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[实用新型]一种具有绞牙的盖体注塑模具-CN202222563777.1有效
发明人： 蔡景元;邓歌 -专利权人：东莞市康的电子科技有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B29C45/33 文献下载
摘要：本实用新型涉及模具技术领域，尤其是指一种具有绞牙的盖体注塑模具，包括固定座、芯轴结构、推板、斜推杆组、支撑板、后模板、后型腔板、前模板、前型腔板、注胶嘴及转动驱动机构，前模板设有注胶口，前型腔板设有前注胶流道及前腔，后型腔板设有后腔及后注胶流道，芯轴结构包括内螺纹套、外螺纹套、第一齿轮、内芯轴、转轴及第二齿轮，第一齿轮与第二齿轮啮合，转动驱动机构驱动转轴转动，外螺纹套的顶部设置螺旋绞牙，螺旋绞牙升降设置于后腔内，内芯轴设有斜推槽组；合模后，前腔、后腔、螺旋绞牙、内芯轴和斜推杆组围设成盖体成型腔。本申请能够生产出具有绞牙的盖体，便于盖体的脱模，提高了生产效率，降低了操作员的劳动强度和人工成本。
一种具有注塑模具

[实用新型]一种电源盒面盖注塑模具-CN202222563753.6有效
发明人： 蔡景元;邓歌 -专利权人：东莞市康的电子科技有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B29C45/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及注塑模具技术领域，尤其是指一种电源盒面盖注塑模具，包括固定座、注胶嘴、推板、后模板、后型腔板、模芯板、前型腔板、前模板、多个顶针、多个斜顶杆及四个围板，后模板与每个围板之间均设置有滑动锁止机构；前型腔板设有注胶流道，前型腔板设有合模腔，注胶嘴经由注胶流道与合模腔连通，合模腔设第一导斜面，围板设有第二导斜面，围板设有驱动斜孔，前型腔板设有四个驱动斜柱，模芯板设有多个斜顶孔；当前模板与后模板合模时，后型腔板、模芯板、前模腔板和四个围板围设成电源盒面盖成型腔。本申请能够生产出电源盒面盖，且四个围板能够跟随前模板的合模或开模而彼此靠拢或展开，便于电源盒面盖的脱模，提高了生产效率。
一种电源盒面盖注塑模具

[发明专利]发光元件-CN201610843667.7有效
发明人： 蔡景元;钟昕展;廖文禄 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件，包含发光叠层包含一有源层，并发出一光线；第一绝缘层具有第一折射率，该第一绝缘层位于该发光叠层上；第二绝缘层具有第二折射率，该第二绝缘层位于该第一绝缘层上；半导体层位于该发光叠层与该第一绝缘层之间，且对于该光线为透明；孔隙，穿透该第一绝缘层和该第二绝缘层；以及透明导电结构，对应于该孔隙的位置且与该半导体层接触；以及反射层位于该透明导电结构上；其中，该第二折射率介于1.4到1.8之间，且该第二折射率大于该第一折射率。
发光元件

[发明专利]一种微型发光元件及其制作方法-CN202010360418.9有效
发明人： 蔡景元;钟秉宪;吴俊毅 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型发光元件及其制作方法，利用临时衬底对砷化镓、磷化镓、磷化铟衬底制作的微型发光元件的外延结构进行转移，去除外延生长衬底后，再进行后续的微型发光元件的制备工艺，相对于传统的外延结构制备芯片结构的工艺，能够有效避免湿法腐蚀去除生长衬底时对外延侧面的腐蚀。
一种微型发光元件及其制作方法

[发明专利]一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法-CN202210269119.3在审
发明人：蒙成;蔡景元;吴俊毅 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其包括：（1）在一临时衬底的一面侧获得单元化的阵列式半导体发光元件，每一半导体发光元件包括一释放层，释放层具有水平的延伸部分位于每一半导体发光元件至少一侧并覆盖在临时衬底上；（2）制作支撑结构在每一半导体发光元件至少一侧，支撑结构的底部或侧壁与释放层水平的延伸部分接触式连接；（3）粘接一支撑基板在支撑结构的上方；（4）移除临时衬底，使释放层的水平延伸部分以及多个半导体发光元件的表面从同一侧被暴露，获得适于转移的支撑的半导体发光元件阵列。
一种制造适于转移半导体发光元件结构方法

[发明专利]一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法-CN201910551455.5有效
发明人：蒙成;蔡景元;吴俊毅 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其包括：（1）在一临时衬底的一面侧获得单元化的阵列式半导体发光元件，每一半导体发光元件包括一释放层，释放层具有水平的延伸部分位于每一半导体发光元件至少一侧并覆盖在临时衬底上；（2）制作支撑结构在每一半导体发光元件至少一侧，支撑结构的底部或侧壁与释放层水平的延伸部分接触式连接；（3）粘接一支撑基板在支撑结构的上方；（4）移除临时衬底，使释放层的水平延伸部分以及多个半导体发光元件的表面从同一侧被暴露，获得适于转移的支撑的半导体发光元件阵列。
一种制造适于转移半导体发光元件结构方法

[发明专利]一种微型发光元件及其制作方法-CN201810420831.2有效
发明人： 蔡景元;钟秉宪;吴俊毅 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型发光元件及其制作方法，利用临时衬底对砷化镓、磷化镓衬底制作的微型发光元件的外延结构进行转移，去除外延生长衬底后，再进行后续的微型发光元件的制备工艺，相对于传统的外延结构制备芯片结构的工艺，能够有效避免湿法腐蚀去除生长衬底时对外延侧面的腐蚀。
一种微型发光元件及其制作方法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201980000871.4在审
发明人： 蔡景元;吴俊毅;李福龙;王笃祥;吴超瑜;高文浩;刘晓峰;李维环;舒立明;刘超 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：一种发光二极管及其制作方法，其中该制作方法包括步骤：（1）提供一衬底（100），在该衬底（100）上形成外延结构，该外延结构包含第一半导体层（111）、AlGaInP有源层（112）、第二半导体层（113）和第三半导体层（114），所述第三半导体层（114）的材料为铝镓砷，厚度为30μm以上；（2）在所述外延结构之远离所述衬底（100）的一侧表面上制作第一电极（121）和第二电极（122），其中第一电极（121）电连接至第一半导体层（111）、第二电极（112）电连接至第二半导体层（113）；（3）去除该衬底（100），其中第三半导体层（114）支撑该外延叠层，确保其物理稳定性。
发光二极管及其制作方法

[实用新型]一种半导体发光元件-CN201920242200.6有效
发明人： 蔡景元;蒙成;郭桓邵;吴俊毅 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列包括第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层和两者之间的发光层；具有与第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极，与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极；其中第一类型导电性半导体层位于出光侧，所述第一类型导电性半导体层包括铝镓铟磷窗口层，铝镓铟磷窗口层作为第一电极接触的欧姆接触层并提供出光表面。
导电性半导体层半导体发光元件第一电极电性连接发光序列铝镓铟磷窗口层半导体欧姆接触层出光表面第二电极发光层

[实用新型]一种微型发光二极管器件-CN201821793190.7有效
发明人： 蔡景元;黄俊凯;吴俊毅 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种发光二极管外延结构，其包括外延衬底、外延衬底上的外延半导体层叠结构、设置于外延半导体层叠结构上的热分解层，半导体层叠结构包括第一类型导电性半导体层、发光层和第二类型导电性半导体层；以及一种微型发光二极管器件，包括：支撑基板、支撑基板上的热分解层、热分解层上支撑的微发光二极管单元；微发光二极管单元包括第一类型导电性半导体层、发光层和第二类型导电性半导体层，以及第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极和与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极。
导电性半导体层热分解层微型发光二极管微发光二极管外延半导体层叠结构电性连接支撑基板发光层衬底发光二极管外延结构半导体层叠结构本实用新型第二电极第一电极上支撑

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