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[发明专利]钌蚀刻液组合物、使用其的图案形成方法和阵列基板制造方法以及由此制造的阵列基板-CN202310178446.2在审
发明人：金志原;鲁珍圭;尹嚆重;朴汉雨;成旼哉;金秀珍;吴政玟;裵相元 -专利权人：东友精细化工有限公司;三星电子株式会社
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有高碘酸和铵离子且具有6至7.5的pH值的钌蚀刻液组合物、一种包括使用该蚀刻液组合物来蚀刻钌金属膜的图案形成方法、一种包括该图案形成方法的制造用于显示装置的阵列基板的方法、以及一种根据该制造方法制造的用于显示装置的阵列基板。
蚀刻组合使用图案形成方法阵列制造以及由此

[发明专利]锂二次电池用负极活性物质及包含其的锂二次电池-CN202310042596.0在审
发明人：李容锡;金在蓝;裵相元;宋研和;严基主;李明鲁;李宰荣;张铉重 -专利权人： SK新能源株式会社
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种锂二次电池用负极活性物质及包含其的锂二次电池。锂二次电池用负极活性物质包含碳系活性物质及包括具有1μm至19μm范围内的粒度分布的硅系活性物质颗粒的硅系活性物质。能够改善锂二次电池的常温寿命特性及快速充放电特性。
二次电池负极活性物质包含

[发明专利]从含金属抗蚀剂去除边缘珠的组合物及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法-CN202210794402.8在审
发明人：李旻映;文炯朗;许伦旼;金旼秀;金荣权;金宰贤;禹昌秀;崔正敏;高武铉;金贞儿;都星安;裵相元;韩勋;洪锡九 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物，及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法。该从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物包含有机溶剂、以及被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中该七角环化合物在该环中具有至少两个双键。
金属抗蚀剂去除边缘组合包括使用步骤形成图案方法

[发明专利]含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法-CN202210793674.6在审
发明人：许伦旼;文炯朗;李旻映;金旼秀;金荣权;金宰贤;禹昌秀;崔正敏;高武铉;金贞儿;都星安;裵相元;韩勋;洪锡九 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物，以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法。该含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物包含有机溶剂和被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中七角环化合物在环中具有至少两个双键。
金属光致抗蚀剂显影剂组合以及包括使用进行显影步骤形成图案方法

[发明专利]蚀刻组合物和通过使用其制造半导体器件的方法-CN201711203216.8有效
发明人：李孝善;金澔永;裵相元;金珉久;林廷训;崔容在 -专利权人：三星电子株式会社;秀博瑞殷株式公社
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：公开蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物从包括氮化钛(TiN)膜和氮化钽(TaN)膜的堆叠的导电膜结构选择性地除去氮化钛膜。配置用于蚀刻氮化钛(TiN)的所述蚀刻组合物包括相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％‑30重量％的过氧化氢、15重量％‑50重量％的酸化合物、和0.001重量％‑5重量％的腐蚀抑制剂，其中所述酸化合物包括如下的至少一种：磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、盐酸(HCl)、氢碘酸(HI)、氢溴酸(HBr)、高氯酸(HClO4)、硅酸(H2SiO3)、硼酸(H3BO3)、乙酸(CH3COOH)、丙酸(C2H5COOH)、乳酸(CH3CH(OH)COOH)、和乙醇酸(HOCH2COOH)。
蚀刻组合通过使用制造半导体器件方法

[发明专利]用于锂二次电池的阴极组合物及使用其制造的锂二次电池-CN202210652698.X在审
发明人：李容锡;金在蓝;金正焕;闵载鈗;裵相元;李明鲁;李宰荣;张铉重 -专利权人： SK新能源株式会社
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及用于锂二次电池的阴极组合物及使用其制造的锂二次电池。该用于锂二次电池的阴极组合物包括阴极活性材料和导电材料，所述阴极活性材料包括具有次级粒子形态的第一阴极活性材料粒子和具有单粒子形态的第二阴极活性材料粒子，所述导电材料包括线型导电材料。提供了一种具有增强的使用寿命和电阻特性的锂二次电池。
用于二次电池阴极组合使用制造

[发明专利]二次电池用负极及包括其的锂二次电池-CN202210011616.3在审
发明人：李容锡;闵载鈗;金在蓝;金正焕;裵相元;裵芝希;李明鲁;李宰荣 -专利权人： SK新能源株式会社
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：一种二次电池用负极，其包括负极集流体和负极活性物质层，该负极活性物质层包括从负极集流体的表面起顺序堆叠的第一负极活性物质层和第二负极活性物质层。第一负极活性物质层和第二负极活性物质层中的每一个均包括作为负极活性物质的碳基活性物质和作为负极活性物质的硅基活性物质，以及作为导电材料的碳纳米管。第二负极活性物质层中的硅基活性物质的含量大于第一负极活性物质层中的硅基活性物质的含量。包含于第二负极活性物质层中的碳纳米管的拉曼R值小于包含于第一负极活性物质层中的碳纳米管的拉曼R值。
二次电池负极包括

[发明专利]锂二次电池用正极及包括该正极的锂二次电池-CN202210219806.4在审
发明人：李容锡;金在蓝;金正焕;闵载鈗;裵相元;裵芝希;李明鲁;李宰荣 -专利权人： SK新能源株式会社
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01M4/133 文献下载
摘要：本发明的锂二次电池用正极包括：集流体；以及正极活性物质层，其位于所述集流体上，并含有正极活性物质和碳纳米管，其中，所述碳纳米管的拉曼光谱上的D带的峰强度除以G带的峰强度的比ID/IG为0.10以下。
二次电池正极包括

[发明专利]二次电池用负极及包括其的二次电池-CN202111199312.6在审
发明人：裵芝希;金在蓝;金正焕;闵载鈗;裵相元;李明鲁;李容锡 -专利权人： SK新技术株式会社
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01M4/133 文献下载
摘要：本发明提供了一种二次电池用负极，其包括负极集流体和形成于所述负极集流体上的负极活性物质层，所述负极活性物质层包括硅基活性物质和包括单壁碳纳米管的导电物质，其中所述单壁碳纳米管的拉曼R值(D带峰值强度(Id)/G带峰值强度(Ig))为0.01至0.1。
二次电池负极包括

[发明专利]锂二次电池-CN202110821590.4在审
发明人：裵芝希;金正焕;李容锡;闵载鈗;裵相元;李明鲁 -专利权人： SK新技术株式会社
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂二次电池，其包括负极，该负极包括负极集流体和形成于其上的负极活性物质层，该负极活性物质层包括丙烯酰基粘合剂；与该负极相对的正极；电连接至该负极的负极极耳；和电连接至该正极的正极极耳。丙烯酰基粘合剂的含量和正极极耳与负极极耳之间的距离满足预定的关系式，以提供具有改善的机械稳定性和电池性能的锂二次电池。
二次电池

[发明专利]二次电池及其制造方法-CN202080011665.6在审
发明人：李容锡;金正焕;裵相元;裵芝希;李明鲁 -专利权人： SK新技术株式会社
申请日： 2020-01-29 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01M4/139 文献下载
摘要：本发明的制造二次电池的方法包括以下步骤：a)在负极活性物质浆料中加入点型导电碳材料并进行混合以制备第一混合浆料；b)在所述第一混合浆料中加入线状导电碳材料的分散液并进行混合以制备第二混合浆料；以及c)将所述第二混合浆料涂覆在集流体上并进行压制以制造电极。
二次电池及其制造方法

[发明专利]锂二次电池-CN202110122241.3在审
发明人：李容锡;金正焕;裵相元;裵芝希;李明鲁;闵载鈗 -专利权人： SK新技术株式会社
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本发明的实施方案提供了一种锂二次电池，所述锂二次电池包括具有多层结构的阳极活性物质层，所述阳极活性物质层包括彼此具有不同含量的碳基活性物质，从而改善了机械稳定性和电池性能。
二次电池

[发明专利]锂二次电池-CN202010409011.0在审
发明人：李容锡;金正焕;李明鲁;裵相元;裵芝希 -专利权人： SK新技术株式会社
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01M10/052 文献下载
摘要：本发明的实施方案的锂二次电池包含：正极；隔膜；以及负极，所述负极与所述正极之间夹着隔膜并面向彼此，所述负极包含负极集流体和形成在负极集流体上的负极活性物质层。负极活性物质层包含第一负极活性物质层和第二负极活性物质层，所述第一负极活性物质层形成在负极集流体上，并且包含第一负极活性物质和含有苯乙烯‑丁二烯橡胶(SBR)类粘合剂的第一负极粘合剂，所述第二负极活性物质层形成在第一负极活性物质层上，并且包含第二负极活性物质和含有丙烯酸类粘合剂的第二负极粘合剂。第一负极活性物质和第二负极活性物质各自包含硅类活性物质和石墨类活性物质，并且相对于100重量份的所述石墨类活性物质，包含2‑9.5重量份的硅。
二次电池

[发明专利]用于控制抛光均匀性的化学机械抛光装置-CN201910948775.4在审
发明人：金仁权;朴承浩;裵相元;李愚仁;李晓山;张善载 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：一种化学机械抛光(CMP)装置包括：抛光台板上的抛光垫；抛光垫上的抛光头，该抛光头具有用于将晶片保持在抛光垫上的隔膜、以及用于馈送抛光浆料的抛光浆料馈送线；以及保持环，围绕隔膜并与抛光垫接触以防止晶片脱离，该保持环包括连接到抛光浆料馈送线的抛光浆料馈送入口，以将抛光浆料馈送到抛光垫上。
用于控制抛光均匀化学机械抛光装置

[发明专利]垂直型非易失性存储器件及其制造方法-CN201010299123.1有效
发明人：金伶厚;李晓山;裵相元;尹普彦;李根泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直型非易失性存储器件及其制造方法。在该垂直型非易失性存储器件中，绝缘层图案设置在衬底上，该绝缘层图案具有线形状。单晶半导体图案设置在衬底上以接触绝缘层图案的两个侧壁，单晶半导体图案具有在关于衬底的垂直方向上延伸的柱形。隧穿氧化物层设置在单晶半导体图案上。下电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在衬底上。多个绝缘中间层图案设置在下电极层图案上，绝缘中间层图案沿单晶半导体图案彼此间隔开一距离。电荷俘获层和阻挡电介质层依次形成在绝缘中间层图案之间的隧穿氧化物层上。多个控制栅极图案设置在绝缘中间层图案之间的阻挡电介质层上。上电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在绝缘中间层图案的最上部上。
垂直非易失性存储器及其制造方法

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