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[发明专利]利用改进的基板材料用法制造含镓和氮的激光器件的方法-CN201410728015.X有效
发明人：亚历山大·施泰因;迈尔文·麦克劳林;许博善;詹姆斯·W·拉林 -专利权人：天空激光二极管有限公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供了利用改进的基板材料用法制造含镓和氮的激光器件的方法。在实施例中，本发明提供一种用于制造含镓和氮的激光二极管器件的方法，包括：提供具有表面区域的含镓和氮的基板；形成与表面区域重叠的外延材料，所述外延材料包括n型包层区域、包括与所述n型包层区域重叠的至少一个有源层的有源区域、以及与所述有源层区域重叠的p型包层区域；使所述外延材料图案化以形成多个芯片，所述芯片中的每个均对应于至少一个激光器件，特征在于一对芯片之间的第一节距，所述第一节距小于设计宽度；将所述多个芯片中的每个转移至载体晶片，使得每对芯片均被配置为在每对芯片之间具有第二节距，所述第二节距大于对应于所述设计宽度的所述第一节距。
节距芯片激光器件外延材料基板材料区域重叠源层制造激光二极管器件载体晶片图案化源区域基板改进配置

[发明专利]可制造的激光二极管-CN201580018833.3有效
发明人：迈尔文·麦克劳林;亚历山大·施泰因;许博善;埃里克·古坦;丹·施泰格瓦尔德;詹姆斯·W·拉林 -专利权人：天空激光二极管有限公司
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：一种用于制造激光二极管器件的方法包括提供具有表面区域的基板并且形成上覆表面区域的外延材料，外延材料包括n型包覆区域、包括上覆n型包覆区域的至少一个有源层的有源区、以及上覆有源层区域的p型包覆区域。外延材料被图案化以形成多个管芯，管芯中的每一个对应于至少一个激光器件。多个管芯中的每一个被转移至一个或多个载体基板，并且处理在一个或多个载体基板上的多个管芯中的至少一个。管芯利用基板封装以构造模块器件。
制造激光二极管

[实用新型]照明装置-CN201520758768.5有效
发明人：迈尔文·麦克劳林;亚历山大·施泰因;许博善;埃里克·古坦;丹·施泰格瓦尔德;詹姆斯·W·拉林 -专利权人：天空激光二极管有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L25/13 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种包括激光二极管器件的照明装置，所述装置包括：外延材料，包括n型包覆层区域、包括与所述n型包覆层区域重叠的至少一个有源层的有源区以及与所述有源层区域重叠的p型包覆层区域；至少一个晶片，由多个晶片配置，每一个所述晶片对应于至少一个激光二极管器件；一个或多个载体，包括由所述多个晶片中的每一个至所述一个或多个载体基板的转移配置的所述多个晶片中的一个或多个；波长转换元件，光学耦接至所述晶片以在白色光谱中发射电磁辐射，所述电磁辐射通过所述波长转换元件被部分转换或通过所述波长转换元件被完全转换。
照明装置

[实用新型]光学装置-CN201520826757.6有效
发明人：迈尔文·麦克劳林;亚历山大·施泰因;许博善;埃里克·古坦;丹·施泰格瓦尔德;詹姆斯·W·拉林 -专利权人：天空激光二极管有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01S5/327 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光学装置，包括：具有界面区域的基台装置上的外延生长材料，在基台装置的表面区域上，外延生长材料与生长外延材料的基板分开；包括发红光AlInGaAsP外延激光器结构或发红光AlInGaAsP外延结构的至少一个激光器器件，发红光AlInGaAsP外延激光器结构从含镓和砷的基板构件转移到表面区域的第一部分，发红光AlInGaAsP外延结构形成在表面区域的第一部分上；包括发绿光的含镓和氮的激光器外延结构的至少一个激光器器件；包括发蓝光的含镓和氮的激光器外延结构的至少一个激光器器件；基台装置的外围区域，由单一化的载体配置以提供基台装置；以及至少一对接合垫，配置在基台装置上以电连接至每个激光器器件，并且被配置为将电流注入每个激光器器件中。
光学装置

[实用新型]激光二极管器件-CN201520096855.9有效
发明人：迈尔文·麦克劳林;亚历山大·施泰因;许博善;埃里克·古坦;丹·施泰格瓦尔德;詹姆斯·W·拉林 -专利权人：天空激光二极管有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种激光二极管器件，所述激光二极管器件包括：载体芯片，从载体基板上单一化；一个或多个外延材料晶片，从基板上被转移至所述载体基板；所述外延材料包括n型包覆层区域、包括与所述n型包覆层区域重叠的至少一个有源层的有源区以及与所述有源层区域重叠的p型包覆层区域；以及一个或多个激光二极管带区域，形成在所述外延材料晶片中。
激光二极管器件

[实用新型]光学装置-CN201520096866.7有效
发明人：迈尔文·麦克劳林;亚历山大·施泰因;许博善;埃里克·古坦;丹·施泰格瓦尔德;詹姆斯·W·拉林 -专利权人：天空激光二极管有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光学装置，选自灯泡、显示器和其他装置中的一个，所述光学装置包括：外延生长材料，在基台装置的表面区域上接合至具有界面区域的所述基台装置，所述外延生长材料与生长所述外延材料的基板分开；至少一个激光器器件，由所述外延生长材料配置，所述一个激光器器件包括以所述外延生长材料制备的激光器脊；所述基台装置的外围区域，由单一化的载体配置以提供所述基台装置，所述外围区域由锯切、划线和折断或者切割处理来配置；以及至少一对接合垫，配置在所述基台装置上以电连接至所述激光器器件，并且被配置为将电流注入所述激光器器件中。
光学装置

[实用新型]光学装置-CN201520095427.4有效
发明人：迈尔文·麦克劳林;亚历山大·施泰因;许博善;埃里克·古坦;丹·施泰格瓦尔德;詹姆斯·W·拉林 -专利权人：天空激光二极管有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本文涉及一种光学装置，包括：共用载体构件，包括表面区域；发红光的AlInGaAsP外延激光器结构(RED)，被配置在含镓和砷的基板构件上并且从含镓和砷的基板构件转移到表面区域的第一部分上，或者发红光的AlInGaAsP激光器外延结构形成在共用载体构件的表面区域上；发绿光的含镓和氮的激光器外延结构(GREEN)，被配置在含镓和氮的基板构件上并且从含镓和氮的基板构件转移到表面区域的第二部分上；发蓝光的含镓和氮的激光器外延结构(BLUE)，被配置在含镓和氮的基板构件上并且从含镓和氮的基板构件转移到表面区域的第三部分上；以及红色激光器器件、绿色激光器器件和蓝色激光器器件，经由RED、GREEN和BLUE的处理分别从RED、GREEN和BLUE配置为形成波导区域、面区域和接触区域。
光学装置

[实用新型]照明装置-CN201520095428.9有效
发明人：迈尔文·麦克劳林;亚历山大·施泰因;许博善;埃里克·古坦;丹·施泰格瓦尔德;詹姆斯·W·拉林 -专利权人：天空激光二极管有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： H01L25/13 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种包括激光二极管器件的照明装置，所述装置包括：外延材料，包括n型包覆层区域、包括与所述n型包覆层区域重叠的至少一个有源层的有源区以及与所述有源层区域重叠的p型包覆层区域；至少一个晶片，由多个晶片配置，每一个所述晶片对应于至少一个激光二极管器件；一个或多个载体，包括由所述多个晶片中的每一个至所述一个或多个载体基板的转移配置的所述多个晶片中的一个或多个；波长转换元件，光学耦接至所述晶片以在白色光谱中发射电磁辐射，所述电磁辐射通过所述波长转换元件被部分转换或通过所述波长转换元件被完全转换。
照明装置

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