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[发明专利]器件高温漏源漏电流特性的测试方法及测试系统-CN201911029949.3有效
发明人：冯润渊;范新愿;谭林山 -专利权人：深圳市晶导电子有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种器件高温漏源漏电流特性的测试方法及测试系统。该方法包括：对被测器件施加反偏电压，使被测器件被反向击穿；检测被测器件在反向击穿状态下塑封体的温度；检测所述塑封体的温度达到第一温度时被测器件漏源漏电流的实际值；根据所述漏源漏电流的实际值判断所述被测器件是否合格。本申请是由被测器件内部产生的温度实现高温测试环境的，这与被测器件实际工作过程中产生温度的原理一样，因此，该测试方法更切合实际应用，更能真实的反映被测器件的高温漏源漏电流特性。并且本申请的测试方法不需要使用专用的反偏测试设备，测试过程简单，测试时间一般为10分钟，测试时间较短，实现了简单、快速测试器件高温漏电流特性的目的。
器件高温漏电特性测试方法系统

[实用新型]整流器件及肖特基二极管-CN201820914767.9有效
发明人：全新;谭林山;范新愿 -专利权人：深圳市晶导电子有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种肖特基二极管，包括VDMOS管，VDMOS管的正面覆盖有将VDMOS管的源极和栅极短接的金属层、且该金属层作为肖特基二极管正极，VDMOS管的漏极金属电极作为肖特基二极管负极；还涉及一种整流器件，包括引线框架和芯片，引线框架包括承载芯片的本体以及第一管脚、第二管脚、第三管脚，第二管脚与本体电连接，芯片包括第一VDMOS芯片和第二VDMOS芯片，第一VDMOS芯片和第二VDMOS芯片均形成上述肖特基二极管结构，且第一VDMOS芯片和第二VDMOS芯片采用共阴连接结构或共阳连接结构以实现整流。上述肖特基二极管和整流器件，均是通过对VDMOS改进所得，可有效地降低器件的功耗。
肖特基二极管整流器件连接结构引线框架芯片第二管金属层管脚肖特基二极管结构漏极金属电极正极本实用新型负极降低器件电连接有效地短接功耗源极承载覆盖改进

[实用新型]印刷电路板、LED照明驱动装置以及LED灯具-CN201820984923.9有效
发明人： 谭林山;全新;范新愿 -专利权人：深圳市晶导电子有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H05K1/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种印刷电路板，包括基板和设置在所述基板上的导线，所述印刷电路板还包括电阻，所述电阻由所述导线弯曲布线形成，所述电阻为所述导线弯曲布线形成的导线电阻。本实用新型还涉及包含所述印刷电路板的LED照明驱动装置以及LED灯具。上述印刷电路板，通过弯曲布线的方式增加导线的长度，形成具有一定阻值的导线电阻以代替电阻元件，既节省节省成本也节约空间。
印刷电路板布线电阻本实用新型导线电阻导线弯曲驱动装置基板电阻元件节约空间

[实用新型]反激式开关电源-CN201621495016.5有效
发明人： 谭林山;刘泽霖 -专利权人：深圳市晶导电子有限公司
申请日： 2016-12-31 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种反激式开关电源。一种反激式开关电源包括变压器，变压器初级绕组一端用于连接外部电压输入端，另一端用于连接开关管；变压器次级绕组与输出端连接；整流电路，整流电路包括二极管和第一电容；二极管正极与次级绕组一端连接，第一电容并联连接在二极管负极和次级绕组另一端之间；漏电感吸收电路，漏电感吸收电路包括次级绕组以及第二电容，第二电容与次级绕组并联；开关管，开关管输入端与变压器初级绕组另一端连接；开关管输出端与次级绕组另一端连接并接地；控制电路，用于对开关管通断进行控制。上述反激式开关电源只需在变压器次级绕组并联第二电容，即可降低开关电源开关管峰值电压。该电路元器件个数少且电路结构简单。
反激式开关电源