“詹道栋”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]体声波谐振器及其制备方法、滤波器-CN202310710126.7在审
发明人：丁志鹏;刘炎;詹道栋;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请提供一种体声波谐振器及其制备方法、滤波器。该体声波谐振器包括：衬底，所述衬底包括依次层叠设置的第一半导体层、绝缘层及第二半导体层；所述第二半导体层的表面刻蚀形成凹槽，所述凹槽贯穿所述第二半导体层；所述凹槽内形成有保护件，所述凹槽的竖向截面具有平滑轮廓以消除在所述保护件形成过程中出现的空洞缺陷。该体声波谐振器可以形成高质量的种子层、底电极、压电层以及顶电极，有效提高了体声波谐振器的器件性能。
声波谐振器及其制备方法滤波器

[发明专利]一种单晶薄膜体声波谐振器及其制备方法、滤波器-CN202210027314.5有效
发明人：邹杨;蔡耀;林炳辉;罗天成;高超;詹道栋;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本申请提供一种单晶薄膜体声波谐振器及其制备方法、滤波器，涉及滤波器技术领域，方法包括：在临时衬底上依次形成层叠的缓冲层、压电层和第一电极；在第一电极上形成第一键合层；提供基底；刻蚀基底以在基底表面形成多个第一凸块；在基底表面形成覆盖多个第一凸块顶面的第二键合层；将位于多个第一凸块顶面的第二键合层与第一键合层键合；在键合时，由于可以通过刻蚀槽控制第一凸块顶面的面积大小，便可以控制位于第一凸块顶面的第二键合层的面积，从而实现对键合面积的控制。通过对键合面积进行控制，实现了键合要求与键合可靠性之间的平衡。
一种薄膜声波谐振器及其制备方法滤波器

[发明专利]一种谐振器及其制备方法-CN202210591204.1有效
发明人：高超;邹杨;蔡耀;詹道栋;曲远航;王雅馨;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H03H3/04 文献下载
摘要：本申请提供一种谐振器及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：第一衬底以及依次形成于第一衬底上的压电层、下电极和第一质量负载层；在下电极上形成覆盖第一质量负载层的牺牲层；在器件晶圆具有牺牲层的一侧形成支撑层；通过键合工艺在支撑层上形成第二衬底；去除第一衬底以使压电层露出；在压电层上依次形成上电极和第二质量负载层；释放牺牲层以在第一质量负载层和支撑层之间形成空腔。由此，通过控制第一质量负载层和第二质量负载层所占谐振器的有效工作区域面积比例对应实现谐振器的调谐，从而制造具有不同谐振频率的谐振器，有效避免了因为外加元件调谐所带来的损耗，保证了谐振器具有较好的性能。
一种谐振器及其制备方法

[发明专利]体声波谐振器及其制备方法-CN202310165706.2在审
发明人：刘炎;丁志鹏;任沁;詹道栋;孙博文;孙成亮 -专利权人：苏州敏声新技术有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域。该体声波谐振器包括衬底，衬底设有空腔，空腔具有相对的侧壁和底面；衬底上设有谐振结构，谐振结构与空腔相对设置；谐振结构包括层叠设置的下电极、压电层和上电极；下电极在底面上的投影面积小于底面面积；压电层靠近衬底的一侧设有环绕下电极外周，并与空腔相通的环形结构，通过环形结构阻挡谐振结构产生的横向声波泄露。该体声波谐振器能够减少声波泄漏，提高器件品质。
声波谐振器及其制备方法

[发明专利]谐振器的制作方法以及谐振器-CN202310297640.2有效
发明人：林炳辉;蔡耀;萧莉燕;丁志鹏;高超;王雅馨;邹杨;詹道栋;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种谐振器的制作方法以及谐振器，该方法包括：首先，提供层叠的第一衬底以及预备压电层；然后，对预备压电层进行应力检测，得到预备压电层的第一应力值，根据预备压电层的第一应力值的分布情况，对预备压电层进行多次分割，形成多个压电层；之后，在压电层的远离第一衬底的表面上形成多个间隔设置的第一金属层，在各第一金属层的远离压电层的表面上形成层叠的牺牲层以及第一键合层；之后，提供层叠的第二衬底以及第二键合层，并且将第一键合层与第二键合层进行键合；最后，去除第一衬底，在压电层的远离第一金属层的表面上形成多个间隔设置的第二金属层，形成刻蚀孔，并通过刻蚀孔去除牺牲层，以得到空腔。保证了谐振器的性能较好。
谐振器制作方法以及

[发明专利]谐振器的制作方法及谐振器-CN202310127168.8在审
发明人：林炳辉;蔡耀;邹杨;高超;王雅馨;詹道栋;丁志鹏;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种谐振器的制作方法及谐振器。制作方法包括：提供第一衬底，第一衬底包括第一压电层；在第一压电层上形成第一键合层，第一键合层具有第一压电性，且覆盖第一压电层；提供包括第二键合层的第二衬底，第二衬底具有第一端和第二端，第二键合层位于第二端，第二键合层具有第二压电性；在第二衬底中形成损伤层，损伤层位于第一端，且损伤层和第二键合层之间具有部分第二衬底；将第一键合层和第二键合层键合，形成第一晶圆；去除损伤层和第一端的部分第二衬底，剩余的部分第二衬底形成第二压电层；在第二压电层上形成底电极和支撑部件，底电极和部分支撑部件交替设置；去除第一衬底，使第一压电层裸露；在第一压电层上形成顶电极。
谐振器制作方法

[实用新型]一种谐振器和滤波器-CN202222996602.X有效
发明人：高超;邹杨;蔡耀;詹道栋;曲远航;王雅馨;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请提供一种谐振器和滤波器，涉及谐振器技术领域，谐振器包括衬底，在衬底上依次设置有层叠的下电极、压电层和上电极，由此，形成谐振器的基础结构，其中，下电极、压电层和上电极三者在衬底的正投影的交叠区域可以作为谐振器的有效工作区域。在压电层和衬底之间还设置有IPD，并且将IPD与下电极连接，可以无需单独对IPD设置引出电极，以此将IPD集成于谐振器内部，能够通过IPD实现对应用该谐振器的滤波器进行性能调节、带宽调节等，也有助于降低器件整体的占用空间，有利于器件的微型化，同时能够有效提高器件的电学性能，降低封装成本。
一种谐振器滤波器

[实用新型]一种双工器及电子设备-CN202222975068.4有效
发明人：邹杨;蔡耀;高超;林炳辉;詹道栋;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H03H9/70 文献下载
摘要：本申请公开了一种双工器及电子设备，涉及通信技术领域，本申请的双工器，包括基板，设置于基板上的第一滤波器以及设置于第一滤波器上的第二滤波器，第一滤波器和第二滤波器通过第一键合层键合，第一滤波器和第二滤波器分别与基板电连接，基板上还设置有分别与第一滤波器和第二滤波器连接的移相器。本申请提供的双工器及电子设备，能够减小双工器的占用基板的面积，以使所述双工器符合电子器件小型化的趋势。
一种双工器电子设备

[发明专利]一种谐振器封装结构及方法-CN202211403973.0在审
发明人：高超;蔡耀;邹杨;詹道栋;林炳辉;王雅馨;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：一种谐振器封装结构及方法，涉及集成电路封装技术领域，该谐振器封装方法包括：提供谐振器，谐振器的顶电极图案上设置有第一键合层；提供封装晶圆，封装晶圆的第一衬底上设置有第二键合层和IPD结构，IPD结构与第二键合层连接；将第一键合层和第二键合层键合，以使谐振器和封装晶圆键合。该谐振器封装结构及方法能够简化封装工艺，且具有性能调控的功能。
一种谐振器封装结构方法

[发明专利]一种体声波谐振器及其制备方法-CN202210553350.5在审
发明人：邹杨;蔡耀;詹道栋;王雅馨;龙开祥;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，本申请的体声波谐振器的制备方法，包括：在晶圆基底上形成压电薄膜层；在压电薄膜层上形成下电极，下电极的边缘通过连接段形成有第一平行翼，第一平行翼与压电薄膜层之间具有间隙；在形成下电极的压电薄膜层上形成支撑件，支撑件与压电薄膜层之间形成空腔，空腔与间隙连通；晶圆基底与衬底通过支撑件键合并去除晶圆基底；在压电薄膜层上形成上电极，上电极的边缘通过连接段连接形成有第二平行翼，上电极、压电薄膜层、下电极以及空腔在衬底上的投影具有重叠的有效谐振区域。本申请的体声波谐振器及其制备方法，能够有效反射横向波，提高体声波谐振器的Q值。
一种声波谐振器及其制备方法

[发明专利]一种谐振器及其制备方法-CN202210327335.9在审
发明人：蔡耀;林炳辉;邹杨;詹道栋;丁志鹏;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本申请提供一种谐振器及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法通过引入第一单晶衬底，便于在第一单晶衬底上外延出质量较好的单晶压电层，并且先对第一单晶衬底进行离子注入，从而在其内部一定深度处形成损伤层，从而在去除第一单晶衬底时，首先可以通过升温的方式，使得第一单晶衬底经过高温处理后，第一层和第二层在损伤层处发生分裂，从而先去掉第一单晶衬底的一部分，然后再通过减薄、刻蚀等方式去掉第一单晶衬底剩下的一部分，以此通过两次去除方式的配合，实现第一单晶衬底的快速去除，有效降低第一单晶衬底去除的难度。
一种谐振器及其制备方法

[实用新型]薄膜体声波谐振器及滤波器-CN202220304552.1有效
发明人：高超;赵坤丽;蔡耀;詹道栋;龙开祥;林炳辉;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：一种薄膜体声波谐振器及滤波器，涉及谐振器技术领域。该薄膜体声波谐振器包括基底以及依次设于基底上的下电极层、压电层和上电极层；其中，基底内具有谐振器的空腔结构，下电极层通过穿设于压电层内的引出金属引出至压电层靠近上电极层的一侧，基底内集成有电子元器件，电子元器件为电容或者电感。该薄膜体声波谐振器不需要在滤波器中预留与电感或电容相连接的电极板，也不会增加滤波器水平方向上的尺寸，可以减小器件体积。
薄膜声波谐振器滤波器

[发明专利]一种声表面波传感器及其制备方法-CN202210008827.1在审
发明人：林炳辉;刘炎;蔡耀;詹道栋;孙成亮;孙博文 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L41/047 文献下载
摘要：本发明公开了一种声表面波传感器及其制备方法，涉及传感器技术领域，本发明的声表面波传感器及其制备方法,包括在硅衬底上依次铺设的键合层、金属层和单晶压电薄膜层，单晶压电薄膜层上设置有叉指电极。本发明提供的声表面波传感器及其制备方法，能够提高声表面波传感器的灵敏度、增强机电耦合效应。
一种表面波传感器及其制备方法

[发明专利]一种薄膜声表面波谐振器及其制备方法-CN202210009135.9在审
发明人：林炳辉;刘炎;蔡耀;詹道栋;孙成亮;孙博文 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种薄膜声表面波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，该薄膜声表面波谐振器的制备方法包括：在单晶衬底上分别形成单晶压电薄膜层、平板电极层和第一键合材料层；在硅衬底上形成第二键合材料层；将第一键合材料层和第二键合材料层通过键合工艺以使得形成有第一键合材料层的单晶衬底与形成有第二键合材料层的硅衬底形成晶圆；通过刻蚀工艺去除晶圆一侧的单晶衬底以露出单晶压电薄膜层；在单晶压电薄膜层上分别形成叉指电极和反射栅，反射栅在硅衬底上的投影位于叉指电极在硅衬底上的投影的外侧。该薄膜声表面波谐振器及其制备方法能够制得单晶压电薄膜，并提高单晶压电薄膜的质量，同时，通过在单晶压电薄膜的下方增加平板电极，从而显著提高薄膜声表面波谐振器的性能。
一种薄膜表面波谐振器及其制备方法

1
共 14 条