰动态分量以及稳态分量建立栅源电压的动态响应模型，用于预测高频大功率变换器中，MOSFET栅源电压的干扰尖峰和振荡，具备简洁的数学表征和直观的物理意义。
一种 mosfet 电压响应高频脉冲干扰方法

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