“蔡柏豪”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果88个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN202010084354.4有效
发明人： 蔡柏豪;林孟良;庄博尧;翁得期;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开一些实施例提供一种封装结构及一种形成封装结构的方法。所述方法包括在承载基板之上形成重分布结构以及将半导体晶粒放置在重分布结构之上。所述方法还包括将中介层基板堆叠在重分布结构之上。中介层基板延伸跨越半导体晶粒的边缘。所述方法还包括将一或多个装置元件放置在中介层基板之上。此外，所述方法还包括形成包围半导体晶粒的保护层。
封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810937666.8有效
发明人： 蔡柏豪;庄博尧;郑心圃;翁得期 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了半导体器件和制造方法，从而将中介片和第一半导体器件放置在载体衬底上并且被密封。中介片包括第一部分和远离第一部分延伸的导电柱。位于密封剂的第一侧上的再分布层将导电柱电连接至第一半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910103536.9有效
发明人： 蔡柏豪;翁得期;庄博尧;郑心圃;周孟纬;林孟良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：此处提供形成扇出封装的结构与方法。此处所述的封装包括空腔基板、一或多个半导体装置位于空腔基板的空腔中、以及一或多个重布线结构。实施例包含预先形成于空腔基板中的空腔。多种装置如集成电路晶粒、封装、或类似物可放置在空腔中。亦可形成重布线结构。
半导体结构形成方法

[发明专利]集成电路封装件和方法-CN201910305554.5有效
发明人： 蔡柏豪;翁得期;周孟纬;林孟良;庄博尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种封装件包括：第一再分布结构；第一集成电路管芯，连接到第一再分布结构；环形衬底，环绕第一集成电路管芯，环形衬底连接到第一再分布结构，环形衬底包括芯和延伸穿过芯的导电通孔；围绕环形衬底和第一集成电路管芯的密封剂，密封剂延伸穿过环形衬底；在密封剂上的第二再分布结构，第二再分布结构通过环形衬底的导电通孔连接到第一再分布结构。本发明实施例涉及集成电路封装件和方法。
集成电路封装方法

[实用新型]半导体结构-CN202222446645.0有效
发明人：赖彦锟;吴逸文;张国钦;蔡柏豪;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体结构。半导体裸片可以包括位于内连线级介电材料层内的金属内连线结构、位于最顶部内连线级介电材料层上的接合垫、位于最顶部内连线级介电材料层上的介电钝化层以及延伸穿过介电钝化层且位于接合垫上的金属凸块结构。每个金属凸块结构包括具轮廓的底面，此底面包括与接合垫的相应一者的顶面接触的最底面段、与穿过介电钝化层的相应开口的锥形侧壁接触的锥形表面段以及覆盖介电钝化层且具有从外周缘横向向内偏移一横向偏移距离的环形表面段，横向偏移距离为接合垫的相应下方一者的宽度的至少8％。
半导体结构

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN202210806346.5在审
发明人：陈冠宏;许鸿生;蔡柏豪;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种封装结构及其形成方法，该方法包括：形成多个介电层；形成包括多个金属层的密封环的下部，每个金属层延伸到多个介电层之一中；在多个介电层上方沉积第一钝化层；在第一钝化层中形成开口；在开口中形成通孔环并物理接触密封环的下部；以及在第一钝化层上方形成金属环并接合至通孔环。通孔环和金属环形成密封环的上部。金属环包括具有Z字形图案的第一边缘部分。该方法还包括在金属环上形成第二钝化层，并且执行切割工艺以形成器件管芯，其中密封环靠近器件管芯的边缘。
封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体封装结构及其形成方法-CN202210945674.3在审
发明人：张能杰;蔡柏豪;郑明达;吕文雄;刘旭伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括导电垫层，形成于基板之上；钝化层，形成于导电垫层之上；第一导孔结构，形成穿过钝化层并接触导电垫层；第一封装材料，包围第一导孔结构；以及重分布层结构，形成于第一导孔结构之上，第一导孔结构具有横向延伸部分，埋藏于第一封装材料靠近第一导孔结构的顶表面。
半导体封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201711192001.0有效
发明人：林俊成;郑礼辉;蔡柏豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本揭露关于半导体装置和其制造方法。本发明的一些实施例揭露一种半导体装置，其包含衬底、电导体及钝化层。所述电导体中的每一者包含穿过所述衬底的第一部分，及位于所述衬底的表面上方且连接到所述第一部分的第二部分。所述钝化层位于所述衬底的所述表面上方，其中所述钝化层部分地覆盖所述电导体中的每一者的所述第二部分的边缘。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体封装结构及其形成方法-CN202210943803.5在审
发明人： 蔡柏豪;林威宏;郑明达;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装结构及其形成方法，半导体封装结构包括通过核心基板形成的多个第一通孔结构。所述结构也包括嵌入核心基板中且位于第一通孔结构之间的中介层。中介层包括通过中介层基板形成的多个第二通孔结构。所述结构也包括形成在核心基板之上的第一重分布层结构。所述结构也包括形成在核心基板之下的第二重分布层结构。所述结构也包括形成在中介层的侧壁与核心基板的侧壁之间的第一密封层。
半导体封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置结构及其形成方法-CN202210937957.3在审
发明人：郑明达;林威宏;黄晖闵;薛长荣;蔡柏豪;林永胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包括互连结构，在半导体基底的上方。半导体装置结构包括导体柱，在互连结构的上方。导体柱具有突出部，其向半导体基底延伸。半导体装置结构包括上导体导孔，在导体柱与互连结构之间。以第一距离横向分离上导体导孔的中心与突出部的中心。半导体装置结构包括下导体导孔，在上导体导孔与互连结构之间。下导体导孔经由上导体导孔而电性连接于导体柱。以第二距离横向分离下导体导孔的中心与突出部的中心，第二距离短于第一距离。
半导体装置结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN202210811825.6在审
发明人：赖彦锟;吴逸文;张国钦;蔡柏豪;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了半导体器件和制造半导体器件的方法，制造半导体器件的方法包括：在顶部再分布结构上方沉积第一钝化层，顶部再分布结构位于半导体管芯上方；在第一钝化层上方沉积第二钝化层；形成穿过第二钝化层的第一开口，第一开口具有垂直于第一钝化层的侧壁；将第一开口再成形为第二开口，其中，第二开口具有相对于第一钝化层的喇叭形侧壁；形成穿过第一钝化层的第三开口，其中，第三开口具有与喇叭形侧壁不同的斜率；以及用导电材料填充第二开口和第三开口。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN201610843821.0有效
发明人：郑礼辉;林俊成;蔡柏豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供一种半导体封装及半导体封装的制造方法。所述半导体封装包括：重布线层、位在重布线层上的至少一管芯、位在重布线层上且于管芯旁侧的贯穿层间通孔以及包覆设置于重布线层上的管芯及贯穿层间通孔的模塑料体。所述半导体封装具有连接至贯穿层间通孔的连接结构，以及覆盖模塑料体与管芯的保护膜。其保护膜系由印刷工艺所形成。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体芯片封装结构-CN202210979694.2在审
发明人：林俊成;蔡柏豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：提供芯片封装结构，芯片封装结构包含重布线结构，重布线结构包含介电结构和在介电结构中的接地线，接地线包含主要部分和连接至主要部分且从介电结构横向露出的末端扩大部分。芯片封装结构包含芯片结构位于重布线结构上方。芯片封装结构包含导电屏蔽膜设置于芯片结构和末端扩大部分的第一侧壁上方，导电屏蔽膜电性连接至接地线，末端扩大部分的厚度从主要部分增加至导电屏蔽膜。
半导体芯片封装结构

[发明专利]形成芯片封装体的方法-CN201810306349.6有效
发明人：郑心圃;蔡柏豪;庄博尧;许峯诚;陈硕懋;翁得期 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供形成芯片封装体的方法。方法包括将芯片置于再布线结构上。再布线结构包括第一绝缘层与第一线路层，且第一线路层位于第一绝缘层中并电性连接至芯片。方法亦包括经由导电结构将中介基板接合至再布线结构。芯片位于中介基板与再布线结构之间。中介基板具有与再布线结构相邻的凹陷。芯片的第一部分位于凹陷中。中介基板包括基板与导电通孔结构，且导电通孔结构穿过基板并经由导电结构电性连接至第一线路层。
形成芯片封装方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910753783.3有效
发明人： 蔡柏豪;庄博尧;游明志;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：一种器件包括再分布结构；第一半导体器件、第一天线和第一导电柱，位于再分布结构上并且电连接到再分布结构；天线结构，位于第一半导体器件上方，其中，天线结构包括与第一天线不同的第二天线，其中天线结构包括接合到第一导电柱的外部连接件，以及在天线结构和再分布结构之间延伸的模制材料，模制材料围绕第一半导体器件、第一天线、外部连接件和第一导电柱。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

1
2
3
4
5
6
下一页»
尾页
共 88 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top