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[发明专利]一种氟化非晶碳薄膜及其制备方法和应用-CN202010897689.8有效
发明人：王飞鹏;赵琦;李剑;黄正勇;陈伟根;王有元;潘建宇;谭亚雄;王强;杜林;周湶;谢贵柏;崔万照 -专利权人：重庆大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟化非晶碳薄膜及其制备方法和应用，属于薄膜材料技术领域。氟化非晶碳薄膜由基底层和沉积在其表面的氟化非晶碳薄膜组成。制备包括：将基底层清洗，干燥；打磨聚四氟乙烯靶和石墨靶，并清洗；将预处理后的基底层和靶材放入镀膜室，抽本底真空，通入惰性气体进行预溅射；分别用射频和直流溅射，在基底层表面共溅射，得到氟化非晶碳薄膜。本发明的氟化非晶碳薄膜，通过化学组分和微结构的变化调控薄膜的微观形貌和带隙宽度，从而影响内二次电子出射时的散射强度，以降低薄膜的二次电子发射系数，且具有制备方法简单、实用性好可重复性强、薄膜成分高度可控等优点，在高压绝缘材料领域具有潜在的应用前景。
一种氟化非晶碳薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种基于三维微结构降低二次电子发射的方法-CN202110662115.7有效
发明人：李韵;谢贵柏;苗光辉;王君峰;李小军;李斌 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01P3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三维微结构降低二次电子发射的方法，包括：确定微波部件中沿电磁场传输通道方向的待降低二次电子发射表面；确定三维深度微结构加载区域；采用金属丝构成相交且尾端位于同一平面上的簇形结构；将簇形结构周期性首尾相连，两两编织，构成微结构单元；采用3D打印工艺，在三维深度微结构加载区域逐层加工制备微结构单元，形成三维深度微结构。本发明通过三维堆叠金属丝材料，在空间中形成三维深度微结构，实现二次电子发射的强抑制；同时在电磁场传输通道中控制微结构单元的表面投影尺寸大小，最小化对电性能的影响，最终实现不影响电性能的二次电子发射强抑制的三维深度微结构，具有物理结构稳定、与器件结合度优异等优点。
一种基于三维微结构降低二次电子发射方法

[发明专利]一种基于可控碳纳米镀层的介质表面二次电子发射系数抑制方法-CN202011024329.3有效
发明人： 谢贵柏;李小军;李韵;李琪;封国宝;杨晶;王琪 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于可控碳纳米镀层的介质表面二次电子发射系数抑制方法，属于介质表面二次电子发射系数抑制技术领域。本发明实现了多约束条件下基于可控碳纳米镀层的介质表面二次电子发射抑制方法，通过在金属基片表面原子层沉积可控的碳纳米薄膜，实现表面的二次电子发射系数的降低，二次电子发射系数降低幅度超过60％，在解决介质微波部件微放电效应及粒子加速器的电子云方面有较好的应用前景。
一种基于可控纳米镀层介质表面二次电子发射系数抑制方法

[发明专利]一种周期性孔隙介质表面二次电子发射特性确定方法-CN201810695524.5有效
发明人：李韵;贺永宁;王瑞;杨晶;王新波;崔万照;谢贵柏;王丹 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：一种周期性孔隙介质表面二次电子发射特性确定方法，首先确定介质材料的材料特性、表面周期性孔隙特性、射频电磁场、静电荷积累场、静态磁场和初始电子信息，然后确定介质材料表面孔隙中的各个电子运动轨迹、电子与孔隙边界碰撞前运动时间，进而计算得到电子与孔隙边界的碰撞角度、碰撞能量，最后根据各个电子与孔隙边界碰撞后的二次电子出射信息，结合电子运动轨迹方程与孔隙边界条件，判断电子是否从孔隙中出射，得到周期性孔隙介质材料表面二次电子发射特性。
一种周期性孔隙介质表面二次电子发射特性确定方法

[发明专利]一种在基片表面制备氮化钛纳米薄膜的方法、具有薄膜的基片及其应用-CN201810293001.8有效
发明人： 谢贵柏;苗光辉;许建丽;杨晶;崔万照;张洪太;于洪喜;王新波;何鋆 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种在基片表面制备氮化钛纳米薄膜的方法、具有薄膜的基片及其应用，属于二次电子发射抑制技术领域。所述方法包括：将基片经预真空室传送至反应腔中，给所述反应腔抽真空；向所述反应腔中通入惰性气体，对所述基片进行退火处理；将退火处理后的所述基片退回所述预真空室，采用氨气等离子体和气态钛源对所述反应腔进行若干次洗气循环；将所述基片送回所述反应腔，保持所述反应腔温度为150‑220℃，采用所述氨气等离子体和钛源进行等离子体增强氮化钛原子层沉积反应，得到表面具有氮化钛纳米薄膜的基片。本发明制备的超薄薄膜可控性强、薄膜与基片结合强度高、表面共形性好、在平面及多孔等复杂结构表面均匀性高。
一种表面制备氮化纳米薄膜方法具有及其应用

[发明专利]一种快速确定腔体滤波器无源互调电平的方法-CN201610585498.1有效
发明人：王新波;白鹤;崔万照;王瑞;李军;白春江;谢贵柏;杨晶 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种快速确定腔体滤波器无源互调电平的方法，首先将腔体滤波器接触部位进行等分，在两个载波频率处进行两次频域电磁场仿真，分别获得接触部位的表面电流。然后结合接触电阻确定接触部位每部分的电压降，根据接触部位非线性电流电压特性确定每部分的非线性电流。最后以该非线性电流为激励，在无源互调频率处进行电磁场仿真，最终确定出腔体滤波器端口无源互调功率电平，从而实现腔体滤波器无源互调电平的快速确定。本发明方法解决了腔体滤波器无源互调仿真的问题，可在滤波器设计阶段，有效仿真优化其无源互调性能。
一种快速确定滤波器无源电平方法

[发明专利]一种刻蚀石墨烯纳米孔减小二次电子发射系数的方法-CN201610378294.0有效
发明人： 谢贵柏;崔万照;杨晶;李韵;胡天存;白春江;王新波;张娜 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：一种刻蚀石墨烯纳米孔减小二次电子发射系数的方法，本发明采用结合两种不同方法，涂覆低二次电子发射系数的材料和表面制备陷阱结构在表面涂覆低二次电子发射系数的石墨烯，然后通过氩离子刻蚀的技术制备纳米孔。技术上通过控制表面涂覆石墨烯的厚度和纳米孔的孔隙率、深宽比实现不同的二次电子发射抑制效果。实验研究发现，金属基片上沉积几纳米至十几纳米不等厚度的石墨烯，二次电子发射系数可以从2.0左右将至1.5‑1.1，在氩离子刻蚀石墨烯纳米孔后，表面的二次电子发射系数降至0.9，实现了电子发射系数从1.5至0.9的可控调节。该技术简单方便，稳定性高，表面无损的状态下涂覆纳米级厚度的导电镀层对器件表面插入损耗影响较小。此技术方案能有效地减小二次电子发射系数，在粒子加速器、真空传输线以及大功率微波部件领域有着广泛的应用前景。
一种刻蚀石墨纳米减小二次电子发射系数方法

[发明专利]一种直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法-CN201510603381.7有效
发明人： 谢贵柏;崔万照;杨晶;胡天存 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法，该方法将等离子体增强化学气相沉积纳米石墨烯工艺技术应用到了抑制二次电子发射领域，并通过对工艺过程进行改进和优化设计，在金属基片表面实现了厚度可控的纳米石墨烯薄膜生长，可以将二次电子发射系数降低至小于1.1，同时工艺稳定性高，在室温大气下放置半年，基片二次电子发射系数变化小于10％，本发明在解决微波部件微放电效应及粒子加速器的电子云方面有较好的应用前景。
一种直接沉积纳米石墨抑制二次电子发射方法

[实用新型]多功能电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统-CN201720416429.8有效
发明人：张广宇;杨蓉;时东霞;成蒙;谢贵柏 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可用于生长二维材料的多功能电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统。现有技术的薄膜生长装置并不适于低温外延生长二维材料，而且结构复杂，功能单一，操作和维护不便，价格昂贵。本实用新型的系统利用石英管体来形成生长腔室，并且通过将等离子体生成装置在生长腔室的上游，并且与沉积衬底间隔开一距离，能够有效的控制等离子体的强度和密度，增强沉积过程的可控性，实现生长高质量的二维材料薄膜。而且，通过使用等离子体装置，不仅能够生长二维材料，而且还能够修饰或蚀刻二维材料，以及利用等离子体对管体进行清洁，实现了多种功能，并且操作和维护都十分方便。本实用新型的沉积系统成本节省，能广泛用于工厂和实验室的二维材料制备。
多功能电感耦合等离子体增强化学沉积系统

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