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[实用新型]一种低温等离子体去除空气污染物单元装置-CN202222072827.6有效
发明人：薛刚;孔祥蔚;解新建;周晓萌;张晓东;王骞辰;岳鹏帅 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：本实用新型为一种低温等离子体去除空气污染物单元装置。该装置包括气体反应箱、低温等离子体线圈、线圈散热装置、高频低温等离子体发生装置、铁氧体磁环和电源适配器；所述气体反应箱的上部设置有进气口，下部设置有出气口，底部中心固定有低温等离子体放电线圈；线圈散热装置固定在气体反应箱下。本实用新型成体积小、结构简单组装灵活，可以有效根据污染物气体的条件选择合适单元组数量，安装使用灵活方便。
一种低温等离子体去除空气污染物单元装置

[实用新型]一种用于X射线衍射仪块体/薄片测定的压样器-CN202220180708.X有效
发明人：权力伟;解新建;赵彦明;陈学青 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本实用新型为一种用于X射线衍射仪块体/薄片测定的压样器。该压样器包括螺帽、压杆、套管、柱体、弧形连接柱、圆形压头、样品托台、台座和橡皮泥；所述的台座上的边缘设置有弧形连接柱，弧形连接柱的上端固定在柱体的外壁上，柱体套在压杆的杆体下部；压杆的下端与圆形压头连接，压杆的顶端安装有螺帽，柱体与螺帽之间的压杆的杆体上，还套有套管；本实用新型不仅能够测试大块样品，同时也能够准确放置微小块体或薄片，保证测试结果的精确性，同时能够达到操作极易、找平极快、制作简易、制样迅速的效果。
一种用于射线衍射块体薄片测定压样器

[发明专利]一种用于人工光合作用氮化镓串联CIGS的器件及其制备方法-CN202110539929.1有效
发明人：陈贵锋;李寰;张辉;刘靳恬;解新建;赵雅婕 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C25B11/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于人工光合作用的氮化镓串联CIGS的器件及其制备方法。所述器件自下而上依次有TCO层、ZnO层、CdS层、CIGS层、Mo层、In层、GaN层，n+‑GaN层、蓝宝石层。其制备步骤如下：在洁净的玻璃片上放置GaN薄膜，在GaN薄膜表层均匀放置In颗粒，放置完成之后，在In颗粒表面放置CIGS太阳能电池，按压平整，在表面放上清洗干净的玻璃皿，将其放入真空干燥箱中，抽真空，加热一段时间，冷却到室温，得到氮化镓串联CIGS的器件。本发明的器件相对于Si基GaN器件，节能环保,且工艺简单。使用本发明作为阳极进行光合作用，具有光电流密度大，阴极电势高的优点，并且具有较强的光吸收系数，有利于解决新能源的开发利用以及对CO2带来环境问题的治理。
一种用于人工光合作用氮化串联 cigs 器件及其制备方法

[实用新型]一种用于X射线衍射仪的原位测试CR2032电池材料的样品架-CN202121006078.6有效
发明人： 解新建;权力伟;郑士建 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G01N23/20025 文献下载
摘要：本实用新型为一种用于X射线衍射仪的原位测试CR2032电池材料的样品架。该样品架包括电池夹具移动座和电池夹具移动座的固定座。所述的电池夹具移动座的组成包括电池正极引出端、固定弹簧、电池正极固定块、电池负极、电池负极引出端；所述的电池夹具移动座的固定座包括螺栓、CR2032电池夹具移动座夹片、基座。本实用新型中，CR2032电池夹具移动座固定电池，电池夹具移动座被固定在电池夹具移动座的固定座上，进而能够直接将CR2032纽扣电池固定好从而进行充放电过程的原位X射线衍射测试。
一种用于射线衍射原位测试 cr2032 电池材料样品

[发明专利]一种用于人工光合作用的氮化物基器件及其制备方法-CN202110896321.4在审
发明人：陈贵锋;刘靳恬;张辉;解新建 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于人工光合作用的氮化物基器件及其制备方法。该器件自下而上为蓝宝石衬底，n+‑GaN层，AlGaN层，Cu基助催剂保护层。其制备过程如下：首先在蓝宝石衬底上生长n型GaN层，再在n型GaN层上利用分子束外延技术生长AlGaN层，再通过刻蚀方法刻蚀部分AlGaN层，在刻蚀掉的位置上通过蒸镀方法制备欧姆接触，利用掩模版将欧姆接触掩盖，通过旋涂法旋涂Cu基助催剂作为保护层，然后在真空管式炉中300℃下退火30min，自然冷却到室温后取出，获得具有保护层的氮化物器件。本发明的氮化物器件具有较高的吸收系数、良好的耐腐蚀性，可作为一种光阳极材料应于于人工光合作用中，对减少空气中二氧化碳浓度以及能源的开发具有重要意义。
一种用于人工光合作用氮化物器件及其制备方法

[发明专利]用于人工光合作用的氮化镓基器件及其制备方法-CN201811200267.X有效
发明人：陈贵锋;刘巍;马苗苗;张辉;解新建;李媛;陶俊光;刘国栋 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于人工光合作用的氮化镓基器件，自下而上有金属衬底(Cu、In、Sn、Ag、Au、Pb、Cd等)、n+‑GaN、InGaN层、其制备步骤如下：在n型重掺的GaN层上利用分子束外延技术生长InGaN层，再将获得的GaN基外延片用物理或者化学方法(如键合、倒装焊、导电胶等)与金属衬底上粘合在一起，使得GaN基电池中的电子可以顺利导入到金属基板上，获得用于人工光合作用的氮化镓器件。本发明的氮化镓器件具有吸收系数高、电子空穴分离效率高、电流均匀性好的优点，可作为光阳极材料用于人工光合作用中，对减少二氧化碳排放以及新能源的开发利用具有非常重要意义。
用于人工光合作用氮化器件及其制备方法

[发明专利]一种可优化表面平整度的氮化铝单晶薄膜制备方法-CN201911373618.1有效
发明人：陈贵锋;谢路肖;张辉;张银;解新建;刘国栋 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明属于半导体薄膜材料技术领域，公开了一种可优化表面平整度的氮化铝单晶薄膜制备方法，该方法是以氮气为氮源，以铝颗粒作为铝源，在异质衬底上基于特制装置制得，整个制备过程分为五个阶段：首先控制源区和生长区同时加热至400～500℃，保温10～20分钟，接着控制源区温度升至1100～1400℃，生长区温度保持，保温10～20分钟，紧接着控制生长区温度升至1100～1200℃，源区温度不变，保温生长5～10分钟，紧接着源区温度1300～1400℃，生长区升温至1350～1550℃，保温1～3小时，各过程中调控氩气、氮气的通入比例，最后关闭氩气，冷却至室温后取出样品。本发明的方法生长氮化铝单晶薄膜不仅结晶质量高，表面较为平整且可获得自支撑薄膜，而且还具有成本低、生长速度快、无危险气体、绿色环保等优点。
一种优化表面平整氮化铝单晶薄膜制备方法

[发明专利]卤化物为缓冲层的金属硫属化合物半导体材料的掺杂方法-CN201910059719.5有效
发明人：王维华;吴茂坤;卢峰;刘晖;程雅慧;王卫超;董红;解新建 -专利权人：南开大学
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/383 文献下载
摘要：卤化物为缓冲层的金属硫属化合物半导体材料的掺杂方法，所述的金属硫属化合物为过渡金属硫族化物，所述金属卤化物为MX3(M为金属，X为卤族元素)，用二维材料MX3为缓冲层，以卤族元素原子、碱金属原子或碱土金属原子为掺杂原子。
卤化物缓冲金属化合物半导体材料掺杂方法

[实用新型]可置入型负离子空气净化杀菌装置-CN202020615561.3有效
发明人：薛刚;解新建;邓芹婷;袁野;任永辉;吴广炫;赵笠彤 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： F24F3/16 文献下载
摘要：本实用新型采取为一种可置入型负离子空气净化杀菌装置。该装置的组成包括空气净化器外壳、空气净化器滤芯、滤网、网孔塑料筒、金属环、固定尖端、整流滤波器、震荡分压器、空气净化器底座和风扇；所述的空气净化器底座上设置有网孔塑料筒，网孔塑料筒外套有滤网，滤网外套有空气净化器滤芯；所述的网孔塑料筒、滤网和空气净化器滤芯均为圆筒状；网孔塑料筒顶端固定有金属环，金属环上均匀间隔设置有固定尖端。本实用新型节约成本，增加功效，可以直接安装到已有的空气净化器里，使原有的净化器具有空气净化杀菌功能，既使原有的空气净化器不被淘汰，又减少了家庭的开支。
置入负离子空气净化杀菌装置

[发明专利]一种氮化铝单晶薄膜的制备方法-CN201910621097.0有效
发明人：陈贵锋;谢路肖;张辉;张银;解新建;刘国栋 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明属于半导体薄膜材料技术领域，公开了一种氮化铝单晶薄膜的制备方法，该方法是以氮气为氮源，以铝颗粒作为铝源，在异质衬底上基于特制装置制备单晶薄膜氮化铝，整个制备过程分为三个阶段：首先控制源区和生长区同时加热至700‑900℃，保温，再控制源区温度升至1100～1400℃，生长区温度升至1000‑1200℃，保温，再控制生长区温度升至1250～1550℃，保温生长，冷却至室温后取出样品，所述的异质衬底为生长有氮化镓的蓝宝石。本发明的方法生长氮化铝单晶薄膜不仅结晶质量高，可获得自支撑薄膜，而且还具有成本低、生长速度快、无危险气体、绿色环保等优点。
一种氮化铝单晶薄膜制备方法

[发明专利]一种恢复NTD区熔单晶硅真实电阻率的退火方法-CN201710827866.3有效
发明人：肖武坤;刘巍;张辉;罗文博;解新建;张雪囡;陈贵锋 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种恢复NTD区熔单晶硅真实电阻率的退火方法，包括如下步骤：A、对中子辐照掺杂后的区熔硅单晶进行腐蚀清洗表面；B、将清洗干净的硅单晶进行表面钝化处理；C、将钝化处理后的硅单晶装进通入氮气氛围的退火炉石英管中，进行较快速率的退火处理；D、关闭氮气流量阀，开启氧气流量阀，对单晶进行退火处理；E、关闭氧气流量阀，从石英管中取出硅单晶，酸洗去除氧化层，再喷砂测试单晶电阻率及少子寿命。通过本发明方法退火后的NTD区熔硅单晶，可以有效的反应出电阻率的真实值，并且经过多次退火，单晶电阻率不会发生较明显的改变，并且单晶的少子寿命得到明显的提高。
一种恢复 ntd 单晶硅真实电阻率退火方法

[发明专利]用于人工光合作用的氮化镓基器件及其制备方法-CN201711065150.0有效
发明人：陈贵锋;马苗苗;张辉;解新建;陆书龙 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01M14/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于人工光合作用的氮化镓基器件，自下而上有玻璃衬底、钼层、CIGS层、CdS层、本征ZnO层、TCO层、键合界面层、GaN层、InGaN层、NiO纳米颗粒层。其制备步骤如下：在玻璃衬底上沉积钼层，在其上共蒸发生长CIGS层，再依次沉积CdS层、ZnO层、TCO层；在GaN衬底上生长InGaN层；通过键合技术将GaN衬底键合于TCO层上，再在InGaN层表面生长NiO纳米颗粒层，获得用于人工光合作用的氮化镓基器件。本发明的氮化镓基器件具有吸收系数高、电流易调整且稳定性高的优点，可作为光阳极材料用于人工光合作用中，对减少二氧化碳排放以及新能源的开发利用具有非常重要的意义。
用于人工光合作用氮化器件及其制备方法

[发明专利]一种用于电化学析氢的掺钨二氧化钒纳米棒/二硫化钼复合材料及其制备方法-CN201710846703.X有效
发明人：陈贵锋;张小强;陶俊光;张辉;解新建 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于电化学析氢的掺钨二氧化钒纳米棒/二硫化钼复合材料及其制备方法。本发明采用两步水热法，首先用水热法制备出掺钨的二氧化钒纳米棒，然后在硫酸中改性，最后以硫酸为溶剂，将改性的掺钨二氧化钒纳米棒与二水合钼酸钠和硫脲进行水热反应，达到复合目的。通过二氧化钒的相变特性对二硫化钼施加应力，以促进材料析氢性能。本发明制备工艺简单，成本低廉，所制备的掺钨二氧化钒纳米棒/二硫化钼复合材料具有优异的电化学析氢性能。
掺钨二氧化钒二硫化钼纳米棒析氢电化学复合材料制备改性硫酸二氧化钒纳米棒二水合钼酸钠发明制备工艺促进材料二氧化钒水热反应相变特性水热法溶剂硫脲复合施加

[发明专利]一种氮化铝单晶晶须的制备方法-CN201811615921.3在审
发明人：陈贵锋;崔起源;张辉;解新建;谢路肖 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝单晶晶须的制备方法，步骤如下：将高纯铝颗粒加入到刚玉舟中，与衬底一同放入氢化物气相外延设备的反应室，分别置于源区和生长区；抽真空后，控制源区温度为1400℃，生长区温度为1550℃，氩气为载气，氮气为氮源，在衬底上进行氮化铝晶须的制备，生长时间在40～90min；结束生长后，降至室温，取出样品，衬底表面有一层白色沉积物即为氮化铝单晶晶须。此方法生长氮化铝单晶晶须结晶质量高，且该方法具有操作简单，成本低，效率高，无危险气体等优点。
单晶晶须氮化铝制备生长区衬底生长氢化物气相外延氮气白色沉积物氮化铝晶须氩气衬底表面抽真空反应室高纯铝控制源无危险氮源放入刚玉源区载气取出

[实用新型]一种用于进行高温光致发光谱测量的样品台-CN201820511579.1有效
发明人：梁李敏;解新建;张兴华 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本实用新型为一种用于进行高温光致发光谱测量的样品台，所述的样品台包括装样台、样品盖、样品支架和保温套；装样台为竖直放置的圆盘，其左侧中心同轴设置有圆形凹槽；样品盖为装有石英玻璃的中空样品盖，通过螺纹连接盖在样品凹槽上；装样台的右侧凹槽内，设置有热电偶；热电偶的外面，贴合放置圆形加热片，圆形加热片的中心与反Z型样品支架的一端相连；装样台固定于中空圆柱型保温套中。本实用新型样品台便于对装样台进行局部加热，可以用于测量室温到300℃的光致发光吸收谱，设定温度和实际样品温度的温度误差在1℃以内。
装样样品盖样品台圆形加热片光谱测量样品支架保温套热电偶本实用新型中空圆柱型测量室温光致发光局部加热螺纹连接石英玻璃实际样品竖直放置贴合放置温度误差样品凹槽圆形凹槽中心同轴吸收谱中空对装

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