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[发明专利]单晶制造装置-CN201810132067.9在审
发明人：干川圭吾;藤原靖幸;小浜惠一;中西真二;小林拓实;大叶悦子 -专利权人：不二越机械工业株式会社;国立大学法人信州大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提供实现发热体的长寿命化、实现成本的降低化的单晶制造装置。本发明的单晶制造装置(10)是在氧化气氛中制造金属氧化物的单晶的单晶制造装置(10)，其具备：基体(12)；配设在该基体(12)上的具有耐热性的筒状的炉主体(14)；将该炉主体(14)封闭的盖体(16)；配设于炉主体(14)内的发热体(20)；利用高频感应加热对该发热体(20)进行加热的高频线圈(22)；以及由发热体(20)进行加热的坩埚(28)，单晶制造装置(10)的特征在于，发热体(20)由Pt系合金构成，在整个面上施有氧化锆涂层。
单晶制造装置发热体炉主体加热耐热性高频感应加热金属氧化物氧化锆涂层高频线圈氧化气氛长寿命单晶盖体筒状坩埚合金封闭制造

[发明专利]n型SiC单晶的制造方法、由此得到的n型SiC单晶及其应用-CN201080008632.2有效
发明人：关章宪;藤原靖幸 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2010-02-18 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种制造n型SiC单晶的方法，所述方法包括：在SiC单晶的晶体生长期间，添加用于获得n型半导体的施主元素氮、以及镓，使得以atm单位表示的氮量大于以atm单位表示的镓量；一种根据这种制造方法得到的n型SiC单晶；以及包括所述n型SiC单晶的半导体器件。
sic 制造方法由此得到及其应用

[发明专利]制造SiC单晶的方法-CN201080003461.4有效
发明人：坂元秀光;大黑宽典;藤原靖幸 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C30B9/06 文献下载
摘要：在制造SiC单晶的方法中，通过使SiC晶种与溶液接触从而在所述SiC晶种上生长SiC单晶，所述SiC晶种被固定至可旋转的晶种固定轴，所述溶液通过在可旋转的坩埚内将碳溶于含硅的熔融液中而制得。所述方法包括：开始晶种固定轴的旋转，并在预定的延迟时间(Td)之后开始坩埚的旋转；然后同时停止该晶种固定轴的旋转和该坩埚的旋转；然后将该晶种固定轴和该坩埚停止预定的停止时间(Ts)；并重复旋转/停止循环。
制造 sic 方法

[发明专利]使用熔液法的单晶生长用籽晶轴-CN200980100137.1有效
发明人：坂元秀光;藤原靖幸 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2009-07-21 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本发明提供可防止或抑制使用熔液法的多晶的生成且以高的生长速度使单晶生长的使用熔液法的结晶生长用籽晶轴。本发明的使用熔液法的单晶生长用籽晶轴，是被用于使用熔液法的单晶制造装置的籽晶轴，是在籽晶支持部件上介有下述碳片接合籽晶而成的，所述碳片在与原料熔液的熔液面垂直的方向具有高导热性，并且它是通过粘合剂层叠了多片的碳制薄膜的叠层碳片、将以格子状配置了层叠方向不同的多个小片的叠层碳片、将碳制带从中心卷绕成同心圆状的卷绕型碳片、或者将厚度不同的多个碳制带以从中心趋向外周厚度变厚的方式进行了层叠卷绕的叠层卷绕型碳片。
使用熔液法生长籽晶

[发明专利]使碳化硅单晶生长的方法-CN200980102202.4有效
发明人：寺岛由纪夫;藤原靖幸 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：通过使碳化硅单晶基底与含C的溶液接触而使碳化硅单晶在该基底上生长的方法，所述含C的溶液是通过使C溶解到含Cr和由Ce和Nd中的至少一种元素构成的X的熔体中而制备的，使得Cr在该熔体整个组成中的比例为30至70原子％，且X在该熔体整个组成中的比例在X是Ce的情况下为0.5原子％至20原子％或者在X是Nd的情况下为1原子％至25原子％，并使碳化硅单晶从该溶液中生长。
碳化硅生长方法

[发明专利]用于生长碳化硅单晶的方法-CN200980102150.0有效
发明人：寺岛由纪夫;藤原靖幸 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种通过使碳化硅单晶衬底与包含C的溶液接触而用于在所述衬底上生长碳化硅单晶的方法，所述包含C的溶液通过将C溶入到包含Si、Cr和X的熔体中来制备，X由Sn、In和Ga中的至少一种元素组成，使得熔体的总组成中Cr的比例为30至70原子％，并且X的比例为1至25原子％，以及由所述溶液生长碳化硅单晶。
用于生长碳化硅方法

[发明专利]碳化硅单晶的生长方法-CN200880025381.1有效
发明人：寺岛由纪夫;藤原靖幸 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2008-11-18 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种碳化硅单晶的生长方法，使碳化硅单晶与在石墨坩埚内被加热的熔化了Si的熔融液接触从而使碳化硅单晶在单晶基板上生长，该生长方法的特征在于，使碳化硅单晶从向所述熔融液内添加了Cr和X(X为Ni和Co之中的至少一种)元素的Si-Cr-X-C熔融液析出和生长，作为总组成中的Cr和X元素的比例为下述范围：Cr为30～70原子％、X为1～25原子％。可实现溶液法的晶体生长层表面的形态的提高。
碳化硅生长方法