专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于3D点云优化动态LTR的侧翻预警方法及系统-CN202210952671.2在审
  • 宋宝;王康;张宏超;周向东;唐小琦;许峻铭;王小柏;卢慧锋;杨承博 - 华中科技大学
  • 2022-08-09 - 2022-11-22 - B60W40/10
  • 本发明涉及一种基于3D点云优化的动态横向载荷转移率的侧翻预警方法及系统,包括:获取车辆信息以及前向路面高程点云;根据车辆信息,进行车辆行驶轨迹预测;基于所述前向路面高程点云以及预测的车辆行驶轨迹估计车辆行驶过程中的路面横向不平度;获取车身侧倾角,车身侧倾角通过路面不平度特征和车辆转向姿态侧倾两个因素进行估计;根据车身侧倾角、车速和横摆角速度,构建动态横向载荷转移率LTR指标;根据预测的车辆行驶轨迹依次采样计算未来预设时间段内是否存在|LTR|大于预设阈值的危险情况,若存在则进行侧翻预警。本发明提高了预警系统的抵抗越野等非结构路面随机干扰的鲁棒性,并通过得到侧翻指标预测序列实现了较长的有效防侧翻预警时间。
  • 基于优化动态ltr预警方法系统
  • [发明专利]一种PMLSM时变系统扰动观测方法、系统及应用-CN202210311277.0在审
  • 宋宝;钟靖龙;唐小琦;周向东;张泽之;吉文博;吴玉泉;刘楷文;许峻铭 - 华中科技大学
  • 2022-03-28 - 2022-08-12 - H02P21/22
  • 本发明属于伺服系统扰动观测技术领域,公开了一种PMLSM时变系统扰动观测方法、系统及应用,构建包含电机参数失配及未建模动力学的PMLSM系统动力学模型,引入测量噪声及迭代噪声两项时变扰动;相对于直线电机控制周期,参数扰动及未建模动力学引起的扰动为缓变量,测量噪声及过程噪声为时变量;将所有缓变项视为系统集总扰动,并扩张n阶导数为系统状态进行建模;在所述扩张状态模型中引入时变项,通过设计卡尔曼滤波器对系统扰动进行观测。本发明的在引入时变扰动下基于系统扩张状态的卡尔曼滤波器,实现对PMLSM系统扰动的实时观测。由实验结果可知,传统方法在整个运动范围内存在电流跟踪误差,本发明则完全消除该跟踪误差。
  • 一种pmlsm系统扰动观测方法应用
  • [发明专利]防止仿星器三维模块化线圈因受电磁力而变形的设计方法-CN202210370852.4有效
  • 许宇鸿;许峻铭;刘海峰;熊国臻;罗杨;张欣 - 西南交通大学
  • 2022-04-11 - 2022-06-07 - G06F30/20
  • 本发明提供一种防止仿星器三维模块化线圈因受电磁力而变形的设计方法,适用于准环对称仿星器,所述准环对称仿星器包括线圈系统、真空系统和中央控制系统,在真空系统中激发等离子体,线圈系统用于产生磁场位形并约束等离子体的运动范围,线圈系统包括若干个呈环形结构的三维模块化的仿星器线圈,计算仿星器线圈各剖切截面所承受的电磁力;将仿星器线圈分成若干个分段体,将每个分段体上的各剖切截面所承受的电磁力进行积分求和,得到该分段体所承受的电磁力值,设定各分段体在承受电磁力时不会产生变形的上限值,在承受电磁力值大于设定上限值的分段体部位,设置线圈盒进行支撑,以防止该部位的线圈在通电过程中发生变形。
  • 防止仿星器三维模块化线圈磁力变形设计方法
  • [实用新型]同步整流控制器-CN202020077146.7有效
  • 黄宗义;许峻铭;黄炯福 - 通嘉科技(深圳)有限公司;通嘉科技股份有限公司
  • 2019-10-16 - 2021-05-18 - H01L27/07
  • 一种同步整流控制器,包含有变压器及同步整流开关,该同步整流控制器包含有:驱动引脚,耦合至该同步整流开关,该同步整流控制器通过驱动引脚,控制次级侧线圈与电源线之间的电性连接;高压充电引脚,耦合至次级侧线圈与同步整流开关之间的接点;及高压半导体元件,其特征在于,高压充电引脚电连接至阳极,基体可电连接至操作电源电容;通过高压半导体元件,该同步整流控制器可对操作电源电容充电。高压半导体元件包含金属氧化物半导体晶体管及具有一金属层的肖特基二极管。该金属氧化物半导体晶体管的半导体基底为第一类型,其基体形成于该深井上。第二类型的深井形成于半导体基底上,其重掺杂源设于基体上,且与基体电性上相短路。
  • 同步整流控制器

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