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[实用新型]一种蓝莓果实清洗机-CN202321350109.9有效
发明人： 邢雅丽;邢伟利;董一星 -专利权人：河南豫尧农林科技开发有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： A23N12/02 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种蓝莓果实清洗机，用以解决现有技术中在向储料仓内取放蓝莓果实时，由于储料仓位于清洗仓内，导致操作比较困难的问题。包括清洗池和设在清洗池上的盖板，所述盖板的底部固定安装有连接架，所述连接架的下端转动安装有储料仓，所述储料仓的一侧铰接有仓门，所述清洗池的两侧均开设有滑槽，所述滑槽内转动安装有螺杆，所述清洗池的底部设有用于驱动螺杆转动的第二驱动件，所述螺杆上螺纹连接有螺管，所述螺管的上端与盖板固定连接。本实用新型通过滑槽、螺杆、第二驱动件和螺管的设置，在向储料仓内取放蓝莓果实时，可通过盖板带动储料仓从清洗池内升出，降低操作难度，使取放蓝莓果实更加方便。
一种蓝莓果实清洗

[发明专利]一种带有埋层沟道的碳化硅MOSFET气体传感器-CN202211029121.X在审
发明人：刘雄;韩超;王东;吴勇;陶利;陈兴;黄永;邢雅丽 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有埋层沟道的碳化硅MOSFET气体传感器，包括：碳化硅衬底、碳化硅外延层、n型沟道层、p型掺杂层、源极N+层、源极、漏极N+层、漏极、栅极氧化层和栅极，碳化硅外延层位于碳化硅衬底上；n型沟道层位于碳化硅外延层的内部；p型掺杂层位于碳化硅外延层的表层中且位于n型沟道层上；源极N+层嵌入碳化硅外延层的内部；源极位于源极N+层上；漏极N+层嵌入碳化硅外延层的内部；漏极位于漏极N+层上；栅极氧化层覆盖p型掺杂层、源极N+层的一部分和漏极N+层的一部分；栅极位于栅极氧化层上。该传感器通过在n型沟道上增加一层薄的p型掺杂层，将n型沟道变成一种埋层沟道，可以提高碳化硅MOSFET气体传感器的响应速度和灵敏度。
一种带有沟道碳化硅 mosfet 气体传感器

[发明专利]一种减少背面刻蚀深度的粱膜结构碳化硅MEMS压力传感器-CN202211024280.0在审
发明人：韩超;刘雄;王东;吴勇;陶利;陈兴;黄永;邢雅丽 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01L1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少背面刻蚀深度的粱膜结构碳化硅MEMS压力传感器，通过将碳化硅MEMS压力传感器的压力感应膜由常规的平模结构改为粱膜结构，可以限制压力感应膜在压力作用下的变形，从而提高碳化硅MEMS压力传感器的线性度。在制备过程中，将碳化硅体材料的刻蚀由单步压力腔背面刻蚀改为一步压力腔背面刻蚀和一步正面粱膜结构刻蚀的双步刻蚀，可以显著减少背面刻蚀深度，降低了工艺难度和缩短单步刻蚀时间，便于产业化生产。
一种减少背面刻蚀深度膜结构碳化硅 mems 压力传感器

[发明专利]一种锂离子电池正极材料及其制备方法-CN202010548995.0在审
发明人：刘奋照;邢雅丽 -专利权人：吕梁学院
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C01B25/45 文献下载
摘要：本发明公开的属于电池生产技术领域，具体为一种锂离子电池正极材料及其制备方法，该锂离子电池正极材料的制备方法如下：步骤一：通过控制结晶技术合成高密度磷酸铁前驱体；步骤二：与锂源、碳源混合在氨水环境中加热；步骤三：通过碳热还原法合成磷酸锂铁，所述步骤一中结晶技术具体为控制三价铁盐与磷酸盐的反应结晶量，所述步骤二中加热的具体方法为将氨水加热后，与锂源和碳源混合，再同步进行冷却，通过在制备的磷酸铁锂材料，提高电池正极的堆积密度，从而有效的提高了锂离子电池的容量，同时降低了锂离子电池的体积，方便在不同环境下的使用。
一种锂离子电池正极材料及其制备方法