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[发明专利]基于GaN器件的单片集成死区时间自调节的驱动电路-CN202310857890.7在审
发明人：卢茜雅;曹平予;崔苗;赵胤超 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于GaN器件的单片集成死区时间自调节的驱动电路，包括转换检测模块，检测半桥buck电路的开关点的开关信号并生成第一反馈信号及第二反馈信号；死区控制模块，与转换检测模块连接；死区控制模块包括接入主控信号的高位控制单元、及低位控制单元，高位控制单元根据第一反馈信号和主控信号生成第一控制信号以控制高位功率管，低位控制单元根据第一反馈信号和第二反馈信号生成第二控制信号以控制低位功率管；其中，主控信号在第一反馈信号的上升沿被延后至第一反馈信号的下降沿；第二控制信号在第一反馈信号的上升沿下降，在第二反馈信号的下降沿上升。通过上述方式，可防止共导通，在最大化减小死区时间的同时达成自适应死区时间调控。
基于 gan 器件单片集成死区时间调节驱动电路

[发明专利]基于准增强型氮化镓器件的反相器及其制造方法-CN202310403315.X在审
发明人：曹平予;崔苗;赵胤超;李帆 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于准增强型氮化镓器件的反相器及其制造方法，反相器包括耗尽型负载晶体管和一个准增强型负载晶体管，准增强型负载晶体管由一个耗尽型负载晶体管的源极和栅极之间串联若干二极管形成，二极管为与晶体管一同制备的肖特基势垒二极管，准增强型负载晶体管的漏极与耗尽型负载晶体管的源极和栅极连接，本发明通过对器件结构的改变，制备了阈值电压为正的准增强型GaN HEMT器件，不需要对半导体层进行刻蚀，降低对刻蚀设备的需求，简化制备工艺流程，同时避免了刻蚀所带来的损伤，提高了器件的性能；将准增强型器件与耗尽型器件同时集成在一个外延片上，这两种器件通过金属连接，构成单片集成的反相器电路。
基于增强氮化器件反相器及其制造方法

[发明专利]参考电压产生电路-CN202110747647.0有效
发明人：李昂;刘雯;赵胤超;文辉清 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本申请涉及一种参考电压产生电路，包括：耗尽型氮化镓基MOS管和增强型氮化镓基MOS管，所述耗尽型氮化镓基MOS管和增强型氮化镓基MOS管串联连接；所述参考电压产生电路通过所述耗尽型氮化镓基MOS管和所述增强型氮化镓基MOS管的阈值电压匹配，使所述耗尽型耗尽型氮化镓基MOS管与所述增强型氮化镓基MOS管的阈值电压的绝对值相等，以使所述耗尽型氮化镓基MOS管和所述增强型氮化镓基MOS管的串联连接点输出稳定的参考电压。
参考电压产生电路

[发明专利]一种掺氮碳纳米片/MXene复合纳米材料、其制备方法和用途-CN202010052371.X有效
发明人：孙艺;易若玮;赵胤超;刘晨光;袁宇丹;李韦萱;杨莉;赵策州 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01G11/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺氮碳纳米片/MXene复合纳米材料、其制备方法和用途。所述复合纳米材料中，碳纳米片与MXene形成穿插式片层状结构，氮元素掺杂于碳纳米片和MXene中。针对现有技术中MXene纳米片的堆叠和积聚，使得电化学性能不能被充分利用的问题。本发明所述复合材料能够有效克服MXene自身堆叠和积聚的缺陷，大大提高了电池的循环稳定性；而且增加了MXene片层间距明显的氧化还原反应和赝电容活性位点，提高了超级电容器的比容量，除此之外，本发明所述复合材料的制备工艺简单，有利于工业上实践。
一种掺氮碳纳米 mxene 复合材料制备方法用途

[发明专利]增强栅控能力的p型氮化镓器件及其制作方法-CN202210421280.8在审
发明人：张元雷;王惟生;孙志伟;李帆;赵胤超;刘雯 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强栅控能力的p型氮化镓器件，包括：衬底，由下至上依次包括氮化镓层、氮化铝镓层和P型氮化镓层，衬底表面包括源极区、与源极区相对的漏极区、以及位于源极区和漏极区之间的栅极区，栅极区包括第一刻蚀区和自第一刻蚀区两侧向外延伸的第二刻蚀区，第一刻蚀区向内部分刻蚀P型氮化镓层以形成第一凹槽，第二刻蚀区向内完全刻蚀P型氮化镓层以形成第二凹槽；源极；漏极；介电层；栅极；接触电极，位于第二凹槽内，接触电极的一端与氮化镓层表面接触，另一端与栅极底部接触；使得接触电极能够与氮化镓层表面的二维电子气接触，通过控制二维电子气来控制P型氮化镓层中空穴，从而增加栅极的控制能力。
增强能力氮化器件及其制作方法

[发明专利]一种氮化镓器件-CN202210332936.9在审
发明人：张元雷;孙志伟;王惟生;王超;赵胤超;刘雯 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：一种氮化镓器件，包括：氮化镓层；铝镓氮层，形成于所述氮化镓层上方；源极、栅极和漏极，彼此间隔形成于所述铝镓氮层上方；其中，所述漏极包括A电极、B电极和C区域，所述C区域形成于所述铝镓氮层上方，所述B电极形成于所述铝镓氮层上方并在水平方向与所述C区域接触，所述A电极形成于所述C区域上方并在竖直方向与所述C区域接触，所述C区域由P型氧化物构成，所述A电极和B电极由高功函数金属构成。本发明的氮化镓器件通过使得漏极或者是阳极形成混合电极，一方面，C区域会抑制下方的二维电子气(2DEG)，改善电场分布；另一方面，C区域和A电极形成的混合电极具有PN结特性，对于反向击穿有较好的提升。
一种氮化器件

[实用新型]一种含有N型和P型沟道氮化镓器件的互补型逻辑电路-CN202220442646.5有效
发明人：张元雷;王玉丛;孙志伟;王惟生;赵胤超;刘雯 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种含有N型和P型沟道氮化镓器件的互补型逻辑电路。该互补型逻辑电路包括氮化镓衬底，氮化镓衬底包括N区，N型沟道氮化镓增强型器件位于N区；N型沟道氮化镓增强型器件包括位于N区的氮化镓衬底、第一氮化镓铝缓冲层、第一P型氮化镓层、第一栅极、第一源极和第一漏极；第一氮化镓铝缓冲层包括中间区域和包围中间区域的欧姆接触区；第一P型氮化镓层包括二维电子气抑制区和高阻掺杂沟道区，高阻掺杂沟道区的电阻率大于二维电子气抑制区的电阻率；互连结构用于连接N型沟道氮化镓增强型器件和P型沟道氮化镓增强型器件。本实用新型实施例提供的技术方案实现了一种增强型的含有N型和P型沟道氮化镓器件的互补型逻辑电路。
一种含有沟道氮化器件互补逻辑电路

[发明专利]基于氮化镓二极管和高电子迁移率晶体管的集成双向开关-CN202210174883.2在审
发明人：卜庆雷;文辉清;刘雯;崔苗;赵胤超 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮化镓二极管和高电子迁移率晶体管的集成双向开关，包括：氮化镓二极管，包括第一基底层以及依次设置在第一基底层上的第一GaN缓冲层、第一AIGaN势垒层、第一GaN帽层和第一绝缘层，第一GaN缓冲层上刻蚀有阳极，第一绝缘层上刻蚀有阴极；高电子迁移率晶体管，包括第二基底层以及依次设置在第二基底层上的第二GaN缓冲层、第二AIGaN势垒层、第二GaN帽层和第二绝缘层，第二绝缘层上刻蚀有栅极、漏极和源极；通过将氮化镓二极管和高电子迁移率晶体管集成在一起，形成一个整体，使得最终形成的集成双向开关体积较小，提高了应用范围；且最终形成的集成双向开关可以直接使用，无需像传统方案那样再次搭建，操作方便，节省了操作时间。
基于氮化二极管电子迁移率晶体管集成双向开关

[发明专利]基于状态机模式的氮化镓双向开关脉冲测试系统-CN202210176243.5在审
发明人：卜庆雷;文辉清;刘雯;崔苗;赵胤超 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于状态机模式的氮化镓双向开关脉冲测试系统，包括：动态电阻测试电路，包括开关子电路和钳位子电路，开关子电路包括两个相互串联的双向开关，钳位子电路并联在两个双向开关的两端；信号发生器，连接在动态电阻测试电路上，信号发生器向动态电阻测试电路发出门级驱动信号；电流探头；电压探头；示波器，与电流探头的另一端、电压探头的另一端相连，以显示电流探头检测的电流波形和电压探头检测的电压波形；其中，当信号发生器向动态电阻测试电路发出门级驱动信号后，电流探头检测电流波形，电压探头检测电压波形，根据电流波形和电压波形获得双向开关的动态电阻；能够稳定、可靠的对性能不同的氮化镓双向开关进行测试。
基于状态机模式氮化双向开关脉冲测试系统

[实用新型]一种P型沟道氮化镓器件-CN202121975584.6有效
发明人：张元雷;王玉丛;李帆;赵胤超;刘雯 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种P型沟道氮化镓器件。该P型沟道氮化镓器件包括：氮化镓衬底；氮化镓铝缓冲层，位于氮化镓衬底的表面；P型氮化镓层，位于氮化镓铝缓冲层远离氮化镓衬底的表面；高阻掺杂区，位于P型氮化镓层远离氮化镓铝缓冲层的表面，其中，高阻掺杂区的电阻率大于P型氮化镓层的非掺杂区的电阻率，且高阻掺杂区的掺杂深度小于P型氮化镓层的厚度；栅极，位于高阻掺杂区的P型氮化镓层远离氮化镓铝缓冲层的表面，高阻掺杂区在氮化镓衬底的投影位于栅极在氮化镓衬底的投影之内；源极和漏极，位于非掺杂区的P型氮化镓层远离氮化镓铝缓冲层的表面。本实用新型实施例提供的技术方案实现了一种增强型的P型沟道氮化镓器件。
一种沟道氮化器件

[发明专利]锂硫电池用复合正极片、其制备方法及应用-CN201811449059.3有效
发明人：易若玮;杨莉;赵策洲;袁宇丹;刘晨光;赵胤超;林向飞 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：一种电化学能源技术领域的锂硫电池用复合正极片、其制备方法及应用，包括纳米微孔碳‑硫复合材料、导电剂和聚偏氟乙烯；所述复合材料中纳米微孔碳的孔径小于0.8nm。本发明将常见的升华硫的存在形式S8转换为短链的硫分子S2‑4，避免锂硫电池在放电过程中生成易溶解的高阶多硫化物，杜绝了穿梭效应的发生，提高了锂硫电池的循环稳定性。
电池复合正极制备方法应用

[发明专利]铜碳硅复合负极片的制备方法及其应用-CN201811442520.2有效
发明人： 赵胤超;刘晨光;宋皓伟;易若玮;杨莉;赵策洲 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01M4/1395 文献下载
摘要：一种电化学能源技术领域铜碳硅复合负极片的制备方法及其应用，将铜纳米线和碳纳米管的混合溶液旋涂在铜箔上，制得多孔集流体，将多孔集流体干燥后再采用PECVD法在表面沉积硅薄膜，制成铜碳硅复合负极片。本发明采用铜纳米线和碳纳米管复合而成的多孔集流体，并复合硅薄膜，增强了锂离子在负极的迁移效率，减缓了硅在膨胀时产生的巨大应力，具有能量密度高，循环性能好等特点。
铜碳硅复合负极制备方法及其应用

[发明专利]具有衬底电极的增强型的P型氮化镓器件及其制备方法-CN202110758918.2在审
发明人：张元雷;王玉丛;孙志伟;王惟生;赵胤超;文辉清;刘雯 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有衬底电极的增强型的P型氮化镓器件，包括衬底和依次设置在衬底上的GaN沟道层、AlGaN势垒层、P型氮化镓层以及介电层，P型氮化镓层上设有源电极和漏电极，AlGaN势垒层上设有衬底电极，P型氮化镓层上设有凹槽且凹槽的深度小于P型氮化镓层的厚度，凹槽上设有栅电极。凹槽的深度小于P型氮化镓层的厚度，提升了器件的饱和电流的数值，使得器件具有很大的迁移率和电流；衬底电极可以有效的耗尽p型氮化镓层中的空穴，从而使器件的阈值向负漂移，形成增强型器件(阈值电压小于0)。
具有衬底电极增强氮化器件及其制备方法

[发明专利]基于石墨烯的纳米花形硅铜合金电极材料及其制备方法与应用-CN201811442530.6有效
发明人：刘晨光;赵胤超;易若玮;杨莉;赵策洲 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01M4/1395 文献下载
摘要：一种电化学能源技术领域基于石墨烯的纳米花形硅铜合金电极材料及其制备方法与应用，利用电化学沉积刻蚀技术，先在柔性石墨烯基底上制备纳米花形氧化铜，为下一步引入硅提供了良好的模板；再先后通过等离子增强化学气相沉积技术沉积硅以及对氧化铜进行还原处理，使得铜能够通过还原扩散的方式与外部的硅相结合，形成硅铜合金，大大提高了硅的导电性，从而为锂电池充放电过程中嵌锂脱锂提供良好快速的通道，提升电池的循环性能。
基于石墨纳米花形硅铜合金电极材料及其制备方法应用

[发明专利]锂离子电池电极应力原位测量系统-CN201811442546.7有效
发明人：刘晨光;赵胤超;易若玮;杨莉;赵策洲 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：一种电化学能源技术领域锂离子电池电极应力原位测量系统，包括：充放电测试电路和高频电容测量电路；所述充放电测试电路设有第一电源，所述高频电容测量电路设有第二电源，第一电源和第二电源构成双通道电源，所述双通道电源与继电器切换模块电连接，通过继电器切换模块控制充放电测试电路或高频电容测量电路连通进行原位测量；控制模块控制充放电循环测试及高频电容测量进行；数据处理模块根据充放电循环测试数据和高频电容测量数据输出锂离子纽扣电池电极应力原位测量数据。本发明通过测量锂离子纽扣电池充放电后电容的变化推测电极应力的变化，采用的设备仪器简单，且降低了原位测量的难度，测量成本低。
锂离子电池电极应力原位测量系统

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