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[发明专利]一种N极性肖特基势垒二极管及其制备方法和应用-CN202310823090.3在审
发明人：李国强;吴昌桐;曹犇;邢志恒;吴能滔 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种N极性肖特基势垒二极管及其制备方法和应用。本发明的N极性肖特基势垒二极管的组成包括依次层叠设置的衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、AlGaN沟道层、GaN势垒层和钝化层，还包括阳极金属电极、阳极金属场板和阴极金属电极，InGaN背势垒层中的In含量沿着远离衬底的方向逐渐增加。本发明的N极性肖特基势垒二极管具有漏电流较小、导带连续性好、势垒高度低、欧姆接触电阻小、响应速度快、抗击穿性能好、可靠性高等优点，适合进行大规模推广应用。
一种极性肖特基势垒二极管及其制备方法应用

[发明专利]一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法-CN202110965645.9有效
发明人：王文樑;李善杰;李国强;邢志恒;吴能滔 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法，包括HEMT结构，在HEMT结构的源极及漏极外侧分别设置源极垂直金属场板及漏极垂直金属场板，在源极及漏极平行于HEMT外延片的方向分别设置源极平行金属场板及漏极平行金属场板，且源极及漏极分别与各自的垂直金属场板及平行金属场板连接，垂直金属场板与平行金属场板通过SiN层与外延结构隔离，在源极和漏极之间设置制备T型栅极以提高HEMT器件的频率特性。
一种具有新型源漏场板结 hemt 器件制备方法

[发明专利]一种低热预算和低阻GaN基HEMT及太阳能聚焦退火系统与制备-CN202310254995.3在审
发明人：李国强;吴能滔;邢志恒;罗玲 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种低热预算和低阻GaN基HEMT及太阳能聚焦退火系统与制备。低热预算和低阻GaN基HEMT的组成包括衬底、第一AlN插入层、GaN掺碳缓冲层、GaN沟道层、第二AlN插入层、AlGaN势垒层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极。太阳能聚焦退火系统的组成包括密封系统、聚焦系统、温度监控系统、遮光板、晶圆放置平台。本发明通过太阳能聚焦退火系统制备出低热预算、低阻的欧姆接触电极，所制备的GaN基HEMT具有低电阻、高直流输出特性，且其制作难度低，生产效率高，产品良率高，节能环保。
一种低热预算 gan hemt 太阳能聚焦退火系统制备

[发明专利]一种肖特基势垒二极管及其制备方法和应用-CN202211515371.4在审
发明人：李国强;吴昌桐;曹犇;邢志恒;吴能滔 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制备方法和应用。本发明的肖特基势垒二极管的组成包括依次层叠设置的Si衬底、AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，还包括第一钝化层、第二钝化层、阴极金属电极、第一阳极金属场板、第三钝化层、第二阳极金属场板和阳极金属电极。本发明的肖特基势垒二极管具有瞬变耐受性较高、耐压和抗击穿性能强、可靠性高等优点，适合进行大规模推广应用。
一种肖特基势垒二极管及其制备方法应用

[发明专利]一种单片集成材料及其制备方法-CN202210652071.4在审
发明人：李国强;邢志恒;衣新燕;吴能滔;罗添友 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片集成材料及其制备方法，该单片集成材料可以进一步缩小射频前端模块的体积，避免前端模块分立器件集成时引入寄生损耗、响应延迟和噪声等问题；该单片集成材料的制备方法简单高效，为射频前端模块单片集成奠定基础，采用该单片集成材料降低了射频前端模块的成本，与现有的各种离散封装相比，本发明提供了一种集成封装的新思路，该单片集成材料可广泛应用于传感器、滤波器、GaN开关中。
一种单片集成材料及其制备方法

[发明专利]一种Mg扩散增强型GaN基HEMT器件及其制备方法和应用-CN202210461239.3在审
发明人：李国强;邢志恒;吴能滔;李善杰;罗玲 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mg扩散增强型GaN基HEMT器件及其制备方法和应用。本发明的Mg扩散增强型GaN基HEMT器件的组成包括衬底、GaN沟道层、超晶格结构层、P型Mg离子扩散势垒层、SiO2栅绝缘层、源金属电极、漏金属电极和栅金属电极，超晶格结构层由至少2个AlxGa1‑xN层和至少2个AlyGa1‑yN层交替层叠构成，0x≤0.1，0.1≤y1，且x≠y。本发明的Mg扩散增强型GaN基HEMT器件具有栅控能力强、阈值电压高、栅极漏电小等优点，且Mg离子掺杂难度低，适合进行大规模工业化应用。
一种 mg 扩散增强 gan hemt 器件及其制备方法应用

[发明专利]一种HEMT射频器件及其制备方法和应用-CN202210358702.1在审
发明人：李国强;罗玲;邢志恒;吴能滔;李善杰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种HEMT射频器件及其制备方法和应用。本发明的HEMT射频器件的组成包括依次层叠设置的衬底、AlN成核层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层远离GaN沟道层的一面设置有Si3N4钝化层、源TiAl/TiN合金电极、漏TiAl/TiN合金电极和栅金属电极，栅金属电极部分嵌入Si3N4钝化层。本发明的HEMT射频器件具有欧姆接触电阻小、频率和效率高、生产成本低等优点，且其制备过程简单，适合进行大规模工业化应用。
一种 hemt 射频器件及其制备方法应用

[发明专利]一种GaN基双沟道HEMT及其制备方法和应用-CN202210360444.0在审
发明人：李国强;曾凡翊;邢志恒;吴能滔;李善杰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基双沟道HEMT及其制备方法和应用。本发明的GaN基双沟道HEMT的组成包括依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN下沟道层、第一AlGaN势垒层、GaN上沟道层、第二AlGaN势垒层、GaN帽层和钝化层，缓冲层同一面的两端分别设置有源极金属电极和漏极金属电极，GaN下沟道层、第一AlGaN势垒层、GaN上沟道层、第二AlGaN势垒层、GaN帽层和钝化层均设置在源极金属电极和漏极金属电极之间，钝化层中还设置有至少部分嵌入钝化层的栅极斜场板和栅漏场板。本发明的GaN基双沟道HEMT的耐压和抗击穿性能强、可靠性高，适合进行大规模推广应用。
一种 gan 沟道 hemt 及其制备方法应用

[发明专利]一种结条氮化镓基高电子迁移率晶体管-CN202210382319.X在审
发明人：李国强;罗玲;邢志恒;吴能滔;李善杰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种结条氮化镓基高电子迁移率晶体管，该晶体管的结构包括衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、源极、栅极、漏极、钝化层和至少一个P型掺杂AlGaN条。本发明在栅极与漏极之间的非故意掺杂AlGaN势垒层上表面生长P型掺杂AlGaN条，纵向形成的PN结条在器件关态下承受了一部分栅极与漏极之间的电压，降低了栅极靠近漏极一侧的强电场峰值，重新分布了栅极与漏极之间的电场，有效的提升了器件的击穿电压。
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管

[发明专利]一种百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法-CN202210252387.4在审
发明人：李国强;李善杰;王文樑;邢志恒 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法，包括以下步骤：先在半导体外延片上依次形成第一导电金属层、光刻胶层和第二导电金属层，再进行电子束曝光，再对第二导电金属层进行刻蚀，再对光刻胶层进行显影和定影暴露出栅极凹槽区域，再对栅极凹槽区域进行刻蚀形成栅极凹槽，再剥离光刻胶层后对第一导电金属层进行刻蚀，即可形成百纳米级的栅极凹槽。本发明通过在光刻胶底部及顶部分别溅射薄层导电金属，抑制了电子束光刻过程中的电子临近效应及背散射效应，大幅提升了百纳米级栅极凹槽的刻蚀精度。
一种纳米栅极凹槽刻蚀方法

[发明专利]一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法和应用-CN202210252883.X在审
发明人：李国强;吴能滔;邢志恒;李善杰;罗玲 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法和应用。本发明的增强型GaN基HEMT器件的组成包括衬底、第一AlN插入层、GaN掺碳缓冲层、GaN沟道层、第二AlN插入层、步进式AlGaN势垒层、Mg掺杂步进式AlGaN势垒层、AlN钝化层、漏金属电极、源金属电极、栅金属电极和源场板。本发明的增强型GaN基HEMT器件的阈值电压高、击穿电压高，且其制作难度低、生产效率高、产品良率高，适合进行大规模生产应用。
一种增强 gan hemt 器件及其制备方法应用

[发明专利]一种适用于移动机器人主动避障的快速双目方法-CN202011638274.5在审
发明人： 邢志恒;李楠;金瑞;李健;孙佳睿 -专利权人：浙江舜宇智能光学技术有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G06T7/73 文献下载
摘要：提供了一种适用于移动机器人主动避障的快速双目方法，该方法包括：S110)基于双目相机中的初始左图像和初始右图像获取第一视差图和具有与第一视差图相同的第一分辨率的深度与点云图；S120)使用预定数量的视差网格梯度算子(例如，32个)以第一视差图的m行*m列个网格组成的超网格为单位从第一视差图生成预定比特数的(例如，32比特)的视差网格梯度纹理图；S130)从视差网格梯度纹理图获取障碍前景物的位置和地面的位置；S140)基于所获取的障碍前景物的位置和地面的位置，从深度与点云图确定移动机器人需要主动避障的障碍前景物和地面，其中，每个网格由n行*n列个像素组成，其中m和n中的每个为大于或等于1的整数并且m为奇数。
一种适用于移动机器人主动快速双目方法

[发明专利]一种增强型GaN HEMT射频器件及其制备方法-CN202111475724.8在审
发明人：李国强;吴能滔;邢志恒;李善杰;曾凡翊;罗玲 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型GaN HEMT射频器件及其制备方法，所述器件包括衬底、第一AlN插入层、GaN缓冲层、GaN沟道层、第二AlN插入层、AlGaN势垒层、p‑AlGaN层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极。本发明通过在真空度极高的情况下，采用Mg金属掺杂扩散AlGaN层并形成p‑AlGaN，与未被掺杂的AlGaN层形成p‑n结，耗尽栅下的2DEG，并覆盖一层HfO2来防止金属Mg发生氧化，从而实现了高频、低损耗的增强型射频器件，有利于简化栅驱动电路设计，降低射频集成电路的功耗和射频信号的损耗，同时也起到了安全保护电路的作用。
一种增强 gan hemt 射频器件及其制备方法

[发明专利]一种基于双层钝化精准刻蚀的双T型栅的制备方法-CN202110871188.7在审
发明人：王文樑;李善杰;李国强;邢志恒;吴能滔 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双层钝化精准刻蚀的双T型栅的制备方法，包括在外延结构上依次生长两层钝化层，两层钝化层包括底层钝化层及顶层钝化层；对顶层钝化层进行第一次曝光，在第一次曝光区域内对顶层钝化层和底层钝化层进行自上而下刻蚀形成栅根区域；对顶层钝化层进行二次曝光，在二次曝光区域对顶层钝化层进行刻蚀形成下层栅帽区域；对顶层钝化层进行第三次曝光形成顶层栅帽曝光区域，蒸镀金属并剥离光刻胶部分即在双钝化层中形成双T型栅结构。本方法在对半导体器件实现双层钝化的同时，制备了百纳米级栅根的双T型栅结构，在减少器件缺陷态密度的同时极大限度的抑制了器件电流崩塌效应。
一种基于双层钝化精准刻蚀制备方法

[发明专利]一种利用晶硅废砂浆制备碳化硅多孔陶瓷的方法-CN201810185955.7有效
发明人：向道平;邢志恒 -专利权人：海南大学
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于晶硅废砂浆二次利用技术领域，公开了一种利用晶硅废砂浆制备碳化硅多孔陶瓷的方法。本发明利用晶硅废砂浆固体废料为主要原料，通过较低温无压烧结，850℃下即可在碳化硅表面原位生长莫来石棒，进而制备出具有高气孔率和高强度的碳化硅多孔陶瓷，最终实现了晶硅废砂浆固体废料的二次利用和低成本制备碳化硅多孔陶瓷的目标。本发明充分利用资源，变废为宝；在使用传统烧结助剂的同时加入了催化剂，使得烧结温度大幅下降，从而减少了能源消耗和降低了制造成本。
一种利用晶硅废砂浆制备碳化硅多孔陶瓷方法

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