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[发明专利]一种Taiko环去除晶圆的切割膜重贴方法-CN202310722976.9在审
发明人：孙运龙;姚艳花;陆奕凯;肖酉;许有超 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种Taiko环去除晶圆的切割膜重贴方法，包括将形成有Taiko环的晶圆背面朝上放置；在晶圆表面依次放置层间纸和待贴膜晶圆；进行背面贴膜工艺，贴附切割膜；对位于Taiko环上方的切割膜进行UV曝光；移除形成有Taiko环的晶圆和所述层间纸。本发明借助形成有Taiko环的晶圆完成重新张贴切割膜，解决了现有Taiko环去除晶圆因无法张贴切割膜导致报废的问题，提升了晶圆良率；而且方法使用产线现有的晶圆和设备即可完成，无采购机台的成本问题和污染风险问题。
一种 taiko 去除切割膜重贴方法

[发明专利]一种晶圆切割方法、位置控制装置及环切设备-CN202310893991.X在审
发明人：肖酉;许有超;孙运龙;姚艳花 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B23K26/08 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种晶圆切割方法、位置控制装置及环切设备；通过优化激光部件（010）与支撑部件（040）的空间位置，调整晶圆激光处理过程末段，特别是切割（Dicing）或划片（Die Sawing）工序的处理效果；随晶圆（020）切割过程的推进，通过减小激光部件（010）与支撑部件（040）之间的距离，避免晶圆底层或接连部分尾段剩余部分的漏切；其中，支撑部件（040）可通过位置控制装置（090）来驱动，并通过其垂直方向的间歇式平动，实现切开过程末段的精确控制；此外，还可通过优化移动过程的平动步长和分段方式，进一步优化执行效率；其方法和产品尤其适用于厚度在20微米与250微米之间的晶圆，可有效提升切割质量，避免工件破片和裂纹等瑕疵的出现。
一种切割方法位置控制装置设备

[发明专利]晶圆保护膜平坦化方法-CN202310642280.5在审
发明人：付先达;朱荟吉;许有超 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种晶圆保护膜平坦化方法。切削装置沿着第一旋转方向旋转；使得当前晶圆从切削装置的第一侧平移进入，经过切削装置对当前晶圆的保护膜按照第一旋转方向进行平坦化后，当前晶圆从切削装置的第二侧平移离出；使得切削装置沿着第二旋转方向旋转，第二旋转方向与第一旋转方向相反；使得当前晶圆从切削装置的第一侧平移进入，经过切削装置对当前晶圆的保护膜按照第二旋转方向进行平坦化后从切削装置的第二侧平移离出；第一侧与第二侧为切削装置相对的两侧。本申请中的晶圆保护膜平坦化方法，可以解决相关技术中切削后边缘存在残膜的问题。
保护膜平坦方法

[发明专利]晶圆存储装置及晶圆取放方法-CN202310012354.7在审
发明人：倪立华;张磊;许有超;谭秀文 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆存储装置及晶圆取放方法，其中晶圆存储装置包括：晶圆放置盒和固定环，所述晶圆放置盒内设置若干档卡槽，所述晶圆放置盒的一侧设置为取放口；所述固定环设于粘性膜上并且环绕粘性膜上的晶圆设置；所述固定环的内环和所述固定环的外环均呈圆形，所述固定环的外环的直径小于所述取放口的宽度，通过所述取放口，承载所述晶圆的所述固定环放置于任意一档所述卡槽内。本申请通过将固定环的内环和外环均设计为圆形，以及将固定环的外环的直径设置成小于所述取放口的宽度的尺寸，可以避免在固定环发生偏移的情况下，机械臂取片时固定环与晶圆放置盒发生碰撞而造成取片失败的情况，变相地增加了晶圆放置盒的取放片窗口。
存储装置晶圆取放方法

[发明专利]一种提高晶圆背面贴膜同心度的方法-CN202211483440.8在审
发明人：倪立华;肖酉;许有超;张召 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种提高晶圆背面贴膜同心度的方法，包括：步骤S1，将晶圆置于贴膜平台上，利用贴膜平台下方的光源照射晶圆和贴膜平台上方的框架；步骤S2，利用框架上方的相机获取晶圆边缘和框架边缘的相对位置的图像；步骤S3，利用步骤S2中获得的相对位置的图像通过逻辑计算得到所需的晶圆移动距离；步骤S4，按照步骤S3中获得的晶圆移动距离移动晶圆。有效控制晶圆和框架之间的同心度的偏差在2mm以内，可以满足后续环切的要求，避免出现环切对齐报警及断环现象。
一种提高背面同心方法

[发明专利]消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法-CN202211483483.6在审
发明人：倪立华;许有超;谭秀文;张召 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供一种消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法，包括：步骤S1，将晶圆放入研磨机台，该研磨机台具有粗磨腔室和精磨腔室；步骤S2，将晶圆移入粗磨腔室对晶圆背面进行粗磨，研磨一定时间后抬升磨轮与晶圆分离并改变旋转方向后下降磨轮继续研磨；步骤S3，将晶圆移入精磨腔室对晶圆背面进行精磨。通过粗磨时抬升磨轮与晶圆分离并改变旋转方向后下降磨轮继续研磨这一过程以及提高粗磨时磨轮的进给速度和减少精磨的研磨量，可以有效消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹。
消除背面过程产生异常研磨印迹方法

[发明专利]一种Taiko减薄晶圆的去环方法-CN202211287584.6在审
发明人：朱田;谭秀文;许有超;肖酉;孙运龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种Taiko减薄晶圆的去环方法，包括采用Taiko减薄工艺对晶圆背面进行减薄；设定激光光源的位置并调整激光光斑直径；用激光轰击晶圆，在Taiko环与晶圆之间形成切割道；将激光光源的位置向晶圆方向移动一预设距离，然后继续用激光轰击晶圆；继续移动轰击直至切割道变宽；通过取环工艺移除Taiko环。本发明采用多步激光切割的方式来扩大切割道宽度，解决了目前Taiko环去环工艺容易导致晶圆出现裂纹和碎片的问题，避免了去环时裂纹和碎片现象的发生，降低了晶圆边缘裂纹率，提高了去环工艺效率。
一种 taiko 减薄晶圆方法

[发明专利]晶片太鼓环宽度测量方法-CN202210951059.3在审
发明人：蔡永慧;靳耀乐;许有超;谭秀文 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种晶片太鼓环宽度测量方法。该晶片太鼓环宽度测量方法包括以下步骤：从太鼓环上确定一固定点；使得焦平面对准所述太鼓环的内边缘，获取第一图像，所述固定点位于所述第一图像中；基于所述第一图像，测量所述固定点到所述太鼓环的内边缘之间的第一距离；使得焦平面对准所述太鼓环的外边缘，获取第二图像，所述固定点位于所述第二图像中；基于所述第二图像，测量所述固定点到所述太鼓环的外边缘之间的第二距离；基于所述第一距离和所述第二距离之和，确定太鼓环的环宽。该晶片太鼓环宽度测量方法，可以解决相关技术中太鼓环环宽测量不准确的问题。
晶片太鼓环宽度测量方法

[发明专利]TAIKO取环装置及取环方法-CN202210966418.2在审
发明人：张浩;蔡靖凯;许有超;谭秀文 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种TAIKO取环装置及取环方法，其中TAIKO取环装置包括：取环工作台、承载贴附有粘性膜的晶圆的铁环、用于吸附晶圆的吸附平台、用于将放置晶圆以及物理对中晶圆的机械手臂、识别单元和用于取环的夹爪；其中，识别单元安装在所述夹爪上，识别单元的扫描区域至少包括晶圆的边缘区域；在夹爪的旋转带动下，识别单元识别晶圆的边缘是否放置于特定的区域内。本申请通过识别单元能够精准地识别晶圆的边缘是否放置于特定的区域内，机械手臂配合调整晶圆的放置坐标来重新对晶圆进行物理对中，在不需要直接接触晶圆的减薄晶圆主体的情况下，避免了TAIKO环环切工艺中的物理对中过程中夹碎支撑环体从而导致晶圆裂片的问题。
taiko 装置方法

[发明专利]太鼓环取环装置-CN202210815504.3在审
发明人：孙运龙;肖酉;许有超;朱田 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种太鼓环(Taiko)取环装置。太鼓环取环装置包括：能够与保护膜的裙边下表面处接触的保护膜紧张度调节环和入刀角度调节环；所述保护膜能够粘附在带有太鼓环的晶片表面，且所述保护膜的裙边延伸出所述太鼓环外；所述保护膜紧张度调节环位于所述入刀角度调节环外，能够上下移动调节所述保护膜的张紧程度；所述入刀角度调节环位于所述保护膜紧张度调节环所在水平方向的上侧，能够上下移动调节所述保护膜的裙边与太鼓环下表面之间的夹角，所述夹角为入刀角度。本申请提供的太鼓环取环装置，可以解决相关技术中入刀角度和保护膜的紧张程度难以兼顾的问题。
太鼓环取环装置

[发明专利]金属膜层生长质量的检测方法-CN202210470163.0在审
发明人：张磊;谭秀文;许有超;李欢;陈诗翰 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种金属膜层生长质量的检测方法，包括：提供一背面形成有金属膜层的晶圆，所述金属膜层的表面粘贴有第一粘性膜；从晶圆正面进行划片以将所述晶圆分割成多个芯片；在所述芯片的正面粘贴粘性大于所述第一粘性膜的第二粘性膜；利用所述第二粘性膜将所述芯片与所述第一粘性膜分离；检查所述第一粘性膜上是否有所述金属膜层的残留。本申请通过在划片后在晶圆正面粘贴粘性更大的第二粘性膜，可以将需要检查的多个芯片从第一粘性膜上一次性全都取下来，同时也避免了剥离超薄的小面积芯片时损坏芯片的情况，保证了芯片的完整性，提高了检测的可靠性和检测效率。
金属膜生长质量检测方法

[发明专利]太鼓减薄晶圆的取环方法-CN202210470569.9在审
发明人：肖酉;孙运龙;许有超;朱田 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种太鼓减薄晶圆的取环方法，包括：步骤一、对太鼓减薄晶圆进行环切；步骤二、进行双重对准工艺，包括：对环切后的所述中间部分的外侧边缘进行检测实现第一重对准；对环切后的支撑环的外侧边缘进行检测实现第二重对准；步骤三、进行取环工艺将所述支撑环去除；在取环工艺中，利用第一重对准确定中间部分的位置，利用第二重对准确定取环刀片的作用位置。本发明能提高位于环切完成后以及取环之前的对准工艺的准确度，增加取环窗口，降低裂纹率，最后提高取环稳定性。
太鼓减薄晶圆方法

[发明专利]晶片去环装置和去环方法-CN202210151459.6在审
发明人：蔡靖凯;张浩;许有超;谭秀文 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，涉及晶片去环装置和去环方法。装置中的载片台包括用于放置晶片的载片区，载片台能够以载片区的中心为轴，按照第一旋转方向进行旋转；第一切割刀片与载片区的载片边缘相切形成第一切割位，第二切割刀片与载片区的载片边缘相切形成第二切割位，第一切割位和第二切割位分别位于载片区相对的两侧；第一切割刀片能够以第一切割刀片的中心为轴自转，第二切割刀片能够以第二切割刀片的中心为轴自转；第一切割刀片和第二切割刀片进行切割时，第一切割刀片对第一切割位的切割方向与载片区在第一切割位的运动方向一致，第二切割刀片对第二切割位的切割方向与载片区在第二切割位的运动方向一致，使用该装置实现晶片去环方法。
晶片装置方法

[发明专利]一种改善薄片翘曲的方法-CN202111567753.7在审
发明人： 许有超;谭秀文;苏亚青 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种改善晶片翘曲的方法，提供晶片；在晶片的正面外表面形成具有第一张应力的第一膜层；在晶片的反面外表面形成具有第二张应力的第二膜层，其中第二张应力与第一张应力的方向相反，使得第二张应力抵消第一张应力。本发明增大了晶片背面膜层的张应力，部分抵消了正面膜层的张应力，降低晶圆整体的应力，使得晶圆不会发生翘曲，不影响之后的加工。
一种改善薄片方法

[发明专利]磁控溅射方法-CN202111515063.7在审
发明人：谭秀文;许有超 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开了一种磁控溅射方法，该方法应用于使用磁控溅射设备进行磁控溅射工艺中，该磁控溅射设备包括位于靶材上方或下方的磁铁组，该磁铁组包括第一磁铁和第二磁铁，该方法包括：在靶材的生命周期的第一阶段，使第一磁铁和第二磁铁之间的距离为第一距离进行磁控溅射工艺；在靶材的生命周期的第二阶段，使第一磁铁和第二磁铁之间的距离为第二距离进行磁控溅射工艺，第一距离和第二距离是第一磁铁和第二磁铁在横向上的距离，第一距离和第二距离不同。本申请通过在靶材的生命周期内分阶段调整磁铁之间的相对位置，拓宽了靶材最深刻蚀区域的面积，在安全余量不变的前提下提高了靶材利的用率，进而降低了生产成本。
磁控溅射方法

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