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[实用新型]一种自闭症康复训练仪用平台结构-CN202222820006.6有效
发明人：陆宇;况子明;蔡成;许恒宇 -专利权人：南京泰明生物科技有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： A61M21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自闭症康复训练仪用平台结构，包括底座，底座的两侧均安装有侧板，底座的一侧为端板，端板上安装有显示屏，侧板和端板均与底座的边侧翻转式铰接配合，侧板与端板均与底座翻转为90度时，侧板和端板之间通过固定结构固定。平台结构为可折叠式结构，可以灵活使用和携带，在家庭环境下可收纳节省大范围空间，展开后为围体结构，将幼儿放入进行训练，减小其他环境的训练干扰因素，减少家长的看管集中力，显示屏通过播放视听统合训练视频引导教学，营造优良的训练环境。
一种自闭症康复训练平台结构

[实用新型]一种新生儿视觉训练仪-CN202320175527.2有效
发明人：陆宇;况子明;蔡成;许恒宇 -专利权人：南京泰明生物科技有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： A61H5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新生儿视觉训练仪，包括底板，底板两侧对称固定有支撑柱，支撑柱的顶部安装有灯板，灯板底部安装有视觉训练用卡片，支撑柱对应螺杆端部的位置安装有驱动螺杆转动的步进电机，步进电机通过螺杆驱动灯板左右往复移动。支撑柱通过连接的螺杆对灯板进行支撑，同时螺杆在步进电机的作用下正转和反转，使灯板在水平位置上左右移动，通过灯板背侧打光，高亮显示卡片，容易吸引新生儿注意力，新生儿平躺后，使新生儿的视力聚集正前方，控制步进电机驱动灯板左右小幅度缓慢的移动，新生儿的眼球跟随移动，达到训练的目的。
一种新生儿视觉训练

[实用新型]一种激光散斑图像采集器拍摄支护-CN202320362512.7有效
发明人：陆宇;况子明;蔡成;许恒宇 -专利权人：南京泰明生物科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： A61B3/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种激光散斑图像采集器拍摄支护，包括图像采集器本体，图像采集器本体上下侧均安装有卡罩，图像采集器本体下方安装有支撑板，支撑板边侧固定有限位柱，两个卡罩对应限位柱的位置设置有柱套，所述限位柱于柱套中滑动伸缩配合，所述支撑板与下侧卡罩的底部之间安装有升降调节装置,托板与支撑板通过支撑杆支撑并同步升降移动。托板用于待检查人员支撑下巴，由于不同的人眼高度有所不同，所以支撑板与托板同步移动，便于高度调节，提供下巴支撑和定位，头部在具有支撑的情况下更加稳定，晃动频率低，人体更加放松状态，舒缓疲劳程度。
一种激光图像采集拍摄支护

[实用新型]视网膜拍摄端支撑调节装置-CN202223483618.7有效
发明人：陆宇;况子明;蔡成;许恒宇 -专利权人：南京泰明生物科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： A61B3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了视网膜拍摄端支撑调节装置，安装于双模态眼底相机的拍摄端，底座的上侧安装有左右对称的支撑臂，支撑梁上下可移动式调节设置，支撑梁的底部中央与底座之间设置有螺杆，底座开设安装螺杆的穿孔，底座设置有驱动螺杆升降调节的驱动装置。螺杆上端与支撑梁底部旋转配合，通过驱动螺杆进行驱动支撑梁上下移动调节。可以根据人的身高进行调节支撑梁高度，支撑梁用于人头部下巴的支撑，使头部稳定后全身处于更加放松的状态。
视网膜拍摄支撑调节装置

[实用新型]一种激光眼底成像装置-CN202222904184.7有效
发明人：陆宇;况子明;蔡成;许恒宇 -专利权人：南京泰明生物科技有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： A61B3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种激光眼底成像装置，包括外壳，所述外壳包括一体成型的激光发射外壳和眼底成像外壳，所述激光发射外壳远离眼底成像外壳的一端通过锁紧端螺纹连接有盖帽。所述激光发射外壳内靠近盖帽的一端设置有激光发射压座，所述激光发射压座上安装有激光器，所述激光发射压座上螺纹连接有镜头座，且激光发射外壳远离盖帽的一端通过柱面镜座安装有柱面镜。有益效果：激光发射外壳内安装有激光器，并通过激光器发射激光光源，光源通过柱面镜，可以把激光光源的光斑变大，达到光源面积的增大，且将激光发射压座与镜头座螺纹连接，可以实现镜头座与柱面镜之间距离的调节，可以确保激光光源在原有功率基础上，提高光强。
一种激光眼底成像装置

[实用新型]一种眼底扫描成像设备用支撑装置-CN202222248975.9有效
发明人：陆宇;况子明;蔡成;许恒宇 -专利权人：南京泰明生物科技有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： A61B3/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及眼底扫描成像设备技术领域，尤其涉及一种眼底扫描成像设备用支撑装置，包括成像机体，以及设置于成像机体一端的活动框，活动框底部设置有用于调节其高度的支撑机构，活动框内侧设置有用于定位患者眼部的限位机构，支撑机构包括设置于活动框底部并于成像机体固定的定位框。本实用新型有利于扩大了支撑装置高度的调节范围，使得身高相差较大的患者在扫描眼部时更加的舒适，提升了该成像设备支撑装置的实用性，避免现有成像设备支撑装置调节高度的范围较小，对于身高相差较大的患者，其难以调节合适的高度而存在局限性的情况，同时操作简单快捷，提升了对患者进行眼部扫描的稳定性，使得成像机体对眼部扫描成像更加精准。
一种眼底扫描成像备用支撑装置

[发明专利]半导体器件及其制备方法、电源模组和电子设备-CN202110865134.X在审
发明人：张远浩;匡秋虹;张庆豪;许恒宇;万彩萍 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种半导体器件及其制备方法、电源模组和电子设备，该半导体器件包括：衬底、外延层、斜坡结构、栅氧化层、栅极、隔离介质层、源极和漏极；外延层中间隔设置有离子注入区，每个离子注入区上表面设置有斜坡结构；栅氧化层位于斜坡结构之间的外延层的上表面，并沿斜坡结构的斜面向斜坡结构远离斜面的侧面延伸；栅极位于栅氧化层的上表面，隔离介质层用于隔离栅极和源极。通过在外延层和栅氧化层之间添加斜坡结构，使得栅氧化层的边缘的厚度增加，可以降低栅氧化层的电场强度，减缓栅极边缘的电场集中现象，提升器件栅氧击穿电荷量，增加器件可靠性。
半导体器件及其制备方法电源模组电子设备

[实用新型]一种新生儿眼底照相便携手柄-CN202222580847.4有效
发明人：陆宇;况子明;蔡成;许恒宇 -专利权人：南京泰明生物科技有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G03B17/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新生儿眼底照相便携手柄，包括照相设备、手柄本体；还包括用于卡合圆柱状本体的卡套，卡套为侧壁开有卡口的管式结构，卡套对应卡口形成用于卡合圆柱状本体的卡槽，卡套为弹性树脂材料制成，用于对应卡口位置的侧壁具有弹性，便于变形卡合圆柱状本体。可拆卸手柄装置，在需要照相设备移动状态下使用，用于安装照相设备，便于手持操作，而且手柄装置与照相设备安装方便，通过手柄本体端部的卡套轻松卡住照相设备，卡合稳定，拆卸方便。
一种新生儿眼底照相便携手柄

[发明专利]一种碳化硅MOS器件及其制备方法-CN202110454952.0在审
发明人：万彩萍;许恒宇;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOS器件及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域，解决了采用超高温氧化或者采用不同气氛的高温退火工艺改善栅氧化层工艺复杂、条件苛刻的问题。该器件包括依次层叠的下表面电极、SiC外延片、栅氧化层和多晶硅电极，多晶硅电极内注入的五价元素和/或三价元素扩散至栅氧化层。该方法为对SiC外延片进行氧化处理，上表面的氧化层作为栅氧化层，在上表面的氧化层表面形成多晶硅层；向多晶硅层注入五价元素和/或三价元素，激活退火，使得五价元素和/或三价元素扩散至栅氧化层，对多晶硅层进行构图工艺形成多晶硅电极，得到碳化硅MOS器件(主要包括MOSFET器件及MOS电容器件等)。该碳化硅MOS器件及方法可用于电力电子设备。
一种碳化硅 mos 器件及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅欧姆接触及其制备方法-CN202110388444.7在审
发明人：薛梦谦;许恒宇;万彩萍 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅欧姆接触及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中碳化硅欧姆接触的金属或者合金层存在可重复性差、抗氧化能力弱、表面质量差等问题。本发明的方法在碳化硅衬底上形成碳化硅掺杂层；在碳化硅掺杂层表面通过磁控溅射或蒸发的方式依次沉积镍层、铝层和钛层，得到待处理碳化硅欧姆接触；对待处理碳化硅欧姆接触依次进行阶梯式的两次退火处理，得到碳化硅欧姆接触。本发明的碳化硅欧姆接触及其制备方法可用于碳化硅器件。
一种碳化硅欧姆接触及其制备方法

[发明专利]多MOSFET并联装置及功率半导体模块-CN202110372859.5在审
发明人：卢文浩;许恒宇;万彩萍;张西子;杜玉杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请公开了一种多MOSFET并联装置及功率半导体模块。该多MOSFET并联装置包括至少两个并联的结构相同的子模块；所述子模块包括结构相同的第一单元和第二单元；所述第一单元包括MOSFET和碳化硅肖特基二极管；所述碳化硅肖特基二极管与所述MOSFET反向并联；所述第一单元的MOSFET与所述第二单元的MOSFET串联。本申请的多MOSFET并联装置，碳化硅肖特基二极管与MOSFET反向并联，碳化硅肖特基二极管的正的正向压降温度系数能够改善MOSFET的第三象限的并联电流分布，实现电流自动均流，解决了并联的各MOSFET之间电流分布不均衡的问题。
mosfet 并联装置功率半导体模块

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN202110993761.1在审
发明人：万彩萍;田丽欣;桑玲;罗松威;许恒宇;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所;全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制备方法。一种半导体器件的制备方法，包括：提供具有掺杂的SiC外延片；在SiC外延片上形成第一掩膜层；对第一掩膜层进行图形化处理，曝露出第一离子注入区域；向第一离子注入区域进行离子注入，注入类型与SiC外延片的掺杂类型相同；去除第一掩膜层；去除第一掩膜层之后在SiC外延片上形成第二掩膜层；对第二掩膜层进行图形化处理，曝露出第二离子注入区域；向第二离子注入区域进行离子注入，注入类型根据半导体器件中离子注入结构的类型确定；去除第二掩膜层；激活第二离子注入区域注入的离子；制作半导体器件的其他结构。该方法旨在解决器件在雪崩击穿过程中电荷在第二注入边缘区域聚集发生击穿的问题。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]一种场效应晶体管器件的栅极结构制作方法及场效应晶体管器件-CN202110852603.4在审
发明人：万彩萍;许恒宇;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种场效应晶体管器件的栅极结构制作方法及场效应晶体管器件，涉及半导体器件技术领域。栅极结构制作方法包括：提供一碳化硅外延片；对所述碳化硅外延片进行高温栅氧处理，以使所述碳化硅外延片表面形成二氧化硅栅氧化层；在所述二氧化硅栅氧化层上形成栅极图形，得到包含所述栅极图形的第一栅极结构；对所述第一栅极结构按光刻图形进行刻蚀处理，进行二次氧化处理，修复形成第一栅极结构过程中对栅氧化层所造成的刻蚀损伤，最终得到第二栅极结构，避免由于在第一栅极形成过程中发生过度刻蚀而导致的栅氧化层损伤，这类损伤容易引起栅氧化层附近发生击穿导致的器件失效，提升了碳化硅场效应晶体管器件的可靠性。
一种场效应晶体管器件栅极结构制作方法

[发明专利]碳化硅场效应晶体管及其制备方法、碳化硅功率器件-CN202010203642.7在审
发明人： 许恒宇;万彩萍 -专利权人：江苏中科汉韵半导体有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅场效应晶体管及其制备方法、碳化硅功率器件，所述晶体管包括：上表面开设有U型槽栅的外延片，位于所述外延片下表面的漏极，包覆所述U型槽栅内壁的氧化膜，位于所述U型槽栅内的多晶硅栅，具有过孔的绝缘层，以及位于所述绝缘层之上的源极；所述外延片包括外延层和位于所述外延层下表面的衬底，所述外延层形成有p‑阱区和n+阱区，所述源极通过所述过孔与所述p‑阱区和/或所述n+阱区电连接。本发明解决了制备晶体管时，在沟槽底部因氧化膜厚度不足或底部尖锐边角处氧化膜覆盖不足容易因电场集中产生栅氧击穿，导致碳化硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管的栅氧可靠性低的问题。
碳化硅场效应晶体管及其制备方法功率器件

[发明专利]一种碳化硅MOS电容栅氧化层的制备方法-CN201910216979.9在审
发明人：葛念念;许恒宇;万彩萍;王世海;罗志鹏;金智 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOS电容器件栅氧化层的制备方法，该制备方法包括：提供一SiC外延片；对所述SiC外延片进行清洗；对所述清洗后的SiC外延片进行氧化处理，在外延片上表面形成SiC MOS电容的SiO2栅氧化层，在下表面形成下表面SiO2氧化层；对所述氧化后的SiC外延片进行退火处理；在所述退火处理后的上表面SiC MOS电容栅氧化层的表面形成金属上电极；对所述的下表面氧化层进行刻蚀，并形成金属下电极。本发明通过提高退火处理步骤中的退火温度，实现对界面缺陷密度和栅氧化层可靠性的优化，并且工艺简单，效率高，成本低廉。
一种碳化硅 mos 电容氧化制备方法

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